等离子体显示装置及其面板结构制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体显示装置及其面板结构。主要目的在于利用吸附层吸附在抽气过程中集中于通气孔附近及抽气－灌气管内的不纯物质，避免因抽气－烘烤步骤控制不当或残留于抽气－灌气管孔隙中的不纯物质通过后续的灌气或封管步骤再进入显示区域内而造成等离子体显示单元的放电特性异常，以进一步防止出现等离子体显示装置局部区域图象质量不均的现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体显示装置的结构，尤其涉及一种改善等离子体显示单元放电特性的等离子体显示装置的结构。
技术介绍
近年来，不断开发出了各种新型平面显示器(flat panel display，FPD)，例如液晶显示器(liquid crystal display，LCD)、有机发光显示器(organic lightemitting diode，OLED)及等离子体显示器(plasma display panel，PDP)，且有渐渐取代传统阴极射线管(cathode ray tube，CRT)的趋势。其中，等离子体显示器是一种借助于气体放电发光的平面显示器，其最大的特点是轻、薄、易大型化且无视角问题。请参照图1A至1C，它们示出了现有的等离子体显示装置的封装过程。如图1A所示，当等离子体显示装置的前基板14与后基板12以一胶材20完成组装后，需在后基板12的通气孔30上借助于封合材料22设置抽气-灌气管40，接着用抽气-灌气装置50对组合面板10进行抽气-烘烤工艺，以除去不纯物质60(impurity)。当组合面板10达到一定真空度后，如图1B所示，放电气体经由抽气-灌气管40填入组合面板10的显示区域70间。在完成灌气过程后，如图1C所示，以加热的方式融化抽气-灌气管40，使抽气-灌气管40缩口。在传统的等离子体显示器制造过程中，如形成阻隔壁或封合材料的过程中，往往不可避免地要使用有机溶剂，而且还将产生废气。然而，在等离子体显示器的抽气-烘烤的过程中，不纯物质60易被气流80带至抽气-灌气管40口及通气孔30附近。因此，若抽气-烘烤步骤控制不当或抽气-灌气管40本身存有孔隙(pin hole)，不纯物质60将通过充填放电气体时所产生的气流80进入组合面板10之间并进一步残留于显示区域70内，如此一来，所述不纯物质将污染显示区域70内的等离子体显示单元，并严重影响等离子体显示单元的放电特性(discharge characteristic)，尤其在通气孔30附近，因而导致局部区域出现图象质量及显示特性不均以及异常现象。因此，降低等离子体显示器内残留的不纯物与放电气体的比例、以避免等离子体显示单元放电特性异常现象发生是等离子体显示装置制造过程中一项急待解决的任务。
技术实现思路
鉴于此，为了解决上述问题，本专利技术的主要目的在于利用吸附层吸附在抽气过程中集中于通气孔附近及抽气-灌气管内的不纯物质，避免因抽气-烘烤步骤控制不当或残留于抽气-灌气管孔隙中的不纯物质经由后续的灌气或封管步骤再进入显示区域内而造成等离子体显示单元的放电特性异常，以进一步防止出现等离子体显示装置局部区域图象质量不均的现象。为实现上述目的，本专利技术提供一种等离子体显示装置的面板结构，该结构可使等离子体显示装置的显示区域维持均匀放电的特性。所述等离子体显示装置的面板结构包括一基板、一通气孔及一吸附层，其中，所述基板具有一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反侧；所述通气孔由所述基板的第一表面贯穿至所述基板的第二表面；所述吸附层形成于与所述通气孔相邻的所述基板的第一表面上。根据本专利技术的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述吸附层形成于与所述通气孔相邻的所述基板的第一表面并可进一步延伸至所述通气孔的部分或全部侧壁上；且所述吸附层还可进一步被形成于与所述通气孔相邻的所述基板的第二表面上，所述基板可为等离子体显示装置的后基板(rearplate)。本专利技术等离子体显示装置的面板结构的另一种形式是，其至少包括一基板、一通气孔、一抽气-灌气管及一第一吸附层，其中，所述基板具有一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反侧；所述通气孔由所述基板的第一表面贯穿至基板的第二表面；所述抽气-灌气管以一封合材料结合于所述基板的第一表面上，且所述抽气-灌气管覆盖包括所述通气孔的所述基板；所述第一吸附层形成于所述抽气-灌气管内的侧壁上。本专利技术的等离子体显示装置的面板结构还可包括一第二吸附层，所述第二吸附层可形成于被所述抽气-灌气管所覆盖的所述基板的第一表面上，其中，该第二吸附层形成于所述基板的第一表面的范围可包括抽气-灌气管所涵盖的基板的第一表面的范围；所述第二吸附层亦可被形成并延伸至所述通气孔的侧壁；该第二吸附层还可被形成在与所述通气孔相邻的所述基板的第二表面上。所述第二吸附层可由与所述第一吸附层相同的材料构成。本专利技术所提供的等离子体显示装置，包括本专利技术的所述等离子体显示装置的面板结构。所述等离子体显示装置至少包括一第一基板、一第二基板、一封合层、一显示区域、一通气孔及一第一吸附层，其中所述第一基板具有一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反侧；所述第二基板可配置于所述第一基板的下方，并以一第三表面与所述第一基板的第二表面相对；所述封合层形成于所述第一基板与所述第二基板的四周，用以封装/组合所述第一基板与第二基板，并形成一封合空间；所述显示区域形成于所述第一基板的第二表面及所述第二基板的第三表面之间的封合空间内；所述通气孔由所述显示区域之外的所述第一基板的第一表面贯穿至所述第二表面；所述第一吸附层形成于与所述通气孔相邻的所述第一基板的第一表面。