形成金属氧化物层图案的方法及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了形成金属氧化物层图案的方法及制造半导体装置的方法。在基板上形成金属氧化物层图案的方法包括：在基板上提供初步金属氧化物层；蚀刻该初步金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，形成金属氧化物层图案。制造半导体装置的方法包括在基板上形成金属氧化物层和第一导电层；蚀刻该金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；蚀刻该第一导电层以提供第一导电层图案；和以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，以提供金属氧化物层图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及在基板上形成金属氧化物层图案的方法和使用此 处所述的形成金属氧化物层图案的方法来制造半导体装置的方法。
技术介绍
半导体存储装置可以包括易失存储装置和非易失存储装置。通常，易失存储装置可以包括动态随机存取存储(DRAM)装置和静态随机存取存储 (SRAM)装置。非易失存储装置可以包括可擦可编程只读存储(EPROM)装置、 电可擦可编程只读存储(EEPROM)装置和快闪存储装置。当电源关闭后，易 失存储装置会丢失存储的数据，而不易失存储装置可以保持存储的数据。 快闪存储装置可以进一步分为浮栅式存储装置和浮式陷获存储装置。浮除数据。浮式陷获存储装置通过在电荷捕捉层中储存电子或空穴来储存或擦 除数据。在浮式陷荻存储装置制造过程中，隧道绝缘层、电荷捕捉层、阻挡 层和导电层依次堆栈在基板上，并且它们形成其各自的图案。为了提高浮式陷获存储装置的集成度，选择具有高介电常数的材料来形 成阻挡层图案。具有高介电常数的材料可以包括氧化铝(八1203)、氧化铪 (Hf02)、氧化锆(Zr02)、氧化钽(Ta02)、铝酸铪(HfAlO)、硅酸锆(ZrSiO)、硅 酸铪(HfSiO)、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基板上形成金属氧化物层图案的方法，包括：在基板上提供金属氧化物层；蚀刻该金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其中该初步金属氧化物层图案的线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，以形成金属氧化物层图案。

【技术特征摘要】
KR 2007-2-15 15742/071.一种在基板上形成金属氧化物层图案的方法，包括在基板上提供金属氧化物层；蚀刻该金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其中该初步金属氧化物层图案的线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，以形成金属氧化物层图案。2. 如权利要求1的方法，其中蚀刻该初步金属氧化物层图案是通过采 用具有气源的等离子体蚀刻加工来进行的。3. 如权利要求2的方法，其中该气源包括含卣气体、惰性气体和/或它 们的组合。4. 如权利要求3的方法，其中含卤气体的量是气源总重量的大约0.1到 大约10重量％。5. 如权利要求3的方法，其中含卤气体包括四氟化碳、溴化氢、氯气 和/或它们的组合。6. 如权利要求3的方法，其中惰性气体包括氦气、氖气、氩气、氪气、 氙气、氡气，和/或它们的组合。7. 如权利要求3的方法，其中该气源进一步包括氢气、氮气、氧气， 和/或它们的组合。8. 如权利要求1的方法，其中该金属氧化物层包括一种或多种具有高 介电常数的材料和/或一种或多种铁电材料。9. 如权利要求8的方法，其中具有高介电常数的材料包括氧化铝、 氧化铪、氧化锆、氧化钽、铝酸铪、硅酸锆、硅酸铪、铝酸镧，和/或它们的 组合。10. 如权利要求8的方法，其中该铁电材料包括锆钛酸铅、铋钛酸锶、 锶钬酸钡和/或它们的组合。11. 如权利要求1的方法，其中蚀刻初步金属氧化物层图案是在大约0。C 到大约300。C的温度、大约1到大约100mTorr的压...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴玟俊，姜昌珍，金东贤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]