【技术实现步骤摘要】
一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法
[0001]本专利技术涉及大功率器件共晶
,具体是一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法。
技术介绍
[0002]大功率器件是指在高电压、大电流的条件下工作的晶体管,相比较于其他的器件,功率芯片需要较好的散热,为保证其散热效果,需要将芯片共晶到带有热沉的管壳上以保证具有良好的散热率。芯片共晶有多种共晶方式以及多种材料间不同的共晶条件,而最常用的工艺一般分为两种:第一种方法,铅锡银焊料与镀镍类材料共晶,这种工艺适用于SMT和混合厚膜集成电路的加工制造,第二种方法,金锡焊料和镀金类材料共晶,这种工艺多见于半导体电路加工制造。
[0003]大功率器件现为降低成本并在原有基础上提高散热效果,开始采用镀镍管壳和金锡焊料片共晶的方式,镀镍管壳相较于同尺寸的镀金管壳价格更为低廉,金锡焊料的散热率远远高于铅锡银焊料且成本增加较管壳成本下降可以忽略不计。但是镀镍管壳和金锡焊料采用以往的加工方式时熔融温度较高,共晶难度较大,且共晶过程多靠石墨模进行限位。石墨模开模成本高,而因芯片均较小,所以石墨模进 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法,其特征在于包括以下步骤:1).将助焊膏(2)通过四角四点法涂抹在镀镍管壳(1)底部对应的焊料片待粘位置,把焊料片(3)粘在镀镍管壳(1)底部待粘位置后,再在焊料片(3)上点滴助焊剂(4),然后将所需芯片(5)粘接在焊料片(3)上;2). 把粘好芯片的镀镍管壳,送入烘箱在80℃条件下烘烤5分钟;3).在烘烤过的所有芯片上压上配重块(6),放入回流炉内进行烧结,烧结过程为第一段230℃条件下预热4分钟,第二段250℃条件下预热4分钟; 310℃恒温条件下共晶6分钟,最后进入冷却区。2.根据权利要求1所述的一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法,其特征在于:所述配重块压强要求5N/mm2。3.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑文昭,李彪,张乐银,向圆,欧阳径桥,刘仲敏,
申请(专利权)人:华东光电集成器件研究所,
类型:发明
国别省市:
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