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本发明公开了形成金属氧化物层图案的方法及制造半导体装置的方法。在基板上形成金属氧化物层图案的方法包括：在基板上提供初步金属氧化物层；蚀刻该初步金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；以降低该初步金属氧化物层...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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