等离子显示器的前板与后板构造制造技术

本发明专利技术提供一种等离子显示器的前板与后板构造，亦即形成在阻隔壁的相对位置形成软化点低于阻隔壁的缓冲层或是缓冲结构，以便前板与后板加热密封时，修正阻隔壁的高低差异。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子显示器(plasma display panel；PDP)的后板(rearpanel)构造以及前板(front panel)构造，特别是涉及一种能够改善阻隔壁(barrier rib)高低差异的等离子显示器的后板以及前板构造。近年来各种平面显示器(flat panel display；FPD)，例如液晶显示器(liquidcrystal display；LCD)、等离子显示器的设计开发，有渐渐取代传统阴极射线管(cathode ray tube；CRT)的趋势。其中，等离子显示器是一种藉由气体放电来产生发光的平面显示器，其最大的特色是轻、薄、易大型化且无视角问题。PDP等离子显示面板的阻隔壁例如是利用网版印刷(screen printing)法配合喷砂法(sandblast)形成，通常形成的阻隔壁具有高度差的问题，例如最高阻隔壁与最低阻隔壁相差大约±10μm左右，因此在前后板密封过程中，可能导致部分较高的阻隔壁受到过大的应力而破裂(crack)、损坏的情形。美国专利第5754003号揭露一种放电显示装置，请参考图6，其中在每一个阻隔壁的相对位置利用软化点较低的高度调整层32，来避免阻隔壁高度差所衍生的问题，然而此高度调整层32的尺寸的量不易控制，有可能在高温时溢流向萤光层(Phosphor layer)，而产生点缺陷(point defects)。有鉴于此，业界亟需提供一种等离子显示器的前板以及后板构造，以改善传统的阻隔壁高度落差的问题，并且此前板构造以及后板构造不会产生萤光层的点缺陷。根据上述目的，本专利技术提供一种等离子显示器的后板构造，包括一后玻璃基板；一介电层，形成于该后玻璃基板的表面；一阻隔壁，形成于该介电层的表面；以及一缓冲层，邻接于该阻隔壁，并且该缓冲层的软化点低于该阻隔壁的软化点。另外，上述缓冲层可以镶嵌于该阻隔壁之中，或是形成于该阻隔壁的底面。再者，上述缓冲层的尺寸最好小于与其接触的阻隔壁的尺寸，以便密封时缓冲层有更足够的扩张空间，不致溢流。再者，上述缓冲层与该阻隔壁的软化点(softening point)相差大约20～100℃，最好是相差20～30℃之间。缓冲层的材料为氧化物掺合物，例如包括氧化铋、氧化锂、氧化钠、氧化钙等。根据上述目的，本专利技术提供另一种等离子显示器的前板构造，适用于形成有一阻隔壁的后板，包括一前玻璃基板；一缓冲结构，形成于该阻隔壁的相对位置的该前玻璃基板表面，并且该缓冲结构的软化点小于该阻隔壁的软化点；以及一介电层，形成于该前玻璃基板表面，并且覆盖该缓冲结构。并且，上述介电层在相对于该缓冲结构的位置最好形成有一凹陷部。再者，上述等离子显示器的前板构造，其中还包括一保护层，形成于该介电层表面。根据上述目的，本专利技术还提供另一种等离子显示器的前板构造，适用于形成有一阻隔壁的后板，包括一前玻璃基板；一介电层，形成于该前玻璃基板的表面；一缓冲结构，形成于该阻隔壁的相对位置的该介电层表面，并且该缓冲结构的软化点小于该阻隔壁的软化点；及一保护层，形成于该介电层的表面，并且覆盖该缓冲结构。附图说明图1A～图1D或1D’为根据本专利技术第一实施例的等离子显示器的后板制程剖面图。图2A～图2D或2D’为根据本专利技术第二实施例的等离子显示器的后板制程剖面图。图3A～图3C为根据本专利技术第三实施例的等离子显示器的制程剖面图。图4A～图4C为根据本专利技术第四实施例的等离子显示器的制程剖面图。图5A～图5B为根据本专利技术第五实施例的等离子显示器的制程剖面图。图6为现有技术的等离子显示器面板截面图。10、90～后玻璃基板。12、92～资料电极(data electrode)。14、54、62、94～介电层。16、16a、20、20a、34、34a～阻隔壁材料层。32～高度调整层18、18a、18b、30、30a、30b～缓冲层。R、R1～R4～阻隔壁。22～凹处。p～凸处。50、60～前玻璃基板。52、52a、64、64a～缓冲结构。56、66～保护层。58～凹陷部。96～萤光层。(Phosphor)第一实施例以下利用第1A图～第1D图或第1D’图所示的等离子显示器的后板制程剖面图，以说明本专利技术第一实施例所得到的等离子显示器的后板构造。首先，请参照图1A，此图显示形成于后玻璃基板10表面的资料电极12，以及覆盖于上述后玻璃基板10的介电层14。接着，利用传统印刷技术在介电层14表面形成第一阻隔壁材料层16以及厚度大约为10μm的缓冲层(buffer layer)18，然后，再形成第二阻隔壁材料层20，使得第一、二阻隔壁材料层的总厚度达到大约120μm。