等离子体显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种等离子体显示面板。该等离子体显示面板包括：下基底和上基底，彼此隔开预定的距离，以在它们之间限定多个放电室；多个障肋，置于所述下基底和上基底之间；多个寻址电极，相互平行地形成在所述下基底的上表面上；多个放电电极，在与所述寻址电极交叉的方向上形成在所述上基底的下表面上；荧光体层，形成在所述放电室的内壁上，其中，所述上基底包括多个光导件，所述光导件与所述多个寻址电极平行地形成，用于会聚并输出由放电室通过放电形成的可见光，所述光导件具有光入射表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种等离子体面板。更具体地讲，本专利技术涉及一种具有能够提高亮度和亮室对比度的改善的结构的等离子体显示面板。
技术介绍
等离子体显示面板(PDP)是使用放电来形成图像的设备，并在亮度和视角上具有优良的显示性能。在这种PDP中，施加到电极上的DC或AC电压致使电极之间发生气体放电，在气体放电过程中产生的紫外线激发磷光体，从而从被激发的荧光体材料发出可见光。根据气体放电的类型，PDP可以被分为DC型PDP或AC型PDP。DC型PDP具有所有电极暴露到放电空间中并且电荷直接在电极之间移动的结构。AC型PDP具有至少一个电极被介电层覆盖并且电荷不直接在相应电极之间移动而是通过壁电荷执行放电的结构。作为选择，PDP可以根据电极的布置结构而被分为对向放电型PDP或表面放电型PDP。对向放电型PDP具有形成对的两个维持电极分别形成在下基底和上基底上并且放电发生在与基底垂直的方向上的结构。表面放电型PDP具有形成对的两个维持电极分别形成在同一基底上并且放电发生在与基底平行的方向上的结构。对向放电型PDP具有高发光效率，但是也具有荧光体层容易老化的缺点。为此，目前主要使用表面放电型PDP。图1和图2示出普通的表面放电型PDP的构造。详细地，在图2中，为了更容易理解表面放电型PDP的内部结构，只将PDP的上基底旋转了90度。参照图1和图2，传统的PDP包彼此面对的下基底10和上基底20。在下基底10的上表面上，多个寻址电极11以条纹结构布置。寻址电极11被第一介电层12覆盖。在第一介电层12上，多个障肋13彼此间隔预定距离地形成，从而防止放电室14之间的电串扰和光串扰。放电室14的内表面被障肋13分割并被涂覆有预定厚度的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)荧光体层15。在放电室14内部，充满放电气体。放电气体是通常用于等离子体放电的氖(Ne)气和少量氙(Xe)气的混合气体。上基底20是可见光可穿过的透明基底，主要由玻璃形成。上基底20与具有障肋13的下基底10结合。在上基底20的下表面上，形成对并与寻址电极11垂直交叉的维持电极21a和21b布置成条纹结构。维持电极21a和21b由如氧化铟锡(ITO)的透明导电材料形成，从而可见光可穿过维持电极21a和21b。为了减少维持电极21a和21b的线阻抗，由金属形成的汇流电极22a和22b以小于维持电极21a和21b的宽度形成在各个维持电极21a和21b的下面。这些维持电极21a和21b以及汇流电极22a和22b被第二介电层23覆盖。在第二介电层23下面，形成有保护层24。保护层24防止第二介电层23由于等离子体粒子的溅射而受到损坏，并且保护层24发射二次电子，从而降低放电电压。保护层24通常由氧化镁(MgO)形成。同时，多个黑条纹30平行于维持电极21a和21b并彼此间隔预定的距离地形成在上基底20的上表面上，以防止光从外部进入面板。如上构造的传统的PDP的操作通常分为寻址放电操作和维持放电操作。寻址放电操作发生在寻址电极11和维持电极21a和21b中任一个之间，并且在寻址放电过程中，形成壁电荷。由于位于形成壁电荷的放电室14中的维持电极21a和21b之间的电势差而发生维持放电。在维持放电过程中，与放电室相应的荧光体层15被放电气体产生的紫外线激发，从而发射可见光。当可见光通过上基底20时，形成用户可得到的图像。
技术实现思路
技术问题然而，在如上构造的传统PDP中，当外部处于明亮条件下，即，在亮室条件下，外部光被引入放电室14，从而引入的光与放电室14产生的光叠加。结果，亮室对比度降低，因此PDP的显示性能降低。技术方案本专利技术提供一种能够通过改善上基底的结构来增强亮度和亮室对比度的PDP。有益效果根据本专利技术实施例的PDP具有下述效果第一，光入射表面的面积大于光出射表面的面积的各个光导件形成在上表面上，从而可将由放电产生的可见光的损失减少，从而增强面板的亮度。第二，由于外部光遮蔽构件形成在光导件之间，所以可防止外部光进入到放电室中，从而增强亮室对比度。第三，由于光导件制作为宽度小于几十微米，所以可以在XGA或SXGA级别的分辨率中采用这样的光导件，从而，能够实现高清晰度图像附图说明图1是传统的PDP的局部剖面透视图。图2是示出图1的PDP的内部结构的截面图。图3是根据本专利技术的实施例的PDP的局部剖面透视图。图4是示出图3的PDP的内部结构的截面图。图5是图3的PDP的变型的截面图。