具高效率发光效果的发光二极管封装方法及其封装结构技术

技术编号:3170208 阅读:141 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种发光二极管封装结构,其包括:一基板单元(substrateunit)、一发光单元(light-emitting unit)、及一封装胶体单元(package colloidunit)。其中,该基板单元具有一基板本体(substrate body)、及分别形成于该基板本体上的一正极导电轨迹(positive electrode trace)与一负极导电轨迹(negative electrode trace)。该发光单元具有多个设置于该基板本体上的发光二极管芯片(LED chip),其中每一个发光二极管芯片具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹的一正极端(positive electrode side)与一负极端(negative electrode side)。该封装胶体单元具有多个分别覆盖于该等发光二极管芯片上的封装胶体(package colloid)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管芯片的封装方法及其封装结构,尤指一种具高 效率发光效果的发光二极管封装方法及其封装结构。
技术介绍
请参阅图l所示,其为习知发光二极管之第一种封装方法的流程图。由流 程图中可知,习知发光二极管的第一种封装方法,其步骤包括首先,提供多个封装完成的发光二极管(packagedLED) (S800);接着,提供一条状基板 本体(stripped substrate body),其上具有一正t及导电车九迹(positive electrode trace)与一负极导电轨迹(negative electrode trace) (S802);最后,依序将 每一个封装完成的发光二极管(packagedLED)设置在该条状基板本体上,并 将每一个封装完成的发光二极管(packagedLED)的正、负极端分别电性连接 于该条状基板本体的正、负极导电轨迹(S804)。请参阅图2所示,其为习知发光二极管之第二种封装方法的流程图。由流 程图中可知,习知发光二极管的第二种封装方法,其步骤包括首先,提供一 条状基板本体(stripped substrate body),其上具有一正极导电轨迹(positive electrode trace)与一负极导电轨迹(negative electrode trace) (S900);接着, 依序将多个发光二极管芯片(LED chip)设置于该条状基板本体上,并且将每 一个发光二极管芯片的正、负极端分别电性连接于该条状基板本体的正、负极 导电轨迹(S902);最后,将一条状封装胶体(stripped package colloid)覆盖 于该条状基板本体及该等发光二极管芯片上,以形成一带有条状发光区域 (stripped light-emitting area)的光棒(light bar) (S904)。然而,关于上述习知发光二极管的第一种封装方法,由于每一颗封装完成 的发光二极管(packaged LED)必须先从一整块发光二极管封装切割下来,然 后再以表面黏着技术(SMT)工序,将每一颗封装完成的发光二极管(packaged LED)设置于该条状基板本体上,因此无法有效縮短其工序时间,再者,发光时,该等封装完成的发光二极管(packagedLED)之间会有暗带(darkband) 现象存在,对于使用者视线仍然产生不佳的效果。另外,关于上述习知发光二极管的第二种封装方法,由于所完成的光棒带 有条状发光区域,因此第二种封装方法将不会产生暗带(darkband)的问题。 然而,因为该条状封装胶体(strippedpackage colloid)被激发的区域不均,因 而造成光棒的光效率不佳(亦即,靠近发光二极管芯片的封装胶体区域会产生 较强的激发光源,而远离发光二极管芯片的封装胶体区域则产生较弱的激发光 源)。由上可知,目前习知的发光二极管的封装方法及其封装结构,显然具有 不便与缺失存在,而待加以改善。因此,本专利技术人有感上述缺失之可改善,且依据多年来从事此方面的相 关经验,悉心观察且研究,并配合学理的运用,而提出一种设计合理且有效改 善上述缺失的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题,在于提供一种具高效率发光效果的发光二极 管封装方法及其封装结构。本专利技术的发光二极管结构在发光时,形成一连续的 发光区域,而无亮度不均的情况发生,并且本专利技术采用透过芯片直接封装(Chip On Board, COB)工序并利用压模(die mold)的方式,以使得本专利技术可有效 地缩短其工序时间,而能进行大量生产。再者,本专利技术的结构设计更适用于各 种光源,诸如背光模块、装饰灯条、照明用灯、或是扫描仪光源等应用,皆为 本专利技术所应用的范围与产品。为了解决上述技术问题,根据本专利技术的其中一种方案,提供一种具高效率 发光效果的发光二极管的封装方法,其包括下列步骤首先,提供一基板单元(substrate unit),其具有一基板本体(substrate body)、及分别形成于该基 板本体上的一正极导电轨迹(positive electrode trace)与一负极导电轨迹(negative electrode trace);接着,透过矩阵(matrix)的方式,分别设置多个 发光二极管芯片(LED chip)于该基板本体上,以形成多排纵向发光二极管芯 片排(longitudinal LED chip row),其中每一个发光二极管芯片具有分别电性 连接于该基板单元的正、负极导电轨迹的一正极端(positive electrode side)与一负极端(negative electrode side);然后,透过一第一模具单元(first mold unit), 将多条条状封装胶体(stripped package colloid)分别纵向地(longitudinally) 覆盖在每一排纵向发光二极管芯片排(longitudinal LED chip row)上。最后,本专利技术具有三种后续的实施态样第一种态样沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地(transversely) 切割该等条状封装胶体(stripped package colloid)及该基板本体,以形成多条 光棒(light bar),其中每一条光棒具有多个彼此分开地覆盖于每一个发光二 极管芯片上的封装胶体(package colloid)。第二种态样沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地(transversely) 切割该等条状封装胶体(stripped package colloid),以形成多个彼此分开地覆 盖于每一个发光二极管芯片上的封装胶体(package colloid);然后,透过一 第二模具单元(second mold unit),将一框架单元(frame unit)覆盖于该基板 本体上并且填充于该等封装胶体之间;最后,沿着每两个纵向发光二极管芯片 之间,横向地(transversely)切割该框架单元及该基板本体,以形成多条光棒 (light bar),并且使得该框架单元被切割成多个分别包覆每一条光棒上的所 有封装胶体的四周的框架层。第三种态样沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地(transversely) 切割该等条状封装胶体(stripped package colloid),以形成多个彼此分开地覆 盖于每一个发光二极管芯片上的封装胶体(package colloid);然后,透过一 第三模具单元(third mold unit),将多条条状框架层(stripped frame layer)覆 盖于该基板本体上并且纵向地填充于每一个封装胶体之间;最后,沿着每两个 纵向发光二极管芯片之间,横向地(transversely)切割该等条状框架层(stripped frame layer)及该基板本体,以形成多条光棒(light bar),并且使得该等条状 框架层(stripped frame layer)被切割成多个分别包覆每一个封装胶体四周的框 体(frame body)。