等离子体显示板及其驱动方法技术

确保表面放电电极的奇偶行维持脉冲的相位相反，以一种电极驱动电路实现隔行扫描。当奇行或偶行显示时，未显示行电极间的电压为零，不必在表面放电电极上使用隔墙。将Ｘ电极设于Ｙ电极的两侧，Ｙ电极和一侧Ｘ电极分配奇数帧显示行，和另一侧Ｘ电极分配偶数帧显示行。表面放电电极间隔区构成盲行，盲行的放电光发射被阻挡或者说射入盲行的入射光被吸收。为每一单色像素提供地址电极并可选地与其上方的焊盘相连，以对行同时选择。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种表面放电AC(交流型)。
技术介绍
等离子体显示板(PDP)因可自行发光而具备优良的可视性，厚度薄，可用于大屏幕及高速显示。由于上述种种理由，把它用作为CRT显示的替代品一事，正受到人们的高度重视。特别是平面放电式的ACPDP适用于全彩色显示。于是，很有希望把它用于高清晰感领域，也增长了对高质量图像的需求。通过产生出较高的分辨率、更多的灰度等级、较好的亮度、在黑色区域中有较低的亮度，同时产生出较高的对比度等方法，就可获得较高质量的图像。缩小像素间距可获得高分辨率，增加一帧内的子域数可获得更多灰度等级，增长持续放电的时间可获得较高亮度，而较深黑色区域中的较低亮度则可以通过减少消隐周期中的光发射量来实现。图30给出了现有技术中一种表面放电AC等离子体显示板10P的示意性结构。于两块彼此面对的玻璃基片中，在面对观察者一侧的玻璃基片上，电极X1～X5以等间距且彼此平行的形式形成，而电极Y1～Y5彼此平行地形成并与相应电极X1～X5组成平行对。在另一块玻璃基片上形成有地址电极A1～A6，它们与上述电极垂直并且涂有磷光体。在彼此面对的这两块玻璃基片之间，隔墙171～177和隔墙191～196彼此交叉面网格状，以确保不会因一个象素放电影响到邻近象素而造成错误显示。表面放电PDP的一个优点是，磷光体不会在其上的离子碰撞而减少，这是因为放电发生于同一表面的相邻电极之间。然而，由于对每条显示行L1～L5都提供有一对电极，因而像素间距的可减小程度受到了限制并成为达到高分辨率的障碍。此外，由于具有大量电极，驱动电路的规模也一定很大。为解决这一问题，日本专利公告No.5-2993和No.2-220330中公开了一种PDP 10Q，如图31所示。PDP 10Q中，隔墙191～199设置于电极X1～X5和Y1～Y4的中心线上，这些电极是表面放电电极，而且除两侧的电极X1和X5外，电极X2～X4和电极Y1～Y4为在地址电极方向上邻接的显示行所公用。这样，电极数量几乎减半，像素间距得以减小，与图30所示PDP相比可取得更高的分辨率。并且驱动电路的规模也可以减半。然而，在以上所引的两件专利文献中，由于对显示行L1～L8的写入是以线性次序进行，因而如果去掉隔墙191～199，放电将影响地址电极方向上的相邻像素而导致错误显示。于是就不能去掉隔墙191～199，这便成为减小像素间距以获得高分辨率的一个障碍。而且，也不容易在电极的中心线上设置隔墙191～199，因而生产PDP 10Q将是昂贵的。另外，在上述文献中，没有公开电极所使用电压的特定波形，从而这一专利技术无法实用化。为了使除去在表面放电电极方向上工作的隔墙成为可能，在图30所示结构中必须加大隔墙191～196中每一个的两侧电极之间的距离，其结果减小了这两个电极之间的电场效应。结果使像素间距增大，难以获得较高分辨率。例如，电极Y1和X2(非显示行)之间的距离为300μm，而这时电极Y1和X2(显示行)之间的距离为50μm。另外，在消隐周期中，由于全屏(所有像素)放电发射光，增加了黑色显示区域的亮度，从而降低了显示质量。而且，由于磷光体为白色或亮灰色，因而在观察PDP上亮区的图像时，外来的入射光会反射到非显示行中的磷光体上，因而降低了图像的对比度。此外，由于一次只能寻址一条线，因而地址线不能减少，而且不可能通过增加子域的数目来获得更多的灰度等级或者通过增加持续放电的次数来获得较高亮度。
技术实现思路
为此，本专利技术总的目的便是去提供一种。具体地说，本专利技术的第一目的是去提供一种驱动等离子体显示板的方法以便进一步减小像素间距而获得较高分辨率。本专利技术的第二目的是去提供一种，可以提高在消隐周期中因全屏(所有像素)放电光发射而降低的黑色显示质量。本专利技术的第三目的是去提供一种，可以通过减少来自非显示行的反射光来提高图像对比度。本专利技术的第四目的是去提供一种，可以通过同时寻址多条地址线以减小寻址周期来提高灰度等级数和亮度。根据本专利技术，提供了一种等离子体显示板，包括基片、在所述基片上相互间同时形成的地址电极束以及与所述地址电极束交叉并以一定距离形成的扫描电极用于放电，其中每一个所述地址电极束包括在所述基片上相互间同时形成的、对应于一个单色像素列的m(m≥2)个地址电极；沿所述m个地址电极纵向放置的焊盘，所述焊盘对应于各自的单色像素，所述焊盘相对于所述基片位于所述m个地址电极之上；以及电接头，每一个电接头沿所述m个地址电极的所述纵向以某种模式将一个所述焊盘电连接到一个所述地址电极。