图6是示出图3的PDP的另一变型的截面图。图7是根据本专利技术的另一实施例的PDP的局部剖面透视图。图8是示出图7的PDP的内部结构的截面图。图9是示出图7的PDP的变型的截面图。图10是根据本专利技术的又一实施例的PDP的局部剖面透视图。图11和图12是图10的PDP的内部结构的截面图。最佳实施方式根据本专利技术的一方面，提供了一种等离子体显示面板。该等离子体显示面板包括下基底和上基底，彼此隔开预定距离以在它们之间限定多个放电室；多个障肋，置于所述下基底和上基底之间；多个寻址电极，相互平行地形成在所述下基底的上表面上；多个放电电极，在与所述寻址电极交叉的方向上形成在所述上基底的下表面上；荧光体层，形成在所述放电室的内壁上，其中所述上基底包括多个光导件，所述光导件与所述多个寻址电极平行地形成，用于聚焦并输出由放电室通过放电产生的可见光，所述光导件的光入射表面的面积大于其光出射表面的面积。每个光导件可以与每个放电室对应地形成。作为选择，可以是至少两个光导件与每个放电室对应地形成。每个光导件与两个或更多放电室对应地形成。在这种情况下，优选地，每个光导件与三个放电室对应地形成，所述三个放电室形成一个单位像素。优选地，上基底包括形成在光导件之间的外部光遮蔽构件，用于防止外部光进入到放电室中。外部光遮蔽构件可包括用于屏蔽电磁干扰(EMI)的导电膜。此外，优选地，可用防眩(non-glare)材料来处理光导件的出射表面。障肋可与寻址电极平行地形成。作为选择，多个汇流电极可形成在放电电极的下表面上。第一介电层可形成在下基底的上表面上，以覆盖寻址电极。第二介电层可形成在上基底的下表面上，以覆盖放电电极。在这种情况下，优选地，在第二介电层的下表面上形成保护层。根据本专利技术的另一方面，提供了一种等离子体显示面板。该等离子体显示面板包括下基底和上基底，彼此隔开预定的距离以在它们之间限定多个放电室；多个障肋，置于所述下基底和上基底之间；多个寻址电极，彼此平行地形成在所述下基底的上表面上；多个放电电极，在与寻址电极交叉的方向上形成在所述上基底的下表面上；荧光体层，形成在所述放电室的内壁上，其中，所述上基底包括多个导光件，所述导光件形成在与多个寻址电极垂直的方向上，用于会聚并输出由放电室通过放电形成的可见光，所述光导件的光入射表面的面积大于其光出射表面的面积。每个光导件可与每个放电室对应地形成。作为选择，可以是至少两个光导件与每个放电室对应地形成。根据本专利技术的另一方面，提供了一种等离子体显示面板。该等离子体显示面板包括下基底和上基底，彼此隔开预定的距离，以在它们之间限定多个放电室；多个障肋，置于所述下基底和上基底之间；多个寻址电极，相互平行地形成在所述下基底的上表面上；多个放电电极，在与寻址电极交叉的方向上形成在所述上基底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示面板，包括：下基底和上基底，彼此隔开预定的距离，以在它们之间限定多个放电室；多个障肋，置于所述下基底和上基底之间；多个寻址电极，相互平行地形成在所述下基底的上表面上；多个放电电极，在与所述寻址电极交叉的方向上形成在所述上基底的下表面上；荧光体层，形成在所述放电室的内壁上，其中，所述上基底包括多个光导件，所述光导件与所述多个寻址电极或所述多个放电室对应地形成，用于会聚并输出由放电室通过放电形成的可见光，所述光导件的光入射表面的面积大于其光出射表面的面积。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2004-4-27 10-2004-00291761.一种等离子体显示面板，包括下基底和上基底，彼此隔开预定的距离，以在它们之间限定多个放电室；多个障肋，置于所述下基底和上基底之间；多个寻址电极，相互平行地形成在所述下基底的上表面上；多个放电电极，在与所述寻址电极交叉的方向上形成在所述上基底的下表面上；荧光体层，形成在所述放电室的内壁上，其中，所述上基底包括多个光导件，所述光导件与所述多个寻址电极或所述多个放电室对应地形成，用于会聚并输出由放电室通过放电形成的可见光，所述光导件的光入射表面的面积大于其光出射表面的面积。2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，每个所述光导件与每个所述放电室对应地形成。3.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，至少两个光导件与每个所述放电室对应地形成。4.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，每个所述光导件与两个或更多所述放电室对应地形成。5.如权利要求4所述的等离子体显示面板，其中，每个所述光导件与三个所述放电室对应地形成，其中，所述三个放电室形成一个单位像素。6.如权利要求1所述的等离子体显...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪昌完，朴永浚，金荣善，韩英洙，闵钟述，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]