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本发明提供一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法，它包括以下步骤a）晶圆清洗；b）通过光刻在晶圆表面制备需要的图形；c）在晶圆上形成金属膜；d）通过剥离得到图形化的金属膜层。本发明适合用于金属溅射工艺中，更适合用在金属蒸镀工艺，能有效保证...
该专利属于华东光电集成器件研究所所有，仅供学习研究参考，未经过华东光电集成器件研究所授权不得商用。

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