一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法技术

本发明专利技术提供一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法，采用微转移图案化的方法在正性光刻胶薄膜上形成聚合物薄膜图案，然后以该聚合物薄膜选择性吸附催化剂后进行化学镀金属以形成金属薄膜。最后以金属薄膜作为掩模对下层正性光刻胶薄膜进行选择性紫外曝光并溶解除去。紫外光在掩模图形边缘的衍射可以造成非曝光区域边缘的部分曝光，使剩余的光刻胶薄膜可以和上层的金属薄膜共同组成具有Ｔ型截面的结构，该结构可以作为有机发光显示中阴极的隔离柱。由于层叠结构Ｔ型截面的隔离柱上层金属薄膜不受紫外曝光和显影的影响，因此对正性光刻胶的曝光剂量和显影时间超过最佳条件的情况下仍然得到与掩模板尺寸相符的目标层图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于。技术背景有机发光显示由于其高亮度、宽视角及柔性轻型等特点而被广泛 关注和深入研究。无源矩阵显示是实现有机发光显示的一种简单方 法。在有机发光无源矩阵显示器件中需要实现阴极的图案化， 一般采用具有倒梯形或者T形截面的条纹结构作为隔离柱实现阴极加工过 程中的图案化。已有技术一般采用光刻方法实现具有以上特征隔离柱的加工，如 接触式曝光、多层光刻胶结构、选择特定光刻胶并配合特定加工工艺 等方法。公开号为CN 1746772A的中国专利提供了一种采用光刻加 化学方法后处理制作T型结构光刻胶图形的方法。采用光刻方法加工 上述隔离柱结构的过程需要严格控制加工参数，例如曝光剂量、显影 时间等。条件的偏差会对光刻图形的质量产生很大的影响，例如光刻 图形和掩模板图形的尺寸存在偏差，图形边缘不整齐等现象。另外光 刻上述隔离柱结构需要选用多层的正性光刻胶或者单层负性光刻胶 进行加工。多层结构一般加工过程复杂，需要对不同的层分别进行图 案化加工，而负性光刻胶虽然加工工艺相对多层结构简单，但是存在 着图案化精度低的缺点。对适用于喷墨打印加工的有机发光显示器件阴极隔离柱，为了实现辅助溶液定位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法，其特征在于，步骤和条件如下：１）在具有图形的聚二甲基硅氧烷软印章（４）表面旋涂一层聚合物薄膜（１），聚合物薄膜（１）的聚合物是聚苯乙烯或者聚甲基丙烯酸甲酯，在平面基底（５）上涂敷正性光刻胶薄膜（２），将正性光刻胶薄膜（２）干燥后，在正性光刻胶薄膜（２）表面涂敷聚合物薄膜（３）并干燥，聚合物薄膜（３）的聚合物是聚乙烯基吡啶，平面基底（５）是硅片、玻璃或铟锡氧化物镀膜玻璃；２）将表面具有聚合物薄膜（１）的聚二甲基硅氧烷软印章（４）和平面基底（５）上的聚合物薄膜（３）表面吻合，将整个体系加热到聚合物薄膜（１）的玻璃化温度后再升温５－１５℃，并保持０．５－１０...

【技术特征摘要】
1、一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法，其特征在于，步骤和条件如下1)在具有图形的聚二甲基硅氧烷软印章(4)表面旋涂一层聚合物薄膜(1)，聚合物薄膜(1)的聚合物是聚苯乙烯或者聚甲基丙烯酸甲酯，在平面基底(5)上涂敷正性光刻胶薄膜(2)，将正性光刻胶薄膜(2)干燥后，在正性光刻胶薄膜(2)表面涂敷聚合物薄膜(3)并干燥，聚合物薄膜(3)的聚合物是聚乙烯基吡啶，平面基底(5)是硅片、玻璃或铟锡氧化物镀膜玻璃；2)将表面具有聚合物薄膜(1)的聚二甲基硅氧烷软印章(4)和平面基底(5)上的聚合物薄膜(3)表面吻合，将整个体系加热到聚合物薄膜(1)的玻璃化温度后再升温5-15℃，并保持0.5-10分钟，然后将整个体系降低温度到聚合物薄膜(1)的玻璃化温度后再降低5-50℃，将聚二甲基硅氧烷软印章(4)剥离，得到表面具有图案化的聚合物薄膜(1)的聚合物薄膜(3)；3)将步骤(2)中加工的后的平面基底(5)首先浸渍于含有钯离子的溶液中20-90秒，使聚合物薄膜(3)吸附钯离子，然后浸渍于可还原钯离子的溶液中将钯离子还原为单质钯，然后浸渍于镍的化学镀溶液中，利用钯催化沉积镍形成100-500纳米厚的金属镍薄膜(6)；4)将步骤(3)处理后的平面基底(5)进行氧等离子体刻蚀，除去无金属镍薄膜(6)覆盖区域的聚合物薄膜(1)和聚合物薄膜(3)，然后对平面基底(5)上的光刻胶薄膜(2)进行紫外曝光和显影后，得到表面覆盖金属镍薄膜(6)的光刻胶结构，该结构可以作为有机发光显示器件的阴极隔离柱。2、 一种有机发光显示器件阴极隔离柱的加工方法，其特征在于，步骤和条件如下1)在具有图形的聚二甲基硅氧垸软印章(4)表面 旋涂一层聚合物薄膜(1)，聚合物薄膜(1)的聚合物是聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩艳春，邢汝博，丁艳，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]