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本发明公开了一种无金互联氮化镓CMOS的制作方法及器件，方法包括步骤：获取GaN射频器件和CMOS器件；其中，CMOS器件由SOI工艺制备而成；在GaN射频器件上生长一层第一绝缘介质层；在CMOS器件上生长一层第二绝缘介质层；通过低温真空键...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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