一种无金互联氮化镓CMOS的制作方法及器件技术

本发明专利技术公开了一种无金互联氮化镓CMOS的制作方法及器件，方法包括步骤：获取GaN射频器件和CMOS器件；其中，CMOS器件由SOI工艺制备而成；在GaN射频器件上生长一层第一绝缘介质层；在CMOS器件上生长一层第二绝缘介质层；通过低温真空键合工艺将第一绝缘介质层和第二绝缘介质层键合以使GaN射频器件和CMOS器件粘合形成异质结构器件；在异质结构器件的顶部和底部分别光刻引线区域，并根据引线区域刻蚀引线凹槽；在引线凹槽内沉积金属Ti/Cu或Ti/AlCu以实现GaN射频器件和CMOS器件的电路连接，完成制作。本发明专利技术实施例的方案，集成器件体积较小，且连接可靠性高；无金互联工艺既可以与现有成熟CMOS工艺线兼容，又降低了制作成本。又降低了制作成本。又降低了制作成本。

【技术实现步骤摘要】
一种无金互联氮化镓CMOS的制作方法及器件


[0001]本专利技术属于微电子
，具体涉及一种无金互联氮化镓CMOS的制作方法及器件。

技术介绍

[0002]近年来，随着无线通讯技术的快速发展，人类社会进入信息化与数字化时代。由于毫米波和微波等高频的电磁波有更的信息容量和更强的穿透力，使得射频微波技术在无线通讯技术中占据越来越重要的位置。射频微波技术推动了射频功率半导体器件的发展，现在的GaN高电子迁移率晶体HEMT在军事领域和民用领域展现出广泛的应用前景。将射频功率器件与CMOS相结合能够增强其功能与性能，对射频功率器件于CMOS 3D集成的研究具有现实意义。
[0003]通常在单片微波集成电路中GaN基HEMT器件与CMOS器件是通过水平嵌入式实现电路的连接，该连接方式占用更多的器件面积，会造成单片微波集成体积较大，且连接可靠属性差。
[0004]而由于GaN基HEMT器件自身的互联金属主要采用Ti/Au等含金互联金属，而Au在CMOS工艺线上会对Si材料造成深能级掺杂，进而影响CMOS器件的电学特性，因此，无法利用现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无金互联氮化镓CMOS的制作方法，其特征在于，包括步骤：获取GaN射频器件和CMOS器件；其中，所述CMOS器件由SOI工艺制备而成；在所述GaN射频器件上生长一层第一绝缘介质层；在所述CMOS器件上生长一层第二绝缘介质层；通过低温真空键合工艺将所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层键合以使所述GaN射频器件和所述CMOS器件粘合形成异质结构器件；在所述异质结构器件的顶部和底部分别光刻引线区域，并根据所述引线区域刻蚀引线凹槽；在所述引线凹槽内沉积金属Ti/Cu或Ti/AlCu以实现所述GaN射频器件和所述CMOS器件的电路连接，完成制作。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述通过低温真空键合工艺将所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层键合以使所述GaN射频器件和所述CMOS器件粘合形成异质结构器件步骤前，还包括步骤：对所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层的表面进行平坦化处理。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述异质结构器件的顶部和底部分别光刻引线区域，并根据所述引线区域刻蚀引线凹槽的步骤前，还包括步骤：去除所述CMOS器件中SOI材料顶部的Si基板。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层和第二绝缘介质层...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓华，霍腾，芦浩，侯斌，杨凌，张濛，武玫，牛雪锐，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：