一种具有导流机构的光学晶体拉晶炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有导流机构的光学晶体拉晶炉，包括下炉体的顶部设置有上炉体，下炉体与上炉体之间通过连接柱焊接，下炉体与上炉体之间设置有排气开口，上炉体的内部设置有上导流筒，上导流筒的顶部设置有固定圈，上导流筒的底部设置有连接圈，连接圈的内部对应排气开口的位置设置有下导流槽道，上导流筒的内部对应下导流槽道的位置设置有上导流槽道，连接圈的底部设置有下导流筒，下导流筒的底部侧面套装有耐高温密封圈，下导流筒底部对称设置有限位柱，下炉体的内部底部设置有坩埚，坩埚的底部设置有加热盘。本具有导流机构的光学晶体拉晶炉，具有导流组件拆装便捷，提高工作效率，密封性好，提高晶棒质量的优点。提高晶棒质量的优点。提高晶棒质量的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种具有导流机构的光学晶体拉晶炉


[0001]本技术涉及拉晶炉
，具体为一种具有导流机构的光学晶体拉晶炉。

技术介绍

[0002]单晶碎如今是大多数半导体元器件的基底材料，其中绝大多数的单晶硅都是由“Czochralski法(直拉单晶制造法)”制备，该方法通过将多晶硅材料放置在石英绀锅内融化，在直拉单晶过程中，首先让籽晶和熔体接触，使固液界面处的熔体沿着籽晶冷却结晶，并通过缓慢拉出籽晶而生长，缩颈完成之后通过降低拉速和/或熔体温度来放大晶体生长直径直至达到目标直径，转肩之后，通过控制拉速和熔体温度使晶体生长进入“等径生长”阶段，最后，通过增大拉速和提高熔体温度使晶体生长面的直径逐步减小形成尾锥，直至最后晶体离开熔体表面，即完成了晶棒的生长，在拉晶过程中，在熔体结晶为晶体时会形成大量的空位和自间隙原子两种本征点缺陷，当晶体离开固液界面的过程中，随着温度下降，根据不同的晶体生长条件晶体中一般都带有过量的(即浓度超过在该温度下的平衡浓度)空位型本征缺陷和自间隙原子型本征缺陷，形成“V型硅晶”或“型硅晶”。
[0003]在进行拉晶作业时拉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有导流机构的光学晶体拉晶炉，包括下炉体(1)，其特征在于：所述下炉体(1)的顶部设置有上炉体(11)，下炉体(1)与上炉体(11)之间通过连接柱(23)焊接，下炉体(1)与上炉体(11)之间设置有排气开口(24)，上炉体(11)的内部设置有上导流筒(12)，上导流筒(12)的顶部设置有固定圈(13)，上导流筒(12)的底部设置有连接圈(16)，连接圈(16)的内部对应排气开口(24)的位置设置有下导流槽道(17)，上导流筒(12)的内部对应下导流槽道(17)的位置设置有上导流槽道(15)，连接圈(16)的底部设置有下导流筒(18)，下导流筒(18)的底部侧面套装有耐高温密封圈(19)，下导流筒(18)底部对称设置有限位柱(20)。2.根据权利要求1所述的一种具有导流机构的光学晶体拉晶炉，其特征在于，所述下炉体(1)的内部底部设置有坩埚(25)，坩埚(25)的底部设置有加热盘(251)，坩埚(25)的内部设置有晶棒(26)，晶棒(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴帅波，韩春霞，
申请(专利权)人：河北烁光晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：