其中缓冲层18的材料的软化点大约450～500℃之间，再者其软化点比阻隔壁材料层16、20的软化点低大约20～30℃之间。其次，在既定位置形成幕罩(图未显示)，然后利用喷砂法选择性地去除第二阻隔壁材料层20、缓冲层18、以及第一阻隔壁材料层16，以形成由第二阻隔壁材料20a、缓冲材料18a、以及第一阻隔壁材料16a构成的阻隔壁R1，上述缓冲材料18a镶嵌于阻隔壁材料16a、20a之间，本实施例藉由缓冲材料的软化点低于阻隔壁材料，使得前后板密封时缓冲材料在较低温度软化，而达到调整阻隔壁高度的效果。若是在喷砂过程中，选择缓冲层18的喷砂率(Sandblast Rate)大于阻隔壁材料层16与20的喷砂率的操作条件，则会形成图1D’所示具有凹处22的阻隔壁R2，此阻隔壁R2由阻隔壁材料20a、缓冲材料18b、以及阻隔壁材料16a构成，其中缓冲材料18b的尺寸小于与其接触的阻隔壁材料20a与16a的尺寸，此凹处22提供缓冲层18扩张的空间，能够在前后板密封时防止缓冲层18溢流。如此该第二阻隔材料层20a具有一顶部，且该缓冲层18b设置于该第二阻隔材料层20a顶部下方，且该缓冲层18b尺寸较小，可免于现有技术前后板密封时缓冲层18溢流的缺点。第二实施例以下利用图2A～图2D或图2D’所示的等离子显示器的后板制程剖面图，以说明本专利技术第二实施例所得到的等离子显示器的后板构造。首先，请参照图2A，此图显示形成于后玻璃基板10表面的资料电极12，以及覆盖于上述后玻璃基板10的介电层14。接着，利用传统印刷技术在介电层14表面形成厚度大约为10□m的缓冲层(buffer layer)30，然后，再形成厚度大约为120□m的阻隔壁材料层34。其次，利用喷砂法选择性地去除阻隔壁材料层34、缓冲层30，以形成由阻隔壁材料34a、缓冲材料30a、构成的阻隔壁R3，上述缓冲材料30a位于阻隔壁材料34a的底面，本实施例藉由缓冲材料的软化点低于阻壁材料，使得前后板密封时缓冲材料在较低温度软化，而达到调整阻隔壁高度的效果。若是在喷砂过程中，选择缓冲层30的喷砂率(Sandblast Rate)大于阻隔壁材料层30的喷砂率，则会形成图2D’所示具有凹处34的阻隔壁R4，此阻隔壁R4由阻隔壁材料34a、缓冲材料30b构成，其中缓冲材料30b的尺寸小于与其接触的阻隔壁材料34a的尺寸。第三实施例以下利用图3A～图3C所示的等离子显示器的制程剖面图，以说明本专利技术第三实施例所得到的等离子显示器的前板构造。首先，请参照图3A，此图显示前玻璃基板50，而符号52表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子显示器的后板构造，包括：一第一玻璃基板；一介电层，形成于该后玻璃基板的表面；一阻隔壁，形成于该介电层的表面，该阻隔壁具有一顶部；以及一缓冲层，设置于该阻隔壁顶部下方，并且该缓冲层的软化点小于该阻隔壁的软化点，当 该后板与一前板加热密封时，该缓冲层可在较低温度软化，而达到调整该前板与后板间该阻隔壁高度的效果。

【技术特征摘要】
1.一种等离子显示器的后板构造，包括一第一玻璃基板；一介电层，形成于该后玻璃基板的表面；一阻隔壁，形成于该介电层的表面，该阻隔壁具有一顶部；以及一缓冲层，设置于该阻隔壁顶部下方，并且该缓冲层的软化点小于该阻隔壁的软化点，当该后板与一前板加热密封时，该缓冲层可在较低温度软化，而达到调整该前板与后板间该阻隔壁高度的效果。2.如权利要求1所述的等离子显示器的后板构造，其中该阻隔壁还包括一第一阻隔材料层与一第二阻隔材料层，而该缓冲层镶嵌于第一阻隔材料层与该第二阻隔材料层中间。3.如权利要求1所述的等离子显示器的后板构造，其中该缓冲层镶嵌于该阻隔壁与该介电层中间。4.如权利要求1所述的等离子显示器的后板构造，其中该缓冲层镶的厚度为10μm。5.如权利要求2所述的等离子显示器的后板构造，其中该缓冲层的尺寸小于该阻隔壁。6.如权利要求3所述的等离子显示器的后板构造，其中该缓冲层的尺寸小于该阻隔壁。7.如权利要求1所述的等离子显示器的后板构造，其中该缓冲层与该阻隔壁的软化点相差20～100℃。8.如权利要求7所述的等离子显示器的后板构造，其中该缓冲层与该阻隔壁的软化点相差20～30℃。9.一种等离子显示器的前板构造，适用于形成有一阻隔壁的后板，包括一第一玻璃基板；一缓冲结构，形成于该阻隔壁的相对位置的该第一玻璃基板表面，并且该缓冲结构的软化点小于该阻隔壁的软化点；以及一介电层，形成于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋文发，苏耀庆，卢金钰，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]