半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制作方法，包括：衬底；位于衬底上的介质层；位于衬底上的密封环结构，密封环结构包括至少两个间隔设置的环状密封环以及位于环状密封环之间的连接结构，环状密封环贯穿介质层，且连接结构连接相邻两个环状密封环，以将位于相邻两个环状密封环之间的介质层隔断，从而能够减小密封环结构形成过程中的刻蚀应力，以避免密封环结构错位而影响密封环结构的水氧阻隔性能。位而影响密封环结构的水氧阻隔性能。位而影响密封环结构的水氧阻隔性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种半导体器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着技术的发展，半导体工业不断寻找新的生产方式，以使得存储器件中的每一存储器裸片具有更多数量的存储器单元。其中，3DNAND(三维与非门)存储器件由于其存储密度高、成本低等优点，已成为目前较为前沿、且极具发展潜力的存储器技术。
[0003]在3D NAND存储器件结构中，包括垂直交错堆叠多层栅极层和绝缘层的堆叠结构(或称堆栈)，堆叠结构中形成有沟道孔，沟道孔内形成有存储单元串，堆叠结构中的栅极层作为每一层存储单元的栅线，从而实现堆叠式的3D NAND存储器件。此外，3D NAND存储器件中还可以具有密封环(S eal Ring)结构，密封环结构用于释放、阻隔3D NAND存储器件在封装过程中产生的应力，并阻隔3DNAND存储器件在制造、使用时的水汽渗入，从而提高存储器件的可靠性。
[0004]现有技术中，通常采用深槽工艺形成环绕堆叠结构一周的两个或两个以上环形槽，并填充导电材料，从而形成上述密本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的介质层；位于所述衬底上的密封环结构，所述密封环结构包括至少两个间隔设置的环状密封环以及位于所述环状密封环之间的连接结构，所述环状密封环贯穿所述介质层，且所述连接结构连接相邻两个所述环状密封环。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述连接结构包括多个间隔设置的第一连接墙，所述第一连接墙的相对两侧端部分别连接相邻两个所述环状密封环。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述连接结构还包括多个间隔设置的第二连接墙，所述第二连接墙的相对两侧端部分别连接相邻两个所述环状密封环，所述第二连接墙和所述第一连接墙沿所述环状密封环的环绕方向交替排布，且相邻的所述第二连接墙和所述第一连接墙不平行。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，相邻的所述第二连接墙和所述第一连接墙相连接。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述连接结构还包括多个间隔设置的第三连接墙，所述第三连接墙的相对两侧端部分别连接相邻两个所述环状密封环，所述第三连接墙、所述第二连接墙和所述第一连接墙沿所述环状密封环的环绕方向呈周期性交替排布，且相邻的所述第三连接墙和所述第一连接墙不平行，相邻的所述第三连接墙和所述第二连接墙不平行。6.根据权利要求2所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡玉芬，郑阿曼，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：