研磨膜制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种研磨膜，其具有高磨削力，且不易产生由研磨中的负重条件变动所致的光纤连接器的端面不良。本发明专利技术是一种研磨膜，其具有基材膜及层叠在所述基材膜的表面侧的研磨层，且所述研磨膜的特征在于：所述研磨层含有研磨粒子及其粘合剂，所述研磨层的由泰伯磨耗试验所致的磨耗量为10mg以上且25mg以下。所述研磨层中的所述研磨粒子的含量优选85质量％以上。所述研磨粒子可包含一次粒径为10nm以上且小于50nm的第一研磨粒子及一次粒径为50nm以上且小于250nm的第二研磨粒子。所述研磨层的平均厚度优选4μm以上且15μm以下。所述研磨粒子可为二氧化硅粒子。

Lapping film

The aim of the present invention is to provide a polishing film having a high grinding force, and is not easy to produce an end face of an optical fiber connector, which is caused by a change in the loading condition in the grinding process. The present invention relates to a lapping film, polishing layer surface side of the substrate and the film is laminated on the substrate membrane, and the characteristics of the grinding film is characterized in that the grinding layer containing abrasive particles and binder, the abrasive layer by Taber wear caused by the above 10mg and below 25mg. The content of the abrasive particles in the grinding layer is preferably 85 mass% or more. The abrasive particles may comprise a first abrasive particle with a particle size of 10nm or less and less than 50nm and a second abrasive particle with a particle size of 50nm or less and less than 250nm. The average thickness of the grinding layer is preferably more than 4 m and less than 15 m. The abrasive particles can be silica particles.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种研磨膜。
技术介绍
在光纤通信网中将光纤彼此连接时，广泛地使用容易拆下的光连接器。该连接是使进行光纤对位的插芯(ferrule)直接对插而进行。因此，为了减少连接后的光纤的光损失(通信损耗)，要求所连接的光纤连接器的连接端面为充分平滑的面以及在连接端面上在光纤间不产生间隙(并未对插芯牵入光纤)。这种光纤连接器的连接端面的研磨是通过粘接剂除去工序、粗球面研磨工序、中间精饰工序及精饰研磨工序这四个工序来进行，其中精饰研磨工序的研磨精度大幅度地影响光损失。该精饰研磨工序是通过以下方式进行：一面对贴附在弹性垫表面上的研磨膜的表面供给水，一面按压承受负重的光纤连接器。所述精饰研磨工序中的光损失主要是因为由研磨膜的磨削力不足所致的损伤或边缘缺损等端面不良而产生，使光纤连接器的生产性及生产成本劣化。因此，对精饰研磨工序中所用的研磨膜要求高磨削力。关于该具有高磨削力的研磨膜，已提出了具备含有研磨粒子及其粘合剂的研磨层，且对粘合剂的材料进行设计而成的研磨膜(例如参照日本专利特开2007-190613号公报)。该现有的研磨膜通过将粘合剂的材料设为不易磨耗的环氧氨基甲酸酯而将研磨层的研磨料牢固地固定，提高磨削力。然而，从光纤连接器的生产性及生产成本的观点来看，该现有的研磨膜不可以说磨削力充分高。另外，该现有的研磨膜若负重降低，则磨削力不足而端面不良的产生率大幅度地上升，因此容易产生由研磨中的负重条件变动所致的不良。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2007-190613号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术是鉴于这些情况而成，其目的在于提供一种研磨膜，该研磨膜具有高磨削力，且不易产生由研磨中的负重条件变动所致的光纤连接器的端面不良。解决问题的技术手段本专利技术人进行了努力研究，结果发现，通过并非以前那样的抑制研磨层的磨耗的方法而是反之促进研磨层的磨耗的方法，磨削力可大幅度地提高，从而完成了本专利技术。即，为了解决所述课题而成的专利技术是一种研磨膜，其具有基材膜及层叠在该基材膜的表面侧的研磨层，并且所述研磨膜的特征在于：所述研磨层含有研磨粒子及其粘合剂，所述研磨层的由泰伯磨耗试验(Taberabrasiontest)所致的磨耗量为10mg以上且25mg以下。该研磨膜由于研磨层的磨耗量为所述下限以上，因此在光纤连接器的研磨时所供给的水中，因研磨层的磨耗而供给的研磨粒子作为游离研磨料而与研磨层的固定研磨料一起研磨光纤连接器。