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一种碳纳米管阵列场发射阴极的制备方法，包括以下步骤：在导电基底上沉积氮化物阻挡层，采用金属掩模板掩模或光刻胶掩模，再沉积催化剂层，形成催化剂阵列；然后在火焰中烧１－１０分钟，电场退火老化处理后形成稳定的碳纳米管阵列场发射阴极。...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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