【技术实现步骤摘要】
用于晶圆自动旋转的装置及设备
[0001]本揭露涉及半导体晶圆加工领域，尤其涉及半导体晶圆薄膜沉积及真空制造技术。
技术介绍
[0002]半导体制程可包含沉积处理，例如化学气相沉积(CVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等，用以在晶圆或基材上形成各种薄膜以制备半导体装置，例如集成电路及半导体发光装置。通常使用加热盘对晶圆加热以促进沉积处理。
[0003]决定半导体器件性能的一个重要因素在于，沉积在晶圆上的薄膜均匀性。例如，均匀地沉积薄膜可使得晶圆表面的厚度变化达最小化。然而，膜均匀性可受到若干不利因素的影响，例如包括加热器温度、腔室几何形状、工艺气流非均匀性以及等离子体非均匀性等。这些因素均可能导致非均匀膜沉积在晶圆表面上，从而降低器件性能。特别地，在沉积过程中，晶圆受热不均匀可严重影响晶圆薄膜沉积的均匀性。
[0004]为此，发展出使晶圆在沉积过程中在加热盘的上方旋转以获得均匀受热的技术，从而提升薄膜的均匀性。然而，现有的腔内晶圆旋转机构通常结构件较为复杂，运动过程中涉及的零部件较多，导致运动过程...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆旋转装置，其包含：晶圆支撑架，其经配置以沿晶圆的外周界承托并固持所述晶圆；以及旋转单元，其经配置以承托并固持所述晶圆支撑架，所述旋转单元与所述晶圆支撑架在加工期间保持相对位置固定。2.根据权利要求1所述的晶圆旋转装置，所述晶圆支撑架包含环状主体和突出部，所述突出部自所述环状主体的上方向心延伸以承托并固持所述晶圆。3.根据权利要求2所述的晶圆旋转装置，其中所述突出部包含与所述晶圆的下方凹口相匹配的凸点。4.根据权利要求2或3所述的晶圆旋转装置，其中所述突出部包含多个凸起元件。5.根据权利要求2或3所述的晶圆旋转装置，其中所述突出部包含与所述环状主体同心的环状结构。6.根据权利要求2或3所述的晶圆旋转装置，其中所述晶圆支撑架包含陶瓷材料。7.根据权利要求2或3所述的晶圆旋转装置，其中所述突出部的内边缘包含斜坡。8.一种晶圆加工设备，其包含：腔室；加热盘，其位于所述腔室内且经由连杆延伸至所述腔室的外部下方；旋转单元，其在所述腔室内，所述旋转单元围绕所述加热盘且连接至旋转单元支撑架并延伸至所述腔室的外部下方，所述旋转单元的顶部经由晶圆支撑架承托并固持晶圆；以及双套...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨德赞，杨华龙，吴凤丽，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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