本实用新型专利技术公开了一种用于芯片加工的低温氧化装置，包括底座，所述底座的顶端固定安装有等离子体腔，所述等离子体腔的左端固定安装有一端贯穿并延伸至等离子体腔内部的气体管道，所述气体管道的顶端相连通有位于等离子体腔外侧的气体流量器，所述气体管道的右端相连通有位于等离子体腔内部的汽体均分器，所述等离子体腔的内腔底端固定安装有数量为四个的支撑杆，四个所述支撑杆的顶端均与安装框相固定连接，安装框的顶端呈开口设置，所述等离子体腔的右端固定安装有真空泵，所述真空泵的输出端贯穿并延伸至等离子体腔的内部，所述安装框的内腔前侧壁固定安装有电动推杆。该用于芯片加工的低温氧化装置，具备氧化均匀的优点。点。点。
【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片加工的低温氧化装置
[0001]本技术涉及一种芯片加工
，具体是一种用于芯片加工的低温氧化装置。
技术介绍
[0002]芯片是半导体元件产品的统称，将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜集成电路，另有一种厚膜集成电路是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
[0003]目前市面上的芯片在进行低温氧化时，大多都放置在等离子体腔内部的载片台上，再通入气体到等离子腔体的内部，对其进行低温氧化处理，但是由于芯片的下表面与载片台的顶端相接触，容易导致芯片的下表面氧化不均匀，生产良率低，故而提出一种用于芯片加工的低温氧化装置来解决上述所提出的问题。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种用于芯片加工的低温氧化装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种用于芯片加工的低温氧化装置，包括底座，所述底座的顶端固定安装有等离子体腔，所述等离子体腔的左端固定安装有一端贯穿并延伸至等离子体腔内部的气体管道，所述气体管道的顶端相连通有位于等离子体腔外侧的气体流量器，所述气体管道的右端相连通有位于等离子体腔内部的汽体均分器，所述等离子体腔的内腔底端固定安装有数量为四个的支撑杆，四个所述支撑杆的顶端均与安装框相固定连接，安装框的顶端呈开口设置，所述等离子体腔的右端固定安装有真空泵，所述真空泵的输出端贯穿并延伸至等离子体腔的内部，所述安装框的内腔前侧壁固定安装有电动推杆，所述安装框的内腔前侧壁固定安装有位于电动推杆右方的固定杆，所述固定杆的右端转动连接有活动杆，所述安装框的内腔前侧壁滑动连接有位于活动杆右方的安装板，所述活动杆的右端滑动连接于安装板的左端，所述电动推杆的输出端固定安装有一端贯穿固定杆并与活动杆相滑动连接的横杆，所述安装板的右端转动连接有转杆，所述转杆的右端固定安装有第一矩形杆，所述安装板的右端固定安装有位于转杆前侧的电动机，所述电动机的输出端固定安装有第一齿轮，所述转杆的外部固定安装有与第一齿轮相啮合的第二齿轮，所述第一矩形杆的外部滑动连接有数量为两个的第一活动套，所述第一活动套的右端固定安装有第一夹持块，所述安装框的内腔前后侧壁均与第二矩形杆相固定连接，所述第二矩形杆位于第一矩形杆的右端，所述第二矩形杆的外部滑动连接有数量为两个的第二活动套，第二活动套的左端转动连接有第二夹持块，所述第一夹持块与第二夹持块的相对一侧均开设有数量为三个的夹持槽。
[0007]作为本技术再进一步的方案：所述安装框的内腔左侧壁开设有第一滑槽，所述横杆的左端固定安装有与第一滑槽相适配的第一滑块。
[0008]作为本技术再进一步的方案：所述活动杆的内部开设有滑动孔，所述横杆的顶端固定安装有位于滑动孔内部的T型杆。
[0009]作为本技术再进一步的方案：所述固定杆的右端固定安装有第一固定块，所述第一固定块的顶端转动连接有活动杆，所述安装板的左端开设有第二滑槽，所述第二滑槽的内部滑动连接有第二固定块，所述活动杆的另一端转动连接于第二固定块的顶端。
[0010]作为本技术再进一步的方案：所述安装框的内腔前侧壁固定安装位于固定杆右方的U型杆，所述U型杆的外部滑动连接有安装板。
[0011]作为本技术再进一步的方案：所述第一矩形杆的前表面和后表面均固定安装有限位块，所述限位块宽度大于第一矩形杆的宽度。
[0012]作为本技术再进一步的方案：相邻三个所述夹持槽的槽内高度从上至下逐渐减小。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0014]在使用时，可滑动第二矩形杆外部的两个第二活动套，调整两个第二活动套之间的距离，使其两个第二夹持块内部的夹持槽都能夹持住芯片，同时设置有数量为三个的夹持槽，可以适应于不同厚度和不同宽度的芯片，增强了其适用性，与此同时可启动电动推杆，电动推杆的输出端可带动横杆进行上移，在横杆上移的过程中可带动活动杆进行向后侧进行转动，在活动杆转动的同时就可通过第二固定块带动安装板沿着U型杆的长度的方向向右进行移动，当第一夹持块内部的夹持槽完全夹持住芯片时，即可停止电动推杆的运行，此时就可通过气体管道通入气体到等离子体腔的内部，在对其进行低温氧化过程时，可以启动电动机，电动机的输出端带动第一齿轮进行转动，在第一齿轮进行转动的同时可带动第二齿轮也随之进行转动，此时就可带动安装板和芯片一同进行转动，就可对芯片进行翻转，使其在低温氧化过程中能够保持芯片上下表面的氧化均深度一致，从而提高生产效率，降低生产成本，减少能源的消耗，具备氧化均匀的优点。