根据本专利技术的等离子体显示装置，其中，所述第一吸附层形成于与所述通气孔相邻的所述第一基板的第一表面并可进一步延伸至所述通气孔的侧壁。此外，所述第一吸附层还可进一步被形成在与所述通气孔相邻的所述第一基板的第二表面上。本专利技术所述的等离子体显示装置，还可包括一抽气-灌气管及一第二吸附层，其中，所述抽气-灌气管以一封合材料结合于所述第一基板的第一表面上，并覆盖所述通气孔；所述第二吸附层形成于所述抽气-灌气管内的侧壁上。此外，所述第二吸附层可由与所述第一吸附层相同的材料构成。为使本专利技术的上述目的、特征更明显易懂，下文特举优选实施方式并结合附图作详细说明。附图说明图1A至1C示出了现有的等离子体显示装置的封装过程；图2示出了本专利技术等离子体显示装置的面板结构的一优选实施方式；图3是对本专利技术一优选实施方式的等离子体显示装置面板结构进行组装的示意图； 图4是对本专利技术另一优选实施方式的等离子体显示装置面板结构进行组装的示意图；图5示出了本专利技术等离子体显示装置面板结构的另一优选实施方式；图6至9示出了本专利技术的等离子体显示装置面板结构的其它优选实施方式；图10是本专利技术等离子体显示装置一优选实施方式的剖面结构示意图。附图标记说明10 组合面板12 后基板14 前基板 20 胶材22 封合材料30 通气孔40 抽气-灌气管 50 抽气-灌气装置60 不纯物质70 显示区域80 气流方向100 面板结构110 基板112 第一表面114 第二表面116 第三表面120 通气孔 122 通气孔侧壁130 吸附层 132 第二吸附层14 封合层 150 前基板160、166抽气-灌气管 162 抽气-灌气管侧壁170 封着材料190 显示区域200 等离子体显示装置210 后基板250 前基板具体实施方式本专利技术的改善了等离子体显示单元放电特性的等离子体显示装置的面板结构的特点在于在基板的通气孔附近的区域及(或)抽气-灌气管的内侧形成一吸附层，当进行抽气-灌气及封管步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示装置的面板结构，包括：一基板，该基板具有一第一表面及一位于所述第一表面的相反侧的第二表面；一通气孔，该通气孔由所述基板的所述第一表面贯穿至所述第二表面；以及一第一吸附层，该吸附层形成于与所述通气孔相邻 的所述基板的所述第一表面上。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体显示装置的面板结构，包括一基板，该基板具有一第一表面及一位于所述第一表面的相反侧的第二表面；一通气孔，该通气孔由所述基板的所述第一表面贯穿至所述第二表面；以及一第一吸附层，该吸附层形成于与所述通气孔相邻的所述基板的所述第一表面上。2.如权利要求1所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第一吸附层进一步延伸至所述通气孔的侧壁。3.如权利要求1所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第一吸附层进一步形成于与所述通气孔相邻的所述基板的第二表面上。4.如权利要求1所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第一吸附层的材料包括镁化物、铝化物或锆化物。5.如权利要求1所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第一吸附层的材料为氧化镁。6.如权利要求1所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，还包括一抽气-灌气管，该抽气-灌气管一端封合，一端与所述通气孔连通。7.如权利要求6所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，还包括一形成于所述抽气-灌气管的侧壁上的第二吸附层。8.如权利要求6所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第一吸附层形成在所述基板的第一表面的范围内，该范围不小于所述抽气-灌气管所涵盖的所述基板的第一表面的范围。9.如权利要求7所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第二吸附层由与所述第一吸附层相同的材料构成。10.一种等离子体显示装置的面板结构，包括一基板，该基板具有一第一表面及一位于所述第一表面的相反侧的第二表面；一通气孔，该通气孔由所述基板的所述第一表面贯穿至所述第二表面；一抽气-灌气管，该抽气-灌气管以一封合材料结合于所述基板的所述第一表面上，并覆盖所述通气孔；以及一第一吸附层，该第一吸附层形成于所述抽气-灌气管内的侧壁上。11.如权利要求10所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，还包括一形成于被所述抽气-灌气管所覆盖的所述基板的所述第一表面上的第二吸附层。12.如权利要求11所述的等离子体显示装置的面板结构，其中，所述第二吸附层形成于所述基板的所述第一表面的范围内，该范围不小于所述抽气-灌气管涵盖的所述基板的所述第一表面的范围...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏丞，吴俊翰，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]