一种超滑岛推动装置和超滑岛的处理方法制造方法及图纸

本申请公开了一种超滑岛推动装置，包括：透明基底；位于所述透明基底表面的透明推动体阵列，所述透明推动体阵列与待推动的超滑岛阵列相同。可见，本申请中超滑岛推动装置包括透明基底和透明推动体阵列，由于推动体阵列与待推动的超滑岛阵列一致，所以推动体阵列中的推动体与超滑岛阵列中的超滑岛可以一一对应，在推动时，超滑岛阵列中的所有超滑岛均会发生移动，避免逐个推动超滑岛，增加推岛效率，缩短推岛时间，并且，超滑岛推动装置是透明的，可以清楚的观察到超滑岛阵列的推动情况，非常简单、方便。此外，本申请还提供一种具有上述优点的超滑岛处理方法。超滑岛处理方法。超滑岛处理方法。

【技术实现步骤摘要】
一种超滑岛推动装置和超滑岛的处理方法


[0001]本申请涉及结构超滑
，特别是涉及一种超滑岛推动装置和超滑岛的处理方法。

技术介绍

[0002]结构超滑是指两个原子级光滑且非公度接触的范德华固体表面之间摩擦力几乎为零、没有磨损的现象。超滑器件中超滑件的材料可以为石墨烯、二硫化钼等二维材料，目前在制备超滑件时采用光刻的方式得到超滑岛阵列，然后使用探针逐个推动超滑岛，对具有自回复能力的超滑岛转移到目标基底上。由于需要使用探针逐个推动超滑岛，导致推岛的过程耗时长，推岛效率低。
[0003]因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种超滑岛推动装置和超滑岛的处理方法，以提升推岛效率。
[0005]为解决上述技术问题，本申请提供一种超滑岛推动装置，包括：
[0006]透明基底；
[0007]位于所述透明基底表面的透明推动体阵列，所述透明推动体阵列与待推动的超滑岛阵列相同。
[0008]可选的，所述透明推动体阵列为透明电极阵列。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超滑岛推动装置，其特征在于，包括：透明基底；位于所述透明基底表面的透明推动体阵列，所述透明推动体阵列与待推动的超滑岛阵列相同。2.如权利要求1所述的超滑岛推动装置，其特征在于，所述透明推动体阵列为透明电极阵列。3.如权利要求2所述的超滑岛推动装置，其特征在于，还包括：设置在所述透明电极阵列中每个电极表面的透明绝缘层。4.如权利要求3所述的超滑岛推动装置，其特征在于，还包括：设置在所述透明基底和所述透明电极阵列之间的透明柔性绝缘层。5.一种超滑岛处理方法，其特征在于，包括：在基底的上表面涂覆第一光刻胶，并对所述第一光刻胶曝光显影；在显影后第一光刻胶的上表面制备推动层，并剥离所述第一光刻胶形成推动体阵列，得到处理治具；所述推动体阵列与待推动的超滑岛阵列相同；其中，所述基底为透明基底，所述推动体阵列为透明推动体阵列；将所述推动体阵列与所述超滑岛阵列对应接触并施加压力，并推动所述超滑岛阵列；分离所述处理治具和所述超滑岛阵列，并确定发生自回复的超滑岛。6.如权利要求5所述的超滑岛处理方法，其特征在于，当所述推动体阵列为透明电极阵列，在所述确定发生自回复的超滑岛之后，还包括：标记所述发生自回复的超滑岛；将所述透明电极阵列与所述超滑岛阵列对应接触，并对与所述发生自回复的超滑岛对应的电极施加静电，使所述发生自回复的超滑岛与施加静电的电极吸附；将吸附有所述发生自回复的超滑岛的处理治具与目标基底接触并施加压力；分离吸附有所述发生自回复的超滑岛的处理治具与所述目标基底，并撤销静电，使所述发生自回复的超滑岛吸附在所述目标基底上。7.如权利要求6所述的超滑岛处理方法，其特征在于，所述透明电极阵列中每个电极的表面包裹有透明绝缘层。8.如权利要求7所述的超滑岛处理方法，其特征在于，当所述透...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂锦辉，马明，郑泉水，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：