【技术实现步骤摘要】
一种可实现快速瞬态响应的LDO加速电路
[0001]本专利技术属于电源管理模拟
,涉及一种可实现快速瞬态响应的LDO加速电路。
技术介绍
[0002]电源管理芯片主要包括DC
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DC、LDO和电荷泵三种,其中LDO具有体积小、噪声小等特点,相对于其他电源管理芯片其成本低廉也便于实现片上集成,因此受到了人们的广泛关注,在市场中也具有绝对的优势。
[0003]如附图1所示是传统LDO整体电路结构图,主要由基准电压源、误差放大器EA、功率管MP、反馈电路组成。其中基准源提供稳定的参考电压VREF1,电路正常工作时,误差放大器将负相端输入的由反馈电阻R1和R2组成的反馈网络得到反馈电压值VFB与正相端输入的基准电压VREF1进行比较,二者的差值通过误差放大器进一步放大输出至功率管的栅极,通过对功率管的电流进行调整来实现LDO输出电压的稳定。
[0004]上述的传统LDO电路,当输出端负载电流从小负载电流切换至大负载电流时,或者由大负载电流切换至小负载电流时,由于电路自身的负载调整能力有限,当输 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可实现快速瞬态响应的LDO加速电路,其特征在于:包括跨导放大器OTA,跨导放大器OTA依次连接共射放大电路、控制LDO功率管栅极VG的充电支路及控制LDO功率管栅极VG的放电支路。2.根据权利要求1所述的一种可实现快速瞬态响应的LDO加速电路,其特征在于:所述跨导放大器OTA的负相输入端与LDO输出端电压连接,跨导放大器OTA的正相输入端与基准电压VREF2连接。3.根据权利要求1所述的一种可实现快速瞬态响应的LDO加速电路,其特征在于:所述共射放大电路包括PNP晶体管T1、PNP晶体管T3及NPN晶体管T2,PNP晶体管T3的基极与跨导放大器OTA的负相输出端连接,PNP晶体管T3的发射极与二极管D2的负相端连接,二极管D2的正相端接电源电压VDD,PNP晶体管T3的集电极分别与电阻R5的一端以及放电支路连接;电阻R5的另一端连接地GND;跨导放大器OTA的正相输出端接PNP晶体管T1的基极,PNP晶体管T1的发射极与二极管D1的负相端连接,二极管D1的正相端接电源电压VDD...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭仲杰,杨佳乐,卢沪,刘楠,许睿明,程新齐,
申请(专利权)人:西安理工大学,
类型:发明
国别省市:
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