通过同时选择与m条地址电极连接的焊盘相交叉的m条扫描电极，并且通过同时向m条地址电极施加相应于显示数据的电压，可以实现扫描电极的m条线的成组扫描。可同时对多条线进行同时寻址，从而可缩短寻址周期，因此，通过增加子域数量，就有可能获得更大量的灰度等级或者通过增加持续放电的次数有可能获得更高的亮度。附图说明图1示意地表明了依据本专利技术第一实施例中表面放电PDP的结构；图2的透视图示出了图1所示PDP中彩色像素相对的表面之间的区域展开后的状态；图3为图1所示PDP的沿电极X1的彩色像素的纵剖面图；图4的框图示意性地给出了依据本专利技术第一实施例的等离子体显示设备的结构；图5给出了一种帧的结构；图6(A)和6(B)给出了寻址周期中显示行扫描的顺序；图7为施加于一个奇数区中电极的电压波形图，用于说明驱动依据本专利技术第一实施例的PDP的一种方法；图8为施加于一个偶数区中电极的电压波形图，用于说明驱动依据本专利技术第一实施例的PDP的方法；图9的框图示意性地给出了依据本专利技术第二实施例的等离子体显示设备的结构；图10为施加于一个奇数区中电极的电压波形图，用于说明驱动依据本专利技术第二实施例的PDP的一种方法；图11为施加于一个偶数区中电极的电压波形图，显示了驱动依据本专利技术第二实施例的PDP的方法；图12的框图示意性地给出了依据本专利技术第三实施例的等离子体显示设备的结构；图13的框图示意性地给出了依据本专利技术第四实施例的等离子体显示设备的结构；图14示出了来自图13中维持电路31和32的输出电压波形和施加于图7奇数区中地址电极的电压波形；图15的框图示意性地给出了依据本专利技术第五实施例的等离子体显示设备的结构；图16为施加于奇数区中电极的电压波形图，用于说明驱动依据本专利技术第六实施例的PDP的一种方法；图17为施加于偶数区中电极的电压波形图，用于说明驱动依据本专利技术第六实施例的PDP的方法；图18的框图示意性地给出了依据本专利技术第七实施例的等离子体显示设备的结构；图19为图18所示PDP的一部分沿地址电极的纵剖面图；图20示出了寻址周期中显示行扫描的顺序；图21显示了一种帧的结构；图22为施加于奇数帧中电极的电压波形图，用于说明驱动依据本专利技术第七实施例的PDP的方法；图23为施加于一个偶数帧中电极的电压波形图，用于说明驱动依据本专利技术第七实施例的PDP的方法；图24为第八实施例中PDP的一部分沿一个地址电极的纵剖面图；图25显示了依据本专利技术第九实施例的表面放电PDP的示意性结构；图26为施加于电极的示意性电压波形图，显示了驱动依据本专利技术第九实施例的PDP的一种方法；图27(A)为依据本专利技术第十实施例的地址电极的平面图，图27(B)～27(E)为图27(A)分别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示板，包括：基片、在所述基片上相互间同时形成的地址电极束以及与所述地址电极束交叉并以一定距离形成的扫描电极用于放电，其中每一个所述地址电极束包括： 在所述基片上相互间同时形成的、对应于一个单色像素列的ｍ（ｍ≥２）个地址电极； 沿所述ｍ个地址电极纵向放置的焊盘，所述焊盘对应于各自的单色像素，所述焊盘相对于所述基片位于所述ｍ个地址电极之上；以及 电接头，每一个电接头沿所述ｍ个地址电极的所述纵向以某种模式将一个所述焊盘电连接到一个所述地址电极。

【技术特征摘要】
JP 1995-8-3 198417/1995;JP 1995-10-4 284541/19951.一种等离子体显示板，包括基片、在所述基片上相互间同时形成的地址电极束以及与所述地址电极束交叉并以一定距离形成的扫描电极用于放电，其中每一个所述地址电极束包括在所述基片上相互间同时形成的、对应于一个单色像素列的m(m≥2)个地址电极；沿所述m个地址电极纵向放置的焊盘，所述焊盘对应于各自的单色像素，所述焊盘相对于所述基片位于所述m个地址电极之上；以及电接头，每一个电接头沿所述m个地址电极的所述纵向以某种模式将一个所述焊盘电连接到一个所述地址电极。2.一种驱动等离子体显示板的方法，所述等离子体显示板包括基片；在所述基片上相互间同时形成的地址电极束；以及与所述地址电极束交叉并以一定距离形成的扫描电极用于放电，其中每一个所述地址电极束包括在所述基片上相互间同时形成的、对应于一个单色像素列的m(m≥2)个地址电极；沿所述m个地址电极的纵向放置的焊盘，所述焊盘对应于各自的单色像素，所述焊盘相对于所述基片位于所述m个地址电极之上；以及电接头，每一个电接头沿所述m个地址电极的纵向以某种规则方式将一个所述焊盘电连接到一个所述地址电极，所述方法包括以下步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井智之，広濑忠继，金沢义一，上田嘉男，岸智胜，富尾重寿，浅见文孝，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]