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本发明涉及一种半导体器件及其制作方法，包括：衬底；位于衬底上的介质层；位于衬底上的密封环结构，密封环结构包括至少两个间隔设置的环状密封环以及位于环状密封环之间的连接结构，环状密封环贯穿介质层，且连接结构连接相邻两个环状密封环，以将位于相邻两...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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