晶圆、晶圆结构以及晶圆的制造方法技术

本申请涉及一种晶圆、晶圆结构以及晶圆的制造方法。其中，该晶圆包括：衬底；堆叠结构，设置在衬底上，并且包括依次叠置的介质层和绝缘层，在介质层中设置有阻挡层；以及键合层，设置在堆叠结构的远离衬底的表面上，其中，在表面设置有至少一个对准标记结构；其中，阻挡层在衬底上的投影覆盖对准标记结构在衬底上的投影。影。影。

【技术实现步骤摘要】
晶圆、晶圆结构以及晶圆的制造方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，更具体地，涉及一种晶圆、晶圆结构以及晶圆的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体领域，晶圆(wafer)是最重要的一种初级产品。半导体厂商基本都要基于晶圆来制造各种类型的半导体器件。特别地，现有的三维闪存(3demension NAND flash memory，简称3D NAND)的X堆叠(X
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stacking)构架中，晶圆及晶圆键合(Bonding)的对准精度对生产良率影响巨大。
[0003]晶圆键合技术是指将两块经过抛光的晶圆紧密粘接在一起的技术。上下晶圆键合时，首先需要进行上下晶圆的对准。在现有技术中，通常利用金属对准标记结构对光的反射来进行晶圆对准。
[0004]但是由于3D NAND的堆叠构架中堆叠层数越来越多，晶圆前层对反射信号的影响越来越大，这降低了晶圆的对准精度，严重影响了上下晶圆的电连接性能，也降低了产品良率。
[0005]因此，需要一种晶圆以至少部分地解决现有技术中的上述问题。
>[0006]应当理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆，其特征在于，包括：衬底；堆叠结构，设置在所述衬底上，并且包括依次叠置的介质层和绝缘层，其中，在所述堆叠结构中还设置有阻挡层；以及键合层，设置在所述堆叠结构的远离所述衬底的表面上，其中，在所述表面设置有至少一个对准标记结构。2.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述阻挡层在所述衬底上的投影覆盖所述对准标记结构在所述衬底上的投影。3.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述堆叠结构包括多个所述介质层，所述阻挡层位于多个所述介质层中最远离所述衬底的介质层中。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的晶圆，其中，所述阻挡层包括金属层。5.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述晶圆为阵列晶圆。6.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述绝缘层包括氮化硅或掺杂碳化硅。7.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述键合层包括正硅酸乙酯。8.一种晶圆组件，其特征在于，包括：第一晶圆，包括根据如权利要求1
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7中任一项所述的晶圆；第二晶圆，包括键合层，并具有至少一个第二对准标记结构，其中，通过所述第一晶圆和所述第二晶圆的键合层，所述第一晶圆和所述第二晶圆相结合，并且所述第一晶圆的第一对准标记结构与所述第二晶圆的第二对准标记结构相互匹配。9.根据权利要求8所述的晶圆组件，其中，所述第二晶圆包括：第二衬底；第二堆叠结构，设置在所述第二衬底上，并且包括依次叠置的第二介质层和第二绝缘层；第二键合层，设置在所述第二堆叠结构的远离所述衬底的表面上，其中，在所述第二键合层的远离所述第二堆叠结构的表面设置有至少一个所述第二对准标记结构。10.根据权利要求9所述的晶圆组件，其中，所述第二堆叠结构还包括设置在所述第二介质层中的第二阻挡层，其中，所述第二阻挡层在所述第二衬底上的投影覆盖所述第二对准标记结构在所述第二衬底上的投影。11.根据权利要求10所述的晶圆组件，其中，所述第二堆叠结构包括多个所述第二介质层，所述第二阻挡层位于多个所述第二介质层中最远离所述第二衬底的第二介质层中。12.根据权利要求10...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚兰，尹朋岸，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：