基于颗粒硅的单晶棒制备装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种基于颗粒硅的单晶棒制备装置，包括炉室和位于炉室内部的：盛料容器，内部放置有颗粒硅，底部开口设置有控制挡板；导料滑道，上端位于底部开口正下方；熔区，位于导料滑道下端的正下方；加热线圈，位于熔区外围；单晶棒拉制模组，位于熔区正上方。本实用新型专利技术的，操作方便，利用颗粒硅重力通过滑道的方式自由落到熔区上；由于颗粒硅外形为圆形，自由下落过程中对颗粒硅表面无沾污污染；滑落不需要其他外力，自身重力下滑至熔区上，定位准确。另外，逐颗下落粘连在底部熔区上，可以保持底部熔区温度不被降低，熔区始终保持在高温中，可以连续按颗进行化料，提高化料效率，操作可控，每颗颗粒硅依次通过控制挡板，依次下落。下落。下落。

【技术实现步骤摘要】
基于颗粒硅的单晶棒制备装置


[0001]本技术涉及单晶棒制备领域，尤其涉及基于颗粒硅的单晶棒制备装置。

技术介绍

[0002]随着世界能源危机的日益严重，绿色能源、能源多元化、可再生能源的利用成了我国可持续发展的战略选择，其中太阳能光伏发电成了当前电力科技者研发的热门课题之一。颗粒硅是生产单晶硅的直接原料，硅是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料，颗粒硅纯度越高，电子性能越好，相应光电转换率提高。
[0003]目前颗粒硅已逐渐成为连续加料拉制单晶棒的原料，但颗粒硅检测技术受到设备、炉体加热石墨件、坩埚等杂质影响，检测的颗粒硅数据不准确，从而使得单晶棒制备受到影响。
[0004]因此，针对上述问题，提供一种基于颗粒硅的单晶棒制备装置，是本领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于颗粒硅的单晶棒制备装置。
[0006]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0007]本技术的第一方面，提供基于颗粒硅的单晶棒制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：包括炉室和位于炉室内部的：盛料容器，内部放置有颗粒硅，底部开口设置有控制挡板；导料滑道，上端位于所述底部开口正下方；熔区，位于导料滑道下端的正下方；加热线圈，位于熔区外围；单晶棒拉制模组，位于所述熔区正上方。2.根据权利要求1所述的基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：所述单晶棒拉制模组包括：籽晶，位于熔区正上方；夹头，用于夹持所述籽晶远离熔区的一端；可提升上轴，与夹头固定连接。3.根据权利要求1所述的基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：还包括与炉室连接的环境控制模组。4.根据权利要求3所述的基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：所述环境控制模组包括抽真空设备和充氩气设备。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张孝山，汪成洋，陈斌，甘易武，
申请(专利权)人：青海亚洲硅业半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：