【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，尤其是通过火焰燃烧的工艺制备 碳纳米管阵列冷阴极的方法，属于纳米材料制备与应用领域，也属于真空微电子领域。
技术介绍
碳纳米管(CarbonNanotubes,CNTs)具有高长径比，极其微小尖端半径，较高机械强度 和大电流承载能力，可作为优良的场发射源，在平面显示器、X射线源、微波放大器、照明 灯具等真空电子领域有重要应用前景。碳纳米管有望成为下一代场发射显示器的场发射源的 首选材料之一。 一般碳纳米管阴极阵列的制作是利用传统半导体工艺光刻技术在衬底材料上 形成催化剂阵列，再通过化学气相沉积的方法(Zexiang Chen, Guichuan Cao, Zulun Lin， and Daniel den Engelsen， Synthesis and emission properties of carbon nanotubes grown by sandwich catalyst stacks,/. Fac. 7VcA朋/. 5 24(2):1017, 2006)，在催化剂上催化生成碳纳米管，或者 先利用化学气相沉积法批量合成碳纳米管，再利用...
【技术保护点】
一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法，包括以下步骤：在导电基底上沉积氮化物阻挡层，采用金属掩模板掩模或光刻胶掩模，再沉积催化剂层，形成催化剂阵列；然后在火焰中烧１－１０分钟，电场退火老化处理后形成稳定的碳纳米管阵列场发射阴极。
【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法，包括以下步骤在导电基底上沉积氮化物阻挡层，采用金属掩模板掩模或光刻胶掩模，再沉积催化剂层，形成催化剂阵列；然后在火焰中烧1-10分钟，电场退火老化处理后形成稳定的碳纳米管阵列场发射阴极。2. 如权利要求1所述的制备方法，其特征是在导电基底上沉积氮化物阻挡层后，或再在 氮化物阻挡层上沉积低熔点的金属层，再沉积催化剂层。3. 如权利要求1或2所述的制备方法，其特征是导电基底为金属片、镀有导电膜的衬底 或硅片。4. 如权利要求1或2所述的制备方法，其特征是所述氮化物为氮化钛、氮化铪、氮化锆、 氮化铝、氮化铜铝、氮化硅、氮化钽、氮化碳或氮化硼；氮化物阻挡层镀制厚度为 100-200nm。5...
【专利技术属性】
技术研发人员：方国家，李春，刘逆霜，杨晓霞，袁龙炎，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：83
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