能输出单一离子能量的离子束发射源制造技术

本发明专利技术涉及一种能输出单一离子能量的离子束发射源，以克服现有技术存在的引出离子并非具有单一能量，对薄膜质量影响较大，难以实现离子束辅助的重复性的问题。其技术方案是：包括气体放电室、聚焦磁场产生单元、离子能量选择器和扩束磁场产生单元，气体放电室中包括阳极、阴极和引出栅极板；所述离子能量选择器包括相对设置的上磁极板、下磁极板以及相对设置的第一电极板和第二电极板构成的选择筒，上磁极板、第一电极板、下磁极板和第二电极板之间夹设有极板绝缘件，选择筒两端的入口盖板和出口盖板中部均设置有能带限制通孔。现有技术相比，本发明专利技术的优点是：１．能够产生、引出单一能量的离子；２．离子能量可调；３．制造工艺简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用在光学真空离子束辅助镀膜机或离子束刻蚀设备中的离 子束发射源(离子源)装置，特别涉及一种能输出单一离子能量的离子束发射 源。
技术介绍
在薄膜
，离子束辅助(IBAD)是一种将薄膜沉积(主要为物理气 相沉积)与离子轰击融为一体的光学表面镀膜技术，通常是在高真空蒸发室中 利用离子源所产生的荷能离子束轰击正在进行薄膜沉积的衬底材料，从而获得 一定效果的薄膜。 一般而言，离子束辅助镀膜技术克服了物理气相沉积和离子 轰击各自的缺点，因而颇具特色。该技术可以改善薄膜的性能，实现普通热蒸 发工艺无法获得的效果，自上世纪80年代以来一直受到人们的普遍重视，目 前仍是广泛采用的一种成熟的光学薄膜制备技术。世界上一些发达国家，如美 国、日本等国都对此予以高度的重视。离子束辅助镀膜技术已经成功用于制备一系列的硬质薄膜、光学薄膜、单晶薄膜、类金刚石薄膜和超导薄膜，并在改 善材料的光学性能、机械性能、电磁学性能以及抗化学腐蚀性能上取得了令人 瞩目的研究成果。离子束辅助沉积工艺的主要过程是在镀膜前先用一定能量的离子束轰击基 底，以净化表面，使表面污染的碳氢化合物分解除去，同时使基底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种能输出单一离子能量的离子束发射源，包括气体放电室，该气体放电室中包括阳极、阴极和引出栅极板，其特征在于：在引出栅极板一侧依次设置有聚焦磁场产生单元（１）、离子能量选择器和扩束磁场产生单元（９）；所述离子能量选择器包括相对设置的上磁极板（５）、下磁极板（１０）以及相对设置的第一电极板（１２）和第二电极板（１５）构成的选择筒，上磁极板（５）、第一电极板（１２）、下磁极板（１０）和第二电极板（１５）之间夹设有极板绝缘件（１４），所述上磁极板（５）和下磁极板（１０）之间通过极靴（１３）连接有位于选择筒外侧的主励磁线圈（１１），第一电极板（１２）和第二电极板（１５）上分别导通连接有第一电极（１８）和...

【技术特征摘要】
1. 一种能输出单一离子能量的离子束发射源，包括气体放电室，该气体放电室中包括阳极、阴极和引出栅极板，其特征在于在引出栅极板一侧依次设置有聚焦磁场产生单元(1)、离子能量选择器和扩束磁场产生单元(9)；所述离子能量选择器包括相对设置的上磁极板(5)、下磁极板(10)以及相对设置的第一电极板(12)和第二电极板(15)构成的选择筒，上磁极板(5)、第一电极板(12)、下磁极板(10)和第二电极板(15)之间夹设有极板绝缘件(14)，所述上磁极板(5)和下磁极板(10)之间通过极靴(13)连接有位于选择筒外侧的主励磁线圈(11)，第一电极板(12)和第二电极板(15)上分别导通连接有第一电极(18)和第二电极(17)；选择筒的两端分别设置有以入口绝缘件(4)和出口绝缘件(6)相隔的入口盖板(3)和出口盖板(...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐均琪，杭凌侠，弥谦，苏俊宏，朱昌，严一心，
申请(专利权)人：西安工业大学，
类型：发明
国别省市：87[]