【技术实现步骤摘要】
一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法
[0001]专利技术属于半导体
，涉及一种悬浮可动结构释放的深硅刻蚀方法。
技术介绍
[0002]深硅刻蚀是实现MEMS悬浮可动结构的关键技术。目前，主要采用Bosch 工艺进行深硅刻蚀，刻蚀过程为钝化步骤与刻蚀步骤交替循环进行，其中，钝化步骤的作用为在沟槽的侧壁和底部沉积一层聚合物作为保护层来保护侧壁不受侵蚀，刻蚀步骤的作用是将刻蚀开口底部的钝化层去除并与暴露出来的硅发生物理化学反应，将硅刻蚀掉。
[0003]在刻蚀悬浮硅可动结构时，刻蚀过程中产生的热量通过刻蚀开口内未完全刻完的硅进行传导，经过锚点传向冷却的沉底，使得硅可动结构表面温度保持稳定。一旦当大的刻蚀开口被完全刻通时，刻蚀中的热负载就完全加载在刻蚀开口较小的关键尺寸结构上，热量只能通过这部分悬挂的硅结构进行传导，当这部分悬挂的硅结构传导路径过长时，就容易产生刻蚀局部温度过高的问题。观察结果表明，随着刻蚀接近结束，关键尺寸被刻通，悬挂结构的热传导率显著降低，刻蚀设备利用氦气背冷对硅片衬底进行冷却并不足以迅速对悬挂结构...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法，其特征在于将MEMS悬浮结构的深硅刻蚀程序设置为两个刻蚀阶段：刻蚀第一阶段，采用n次沉积步骤—刻蚀步骤的循环，其中n大于20；刻蚀第二阶段，采用m次沉积步骤—刻蚀步骤—停止冷却步骤的循环，其中m大于20。2.根据权利要求1所述的一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述沉积步骤
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刻蚀步骤
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【专利技术属性】
技术研发人员：喻磊，曹卫达，丁景兵，黄斌，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：
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