因此，该研磨膜具有高磨削力。另外，即使在对光纤连接器施加的负重低的情况下，也因研磨层的磨耗而供给研磨所必需的游离研磨料，因此不易产生光纤连接器的端面不良，不易产生由负重条件变动所致的不良。同时，该研磨膜由于研磨层的磨耗量为所述上限以下，因此可将每一次研磨的研磨层的磨耗量抑制得低，维持高磨削力并且可研磨的次数多。所述研磨层中的所述研磨粒子的含量优选85质量％以上。通过像这样将所述研磨层中的所述研磨粒子的含量设为所述下限以上，磨削力进一步提高。所述研磨粒子可包含一次粒径为10nm以上且小于50nm的第一研磨粒子及一次粒径为50nm以上且小于250nm的第二研磨粒子，第一研磨粒子相对于所述研磨粒子总体的含量优选55质量％以上且80质量％以下，第二研磨粒子的含量优选15质量％以上且45质量％以下。通过像这样所述研磨粒子包含所述两种研磨粒子，且将所述两种研磨粒子的含量设为所述范围内，可容易地将研磨层的磨耗量控制在所述范围内。所述第二研磨粒子中一次粒径为100nm以上且小于250nm的研磨粒子相对于所述研磨粒子总体的含量优选5质量％以上且25质量％以下。通过将所述第二研磨粒子中一次粒径为100nm以上且小于250nm的研磨粒子相对于所述研磨粒子总体的含量设为所述范围内，可更容易地将研磨层的磨耗量控制在所述范围内。所述研磨层的平均厚度优选4μm以上且15μm以下。通过将所述研磨层的平均厚度设为所述范围内，可抑制制造成本并且提高耐久性。所述研磨粒子可为二氧化硅粒子。二氧化硅粒子为适于光纤连接器的连接端面要求小的表面粗糙度的最终精饰工序的研磨粒子，因此通过使用二氧化硅粒子，可维持研磨精度并且进一步赋予高磨削力。这里，“磨耗量”是准备3个试片样本(平均直径为100mm，平均厚度为0.08mm以上且0.09mm以下)，使用泰伯磨耗试验机在负重4.9N、转速72rpm及磨耗轮CS-10的条件下使各试片转50圈，测定转50圈前后的试片的质量差并加以平均所得的值。另外，所谓“一次粒子”，是指根据外观上的几何学形态进行判断而可认为是单位粒子的粒子，所谓“一次粒径”，是指使用利用扫描式电子显微镜(ScanningElectronMicroscope，SEM)或穿透式电子显微镜(Transmissionelectronmicroscope，TEM)所观察的粒子的图像而测定的一个粒子的粒径，所谓“粒子的粒径”，是指与该粒子的图像外接的最小的圆的直径。专利技术的效果像以上所说明那样，本专利技术的研磨膜具有高磨削力，且不易产生由研磨中的负重条件变动所致的光纤连接器的端面不良。因此，该研磨膜可合适地用于光纤连接器的精饰研磨工序。附图说明图1为本专利技术的实施方式的研磨膜的示意性截面图。图2为表示研磨层的磨耗量与研磨后的光纤连接器的良品率的关系的图表。具体实施方式以下，一面适当参照附图一面对本专利技术的实施方式加以详细说明。<研磨膜>图1所示的研磨膜具有基材膜10及层叠在该基材膜10的表面侧的研磨层20。(基材膜)所述基材膜10的材质并无特别限定，较佳为具有适度的刚性且确保与研磨层20的良好的粘接性或密接性的材质。这种材质可使用众所周知的热塑性树脂，例如可举出丙烯酸系、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalate，PET)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚乙烯(Polyethylene，PE)等。也可使用PET、PP、PE等的双轴延伸膜作为基材膜10。另外，也可对基材膜10的表面进行化学处理、电晕处理、底漆(primer)处理等提高粘接性的处理。所述基材膜10的大小及平面形状并无特别限制，例如可设为127mm×127mm的方形状或直径127mm的圆形状。另外，也可为利用单一的支撑体来支撑并排配置在平面上的多个基材膜10的构成。所述基材膜10的平均厚度并无特别限制，例如可设为30μm以上且150μm以下。在所述基材膜10的平均厚度小于所述下限的情况下，可能该研磨膜的强度或平坦性不足。另一方面，在所述基材膜10的平均厚度超过所述上限的情况下，可能该研磨膜不必要地变厚而处理变困难。(研磨层)研磨层20含有研磨粒子21及其粘合剂22。所述研磨层20的平均厚度的下限优选4μm，更优选5μm。另外，所述研磨层20的平均厚度的上限优选15μm，更优选10μm，进而优选8μm。在所述研磨层20的平均厚度小于所述下限的情况下，可能该研磨膜的耐久性不足。另一方面，在所述研磨层20的平均厚度超过所述上限的情况下，可能该研磨膜不必要地变厚，原材料的使用量增加，制造成本上升。研磨层20的由泰伯磨耗试验所致的磨耗量的下限为10mg，更优选12mg，进而优选13mg。另外，研磨层20的由泰伯磨耗试验所致的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨膜，具有基材膜及层叠在所述基材膜的表面侧的研磨层，并且所述研磨膜的特征在于：所述研磨层含有研磨粒子及其粘合剂，所述研磨层的由泰伯磨耗试验所得的磨耗量为10mg以上且25mg以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.21 JP 2014-1686801.一种研磨膜，具有基材膜及层叠在所述基材膜的表面侧的研磨层，并且所述研磨膜的特征在于：所述研磨层含有研磨粒子及其粘合剂，所述研磨层的由泰伯磨耗试验所得的磨耗量为10mg以上且25mg以下。2.根据权利要求1所述的研磨膜，其中所述研磨层中的所述研磨粒子的含量为85质量％以上。3.根据权利要求1所述的研磨膜，其中所述研磨粒子包含一次粒径为10nm以上且小于50nm的第一研磨粒子及一次粒径为5...

【专利技术属性】
技术研发人员：田浦歳和，西藤和夫，
申请(专利权)人：阪东化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP