【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅太阳能电池清洗刻蚀、干燥方法及一体化处理机。技术背景太阳能光伏电池是新技术和可再生环保型能源的重要组成部分，是当 今世界最有发展前景的能源技术。硅太阳能电池是光伏电池的核心部分， 高效的硅太阳能电池需要通过一系列的技术来完成硅表面处理。目前在硅太阳能电池的表面处理上，主要沿用传统的RCA方法对硅片进行清洗， 该工艺完成对硅片的清洗需要耗费大量的化学试剂和水源，其中大部分化 学试剂对操作者和环境都会带来相当大污染和危险。目前的清洗是一个十 分复杂的过程，清洁工艺采用搅拌、N2鼓泡的方法，高耗能，高污染，加 工纹理容易出现粗糙度不一致现象。蚀刻清洗需消耗大量强酸强碱，用水 量很大，工艺复杂，设备造价相当昂贵。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种硅太阳能电池清 洗刻蚀、干燥工艺及其设备。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现 硅太阳能电池清洗刻蚀、干燥工艺，具体的步骤为① 兆声波槽式清洗利用兆声在去离子水中产生03，并在去离子水中 添加HF， HF浓度为2 5X，在常温下进行清洗；② 将硅片放入去离子水中进行超声清洗，其中...
【技术保护点】
硅太阳能电池清洗刻蚀、干燥工艺，其特征在于：具体包括以下步骤－ ①兆声波槽式清洗：利用兆声在去离子水中产生Ｏ↓［３］，并在去离子水中添加ＨＦ，ＨＦ浓度为２～５％，在常温下进行清洗； ②将硅片放入去离子水中进行超声清洗，其中兆声波频率为１ＭＨＺ以上，功率５０～６００Ｗ可调； ③通过以上清洗后，在硅片被抬出液面时进行干燥处理，干燥槽的上方安装有Ｎ↓［２］的喷嘴，使硅片被抬出水面后就与高浓度的Ｎ↓［２］直接接触，采用含有饱和ＩＰＡ的Ｎ↓［２］进行干燥处理，然后装片。
【技术特征摘要】
1. 硅太阳能电池清洗刻蚀、干燥工艺，其特征在于具体包括以下步骤——①兆声波槽式清洗利用兆声在去离子水中产生O3，并在去离子水中添加HF，HF浓度为2～5％，在常温下进行清洗；②将硅片放入去离子水中进行超声清洗，其中兆声波频率为1MHZ以上，功率50～600W可调；③通过以上清洗后，在硅片被抬出液面时进行干燥处理，干燥槽的上方安装有N2的喷嘴，使硅片被抬出水面后就与高浓度的N2直接接触，采用含有饱和IPA的N2进行干燥处理，然后装片。2. 根据权利要求1所述的硅太阳能...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾春红，王敏锐，张宝顺，
申请(专利权)人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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