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本发明涉及一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法，其特征在于将MEMS悬浮结构的深硅刻蚀程序设置为两个刻蚀阶段：刻蚀第一阶段，采用n次沉积步骤—刻蚀步骤的循环，其中n大于20；刻蚀第二阶段，采用m次沉积步骤—刻蚀步骤—停止冷却步骤的循环，其中m...
该专利属于华东光电集成器件研究所所有，仅供学习研究参考，未经过华东光电集成器件研究所授权不得商用。

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