附图说明
[0015]图1为一种用于芯片加工的低温氧化装置的结构示意图；
[0016]图2为一种用于芯片加工的低温氧化装置安装框的俯视图；
[0017]图3为一种用于芯片加工的低温氧化装置中第一矩形杆与第一活动套的连接示意图。
[0018]图中：1、底座；2、等离子体腔；3、气体管道；4、气体流量器；5、汽体均分器；6、支撑杆；7、安装框；8、真空泵；9、电动推杆；10、固定杆；11、活动杆；12、安装板；13、横杆；14、转杆；15、第一矩形杆；16、电动机；17、第一齿轮；18、第二齿轮；19、第一活动套；20、第一夹持块；21、第二矩形杆；22、第二活动套；23、第二夹持块；24、夹持槽。
具体实施方式
[0019]请参阅图1～3，本技术实施例中，一种用于芯片加工的低温氧化装置，包括底座1，底座1的顶端固定安装有等离子体腔2，等离子体腔2的左端固定安装有一端贯穿并延伸至等离子体腔2内部的气体管道3，气体管道3的顶端相连通有位于等离子体腔2外侧的气体流量器4，气体管道3的右端相连通有位于等离子体腔2内部的汽体均分器5，等离子体腔2
的内腔底端固定安装有数量为四个的支撑杆6，四个支撑杆6的顶端均与安装框7相固定连接，安装框7的内腔左侧壁开设有第一滑槽，横杆13的左端固定安装有与第一滑槽相适配的第一滑块，安装框7的顶端呈开口设置，等离子体腔2的右端固定安装有真空泵8，真空泵8的输出端贯穿并延伸至等离子体腔2的内部，安装框7的内腔前侧壁固定安装有电动推杆9，安装框7的内腔前侧壁固定安装有位于电动推杆9右方的固定杆10，固定杆10的右端转动连接有活动杆11，活动杆11的内部开设有滑动孔，横杆13的顶端固定安装有位于滑动孔内部的T型杆，固定杆10的右端固定安装有第一固定块，第一固定块的顶端转动连接有活动杆11，安装板12的左端开设有第二滑槽，第二滑槽的内部滑动连接有第二固定块，活动杆11的另一端转动连接于第二固定块的顶端，安装框7的内腔前侧壁滑动连接有位于活动杆11右方的安装板12，安装框7的内腔前侧壁固定安装位于固定杆10右方的U型杆，U型杆的外部滑动连接有安装板12，活动杆11的右端滑动连接于安装板12的左端，电动推杆9的输出端固定安装有一端贯穿固定杆10并与活动杆11相滑动连接的横杆13，安装板12的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于芯片加工的低温氧化装置，包括底座(1)，其特征在于，所述底座(1)的顶端固定安装有等离子体腔(2)，所述等离子体腔(2)的左端固定安装有一端贯穿并延伸至等离子体腔(2)内部的气体管道(3)，所述气体管道(3)的顶端相连通有位于等离子体腔(2)外侧的气体流量器(4)，所述气体管道(3)的右端相连通有位于等离子体腔(2)内部的汽体均分器(5)，所述等离子体腔(2)的内腔底端固定安装有数量为四个的支撑杆(6)，四个所述支撑杆(6)的顶端均与安装框(7)相固定连接，安装框(7)的顶端呈开口设置，所述等离子体腔(2)的右端固定安装有真空泵(8)，所述真空泵(8)的输出端贯穿并延伸至等离子体腔(2)的内部，所述安装框(7)的内腔前侧壁固定安装有电动推杆(9)，所述安装框(7)的内腔前侧壁固定安装有位于电动推杆(9)右方的固定杆(10)，所述固定杆(10)的右端转动连接有活动杆(11)，所述安装框(7)的内腔前侧壁滑动连接有位于活动杆(11)右方的安装板(12)，所述活动杆(11)的右端滑动连接于安装板(12)的左端，所述电动推杆(9)的输出端固定安装有一端贯穿固定杆(10)并与活动杆(11)相滑动连接的横杆(13)，所述安装板(12)的右端转动连接有转杆(14)，所述转杆(14)的右端固定安装有第一矩形杆(15)，所述安装板(12)的右端固定安装有位于转杆(14)前侧的电动机(16)，所述电动机(16)的输出端固定安装有第一齿轮(17)，所述转杆(14)的外部固定安装有与第一齿轮(17)相啮合的第二齿轮(18)，所述第一矩形杆(15)的外部滑动连接有数量为两个的第一活动套(19)，所述第一活动套(19)的右端固定安装有第一夹持...
【专利技术属性】
技术研发人员：李璇，
申请(专利权)人：苏州鼎芯光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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