研磨机台反应系统的预热方法技术方案

本发明专利技术公开了一种研磨台反应系统的预热方法，涉及半导体制造领域的研磨工艺。所述预热方法首先对输送研磨浆或去离子水的管道进行加热步骤，将研磨液或者去离子水加热至预设温度；带有预设温度的研磨浆或者去离子水进入反应系统后将反应系统的预热至反应温度；然后再对晶圆进行化学机械研磨步骤。与现有技术相比，本发明专利技术预热方法通过带有一定温度的去离子水或者研磨液将反应系统加热到最佳的反应温度，不需要通过研磨一些空挡片进行预热。采用本发明专利技术的方法节约研磨时间，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域的研磨工艺，具体地说，涉及一种研磨台反应系统的预热方法。
技术介绍
化学机械研磨(CMP)基于化学反应和机械研磨原理已经广泛应用于集成 电路的制造工艺中。化学反应需要有一定的反应环境，CMP也不例外，尤其是 在金属CMP的制程中，反应温度是一个很重要的参数。例如在鵠CMP制程中， 反应的最佳温度在50-70摄氏度，然而洁净室的温度往往低于该温度。为了将研 磨机台的反应系统的温度加热到预定温度。就目前而言， 一般就是在进行正式 鴒CMP之前，先让研磨机台对一些空挡片(dummy wafer)进行研磨步骤，对 研磨机台的反应系统进行预热，使反应体系达到最佳的反应温度。采用现有的 预热方法，比较浪费时间，不利于提高生产效率。因此，需要提供一种以进一步优化化学机械研磨制程。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种可节约时间的。为解决上述技术问题，本专利技术提供了 一种，所述研磨机台连接有输送研磨浆或者去离子水的管道，所述预热方法首先对上 述管道的研磨浆或去离子水加热至预设温度，带有预设温度的研磨浆或者去离 子水进入反应系统后将反应系统的预热至反应温度，然后再对晶圆进行化学机械研磨步骤。与现有技术相比，本专利技术通过在去离子水或者研磨液进入反应系统前进行 加热步骤，通过带有一定温度的去离子水或者研磨液将反应系统加热到最佳的反应温度，起到了节约时间，提高生产效率的有益效果。 附图说明图1是采用本专利技术预热方法的化学机械研磨系统的结构示意图。 具体实施例方式以下对本专利技术一实施例结合附图的进行描述，以期进一步理解本专利技术的目 的、具体结构特征和优点。图1是釆用本专利技术预热方法的化学机械研磨系统的结构示意图。该化学机械研磨系统包括去离子水(DIW)存储器1、研磨浆存储器2、泵4、数条传送 去离子水或者研磨浆的输送管道5以及研磨机台7。 DIW存储器1存放用于清 洗晶圓和研磨垫的去离子水。研磨浆存储器2用于存放进行CMP的研磨浆。当 打开气阀3、 5后，通过泵4将研磨浆或者去离子水输送到管道50。该研磨机台 7具有反应系统，其包括放置晶圆的旋转台以及放置在晶圆北研磨表面的研磨 垫，进行化学机械研磨步骤时，旋转台旋转，打开控制研磨液存储器1的气阀， 将研磨液输送到反应系统上。该化学机械研磨系统还包括加热装置6，其安装在管道50附近。本专利技术的 预热方法是在进行CMP前,打开加热装置6将输送到反应系统的去离子水或者 研磨浆在管道50处被加热到预定温度。当去离子水或者研磨液进入反应系统后， 使反应系统达到的最佳反应温度。然后在进行CMP制程。采用本专利技术的预设方法不需要通过研磨空挡片对研磨机台的反应系统进行 预热，仅需要在去离子水或者研磨液进入反应系统前进行加热步骤，通过带有 一定温度的去离子水或者研磨液将反应系统加热到最佳的反应温度。采用本发 明的预热方法，不仅节约了时间，而且避免对挡片的浪费。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨机台反应系统的预热方法，所述研磨机台连接有输送研磨浆或者去离子水的管道，其特征在于，对上述管道的研磨浆或去离子水加热至预设温度，带有预设温度的研磨浆或者去离子水进入反应系统后将反应系统的预热至反应温度，然后再进行化学机械研磨步骤。

【技术特征摘要】
1.一种研磨机台反应系统的预热方法，所述研磨机台连接有输送研磨浆或者去离子水的管道，其特征在于，对上述管道的研磨浆或去离子水加热至预设温度，带有预设温度的研磨浆或者去离子水进...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵铁军，王怀峰，张伟光，王莉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]