【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制程，更具体地说，涉及半导体制程中的浅沟槽隔离STI制程。
技术介绍
浅沟隔离(Shallow Trench Isolation ) STI在半导体制程中得到了约 来越多的应用。浅沟隔离中需要注意的一个问题是空洞(void)的产生。 浅沟隔离会使用高深宽比的沟槽，因此，在进行沉积的时候，容易在沟槽 侧壁的肩部产生氧化物的堆积。当氧化物堆积达到一定程度的时候，就会 封闭沟槽的开口 ，使得在沟槽内部尚未沉积氧化物的部分形成空洞。沟槽中的空洞会造成诸如器件桥接等的严重问题，会很大地影响器件 的性能以及可靠性。通常，空洞的形成与下述的因素有关1 )有源区(Active Area ) AA的尺寸；2) 有源区的深度；3) 有源区的外形轮廓；4) STI-HDP的沉积能力。在现有的技术中，为了避免空洞的出现，需要仔细考虑上述的每一个 方面，这是十分复杂的工作。并且，由于在沉积的过程中会受到很多其他 因素的影响，空洞有时还是会出现。于是，需要一种简便易行，但是能有效消除空洞的技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能有效消除空洞的技术，在HDP过程中...
【技术保护点】
一种浅沟隔离ＳＴＩ制程，包括： 在ＳＴＩ的高密度等离子体沉积ＨＤＰ过程中增加开口的刻蚀步骤，增加开口的宽度。
【技术特征摘要】
1.一种浅沟隔离STI制程，包括:在STI的高密度等离子体沉积HDP过程中增加开口的刻蚀步骤，增加开口的宽度。2. 如权利要求1所述的STI制程，其特征在于，在HDP过程中增加湿法刻蚀步骤，刻蚀开口中多余的氧化物，增加开 口的宽度。3. 如权利要求2所述的STI制程，其特征在于，该制程包括 第一阶段HDP，在浅沟槽中沉积氧化物；湿法刻蚀步骤，移除位于浅沟槽开口肩部的多余氧化物，增加开口的 宽度；第二阶段H D...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙昌，王艳生，廖奇泊，王蕾，郭君，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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