为了解决上述技术问题,根据本专利技术的其中一种方案,提供一种具高效率 发光效果的发光二极管封装结构,其包括 一基板单元(sub本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,包括下列步骤:提供一基板单元,其具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上的一正极导电轨迹与一负极导电轨迹;透过矩阵的方式,分别设置多个发光二极管芯片于该基板本体上,以形成多排纵向发光二极管芯片排(longitudinal  LED  chip  row),其中每一个发光二极管芯片具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹的一正极端与一负极端;以及透过一第一模具单元,将多条条状封装胶体(stripped  package  colloid)纵向地分别覆盖在每一排纵向发光二极管芯片排上。

【技术特征摘要】
1、 一种具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,包括下 列步骤提供一基板单元,其具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上的一正 极导电轨迹与一负极导电轨迹;透过矩阵的方式,分别设置多个发光二极管芯片于该基板本体上,以形成多排纵向发光二极管芯片排(longitudinal LED chip row),其中每一个发光二 极管芯片具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹的一正极端与一 负极端;以及透过一第一模具单元,将多条条状封装胶体(stripped package colloid)纵向地分别覆盖在每一排纵向发光二极管芯片排上。2、 根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其 特征在于,该基板单元为一印刷电路板、 一软基板、 一铝基板、 一陶瓷基板、 或一铜基板。3、 根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其 特征在于,该正、负极导电轨迹为铝线路或银线路。4、 根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其 特征在于,每一个发光二极管芯片的正、负极端是透过两相对应的导线并以打 线的方式,以与该基板单元的正、负极导电轨迹产生电性连接。5、 根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其 特征在于,每一个发光二极管芯片的正、负极端是透过多个相对应的锡球并以 覆晶的方式,以与该基板单元的正、负极导电轨迹产生电性连接。6、 根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其 特征在于,每一排纵向发光二极管芯片排是以一直线的排列方式设置于该基板 单元的基板本体上。7、 根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其 特征在于,该第一模具单元是由一第一上模具及一用于承载该基板本体的第一 下模具所组成,并且该第一上模具是具有多条相对应该等纵向发光二极管芯片 排的第一信道,此外该等第一通道的高度及宽度是与该等条状封装胶体的高度及宽度相同。8、 根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其 特征在于,每一条条状封装胶体为由一硅胶与一荧光粉所混合形成的荧光胶 体。9、 根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其 特征在于,每一条条状封装胶体为由一环氧树脂与一荧光粉所混合形成的荧光 胶体。10、 根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,更进一歩包括沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地切割 该等条状封装胶体及该基板本体,以形成多条光棒,其中每一条光棒具有多个 彼此分开地覆盖于每一个发光二极管芯片上的封装胶体。11、 根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其 特征在于,更进一步包括沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地切割该等条状封装胶体,以 形成多个彼此分开地覆盖于每一个发光二极管芯片上的封装胶体;透过一第二模具单元,将一框架单元覆盖于该基板本体上并且填充于该等 封装胶体之间;以及沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地切割该框架单元及该基板本 体,以形成多条光棒,并且使得该框架单元被切割成多个分别包覆每一条光棒 上的所有封装胶体的四周的框架层。12、 根据权利要求11所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,该第二模具单元是由一第二上模具(second upper mold)及一用 于承载该基板本体的第二下模具(second lower mold)所组成,并且该第二上 模具具有一条相对应该框架单元的第二信道(second channel),此外该第二 通道的高度与该等封装胶体(package colloid)的高度相同,而该第二通道的 宽度与该框架层的宽度相同。13、 根据权利要求11所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法, 其特征在于,该框架层为不透光框架层(opaque frame layer)。14、 根据权利要求13所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法, 其特征在于,该不透光框架层为白色框架层(white frame layer)。15、 根据权利要求1所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法,其特征在于,更进一步包括沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地(transversely)切割该等条 状封装胶体(stripped package colloid),以形成多个彼此分开地覆盖于每一个 发光二极管芯片上的封装胶体(package colloid);透过一第三模具单元(third mold unit),将多条条状框架层(stripped frame layer)覆盖于该基板本体上并且纵向地填充于每一个封装胶体之间;以及沿着每两个纵向发光二极管芯片之间,横向地(transversely)切割该等条 状框架层(stripped frame layer)及该基板本体,以形成多条光棒(lightbar), 并且使得该等条状框架层(stripped frame layer)被切割成多个分别包覆每一个 封装胶体四周的框体(frame body)。16、 根据权利要求15所述的具高效率发光效果的发光二极管封装方法, 其特征在于,该第三模具单元是由一第...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪秉龙庄峰辉吴文逵
申请(专利权)人:宏齐科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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