一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法技术

技术编号:31507527 阅读:32 留言:0更新日期:2021-12-22 23:40
本发明专利技术提供一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法,它包括以下步骤a)晶圆清洗;b)通过光刻在晶圆表面制备需要的图形;c)在晶圆上形成金属膜;d)通过剥离得到图形化的金属膜层。本发明专利技术适合用于金属溅射工艺中,更适合用在金属蒸镀工艺,能有效保证金属薄膜剥离效果,确保线宽均匀性等优点。确保线宽均匀性等优点。确保线宽均匀性等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法
[0001]
:本专利技术涉及MEMS工艺
,具体地说就是一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法。
[0002]
技术介绍
:微机电系统(MEMS)广泛应用于传感器领域,是一种集力学、电学、光学等为一体的综合性学科。当今世界对传感器的需求逐渐旺盛,对工艺的要求也随之越来越高,金属图形化便成为MEMS工艺的重要研究对象。
[0003]目前,金属图形化较为普遍的做法是采用单层负性光刻胶光刻形成倒梯形的剖面,在金属蒸镀时不会使金属在侧壁上形成连条,随后将蒸镀后的晶圆浸泡到有机溶剂中剥离,由于金属薄膜未将胶膜完全覆盖,有机溶剂可以将光刻胶由侧壁向内部溶解,胶膜上的金属膜层也随之脱落,冲水甩干后得到需要的图形。
[0004]然而以上方案的问题在于:(1)不能与金属溅射工艺相匹配,因金属溅射后的覆盖性太强,而单层负胶又无法形成较厚的胶膜,导致金属薄膜剥离效果不理想,图形化边缘有光刻胶和金属残留;(2)根据工艺需求,为了增加蒸镀金属薄膜的厚度,通过调整单层负胶的厚度,进行光刻曝光验证,发现线宽均匀性较差,不能满足工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法,其特征在于:它包括以下步骤a)晶圆的选择和清洗:选取硅晶圆,通过化学清洗去除表面污垢;b)光刻:在晶圆表面旋涂正、负双层光刻胶,而后在晶圆表面制备需要的图形;c)金属膜层:采用磁控溅射或蒸镀工艺,在晶圆上形成金属膜层;4)剥离:将晶圆浸泡到有机溶剂中溶解光刻胶,剥离一部分金属膜层,得到图形化的金属膜层。2.根据权利要求1中所述的一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法,其特征在于:步骤a)中选取的晶圆为N(100)电阻率为4

6Ω.cm的硅晶圆,所述化学清洗包括依次进行硫酸清洗、去离子水冲洗以及离心干燥。3.根据权利要求1中所述的一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法,其特征在于:在步骤b)中将晶圆放入亲和机中使用HMDS亲和,然后再旋涂一层正胶,而后将晶圆放入烘箱进行第一次烘烤,取出后再利用i线光刻机对晶圆进行泛曝光;对晶圆再次亲和,而后在晶圆上旋涂负胶,而后将晶圆放入烘箱进行第二次烘烤,取出后再利用i线光刻机对晶圆曝光;而后...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵斌张帅张胜兵宋东方白建新
申请(专利权)人:华东光电集成器件研究所
类型:发明
国别省市:

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