一种单晶炉套筒装置和单晶炉制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种单晶炉套筒装置和单晶炉，单晶炉套筒装置包括：套筒和桶形导流板，桶形导流板的底部开设有拉晶口，套筒设置于桶形导流板的内部，套筒包括导流筒和直壁筒，导流筒的上内壁面呈倒锥形，导流筒的下内壁面呈与直壁筒的外侧面相适配的圆柱形，直壁筒穿设于导流筒内与导流筒的下内壁面连接，直壁筒与拉晶口贯通。根据本实用新型专利技术实施例的单晶炉套筒装置，可以有效阻挡硅熔液飞溅到套筒和晶棒上，而沉积在石英材质的桶形导流板上的硅料可通过酸洗或者高温火焰喷烧进行去除，不影响下次拉晶，另外，也可以避免套筒上的杂质掉落到硅熔液中，还可以使惰性气体充分掠过硅熔液表面，及时带走一氧化硅气体，从而提高制得的单晶硅棒的品质。晶硅棒的品质。晶硅棒的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉套筒装置和单晶炉


[0001]本技术涉及单晶制备
，具体涉及一种单晶炉套筒装置和单晶炉。

技术介绍

[0002]随着微电子产业制程的不断提高，对硅晶圆材料的品质有了更高的要求，而好的品质意味着要管控好晶棒中的晶体缺陷。
[0003]在大直径晶棒的拉制过程中往往需要二次加料，在加料过程中通常会发生硅熔液的飞溅，会在导流筒底部及侧面沉积大量飞溅物，对于有镀层的导流筒，无法把这些飞溅物直接清除，因为强行去除会破坏其镀层，故通常情况下不对其进行清除，但是这些沉积在导流筒上的飞溅物在拉晶过程中将是安全隐患，一旦其在拉晶过程中坠入硅熔液，将会形成热冲击，这将直接导致晶棒断线，这很大程度上影响拉晶的成品率。
[0004]另外，在拉晶过程中硅熔液会与石英坩埚反应生成大量的一氧化硅气体，该气体稳定性很差，不利于晶体生长，需要及时将其带走，通常情况下会使用惰性气体流自晶棒上端向下端流动，掠过硅熔液表面将SiO气体带走，而惰性气体的流动对硅溶液固、液、气三相交界点稳定性影响很大，出现惰性气体的紊乱流动会破坏三相点的稳定，继而影响拉晶的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉套筒装置，其特征在于，包括：套筒和桶形导流板，所述桶形导流板的底部开设有拉晶口，所述套筒设置于所述桶形导流板的内部，所述套筒包括导流筒和直壁筒，所述导流筒的上内壁面呈倒锥形，所述导流筒的下内壁面呈与所述直壁筒的外侧面相适配的圆柱形，所述直壁筒穿设于所述导流筒内与所述导流筒的下内壁面密封连接，且所述直壁筒与所述拉晶口贯通。2.根据权利要求1所述的单晶炉套筒装置，其特征在于，所述导流筒包括内筒、外筒和环形底盘，所述内筒呈倒锥形，所述内筒设置于所述外筒内，所述内筒的上端与所述外筒的上端连接，所述外筒的下端与所述环形底盘的外缘部密封连接，所述内筒的下端与所述环形底盘的上表面固定连接，所述直壁筒穿设固定于所述环形底盘的环口内。3.根据权利要求2所述的单晶炉套筒装置，其特征在于，所述内筒、所述外筒和所述环形底盘之间围合形成的空腔内设置有第一填充体和第二填充体，所述第一填充体位于所述第二填充体的上方，所述第一填充体为导热填充体，所述第二填充体为隔热填充体。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文武，沈福哲，金珍根，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：