【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制程方法，具体地说，涉及一种消除蚀刻工序残留 聚合物的方法。
技术介绍
蚀刻处理工序是半导体制程中必要的工序之一，其作用是将此前经过显影 工序的晶片上未被光阻覆盖或保护的部分，以化学反应或是物理作用的方式加以去除。其中，在进行金属-绝缘层-金属(Metal-Insulator-Metal, MIM)蚀刻时 会遇到冠状缺陷的问题。该缺陷的产生主要是由于在处理过程中，非挥发性副 产物如氯化钽(TaClx) IO等会于光阻(Photo Resistor, PR)材料20侧壁上沉 积，并在光阻材料20移除后，形成冠状氯化钽聚合物30。虽然在此后的制程中 还有湿式清洁(wet clean)的步骤，但这一步骤无法将上述聚合物30去除。 目前，业界通常采用以下两种方法来解决上述问题1. 釆用氮氧化硅(SION)作为硬遮罩(hard mask)。该方式能够改善缺陷 状况，但无法完全消除缺陷；2. 加入额外的化学机械研磨(chemical Machine Polishing, CMP)步骤，该 方式能够消除缺陷，但大大增加生产成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体制程方法，具体地说，涉及一种消除蚀 刻工序残留聚合物的方法。为实现上述目的，本专利技术提供一种，该方 法包括首先通过在主蚀刻反应室中对晶片进行干蚀刻，接下来在去膜反应室中 去除晶片的抗蚀保护膜，最后将晶片置入主蚀刻反应室，再次进行干蚀刻，以 此去除在蚀刻步骤中残留的聚合物。3与现有技术相比，本专利技术的方法容易实现，能够完全移除残留聚合物，消 除冠状缺陷，并且不会大幅增加生产...
【技术保护点】
一种消除蚀刻工序残留聚合物的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：ａ．在主蚀刻反应室中对晶片进行干蚀刻；ｂ．在去膜反应室中去除晶片的抗蚀保护膜；ｃ．将晶片置入主蚀刻反应室，再次进行干蚀刻。
【技术特征摘要】
1、一种消除蚀刻工序残留聚合物的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤a.在主蚀刻反应室中对晶片进行干蚀刻；b.在去膜反应室中去除晶片的抗蚀保护膜；c.将晶片置入主蚀刻反应室，再次进行干蚀刻。2、 如权利要求1所述的等离子浓度检测装置，其特征在于，所述步骤a和步骤 c是以氯气和氧气来进行蚀刻。3、 一种半导体晶片的蚀刻方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤a. 对晶片进行干蚀刻；b. 去除晶片的抗蚀保护膜；...
【专利技术属性】
技术研发人员：粱昆约，许顺富，刘凤娇，王开立，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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