一种低功耗电流除法器制造技术

本发明专利技术属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种低功耗电流除法器。本发明专利技术仅用四个NMOS管，便实现了电流除法的功能。电路具有结构简单，可靠性高，应用范围广的特点，能够广泛应用于低功耗数模混合电路，与数字除法器相比具有得天独厚的优势。本发明专利技术的有益效果为，克服了传统数学逻辑运算对数字电路高依赖性的缺点。利用四个工作在亚阈值区的NMOS管形成一个电流除法器，能够在较大范围内实现输出电流与两输入电流比值成正比的关系。输入电流比值成正比的关系。输入电流比值成正比的关系。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗电流除法器


[0001]本专利技术属于模拟集成电路
，具体涉及一种低功耗电流除法器。

技术介绍

[0002]随着5G物联网时代的到来，电力能源消耗越来越大，节能高效的系统电路逐渐成为设计者的首要考虑指标。而对于集成电路来说，耗能最大的领域在电源处理模块，无论是对能量源的捕获，还是对DC/AC电源的稳压转换处理，其中都存在着功率的损失。提高能量捕获精度，常用到最大功率点追踪电路(Maximum Power Point Tracking,MPPT)，但MPPT算法不可避免的会存在数学运算处理，如积分微分、乘法除法运算等。除MPPT电路外，很多模拟电路，如DC
‑
DC转换器自适应补偿，也需要用到一些数学运算。尽管数模混合电路设计是当今集成电路发展的主题，但因为数字电路实现功能会加大电路设计的复杂性以及会占用较大的芯片面积，所以数字电路大部分时候是用来辅助模拟电路实现功能。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是减小当前数模混合电路中对数字电路的依赖，提出一种工作在亚阈值区的模拟低功耗电流除法器，本专利技术结构简单，仅用四个NMOS管，便实现了电流除法的功能。电路具有结构简单，可靠性高，应用范围广的特点，能够广泛应用于低功耗数模混合电路，与数字除法器相比具有得天独厚的优势。
[0004]为实现上述目的，本专利技术的技术方案为：
[0005]一种低功耗电流除法器，其特征在于，包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第一电流源I1、第二电流源I2、第三电流源I3和基准电流源I
ref
；第一电流源I1、第二电流源I2和基准电流源I
ref
的输入端接电源VCC，第三电流源I3的输出端接地，第三电流源I3的输入端接第二电流源I2的输出端，第一NMOS管MN1的漏极和栅极接第一电流源I1的输出，第一NMOS管MN1的源极接第二NMOS管MN2的漏极；第二NMOS管MN2的栅极接第一电流源I1的输出，第二NMOS管MN2的漏极接第二电流源I2的输出，第二NMOS管MN2的源极接地；第三NMOS管MN3的漏极和栅极接基准电流源I
ref
的输出，第三NMOS管MN3的源极接第二NMOS管MN2的漏极和第二电流源I2的输出端；第四NMOS管MN4的栅极接基准电流源I
ref
的输出，其源极接地，其漏极为电流除法器的输出端。
[0006]本专利技术的有益效果为，克服了传统数学逻辑运算对数字电路高依赖性的缺点。该电流除法器结构简单，能够在较大范围内实现输出电流与两输入电流比值成正比的关系。
附图说明
[0007]图1为本专利技术提出的电流除法器电路。
[0008]图2为本专利技术提出的电流除法器运算精度仿真图。
具体实施方式
[0009]下面结合附图，对本专利技术技术方案进行详细描述：
[0010]本专利技术提出的电流除法器电路如图1所示。图1中，VCC为电路高电压区域电源轨，GND为低电压区域电源轨，所有NMOS管都工作在亚阈值区。第一输入电流I1流过第一NMOS管MN1，则
[0011]第一NMOS管MN1的V
GS1
电压可以推出为：
[0012][0013]根据基尔霍夫电流定律，流入V1节点的总电流等于I1+I2+I
ref
，第三电流源I3的电流等于I1+I
ref
，则流过第二NMOS管MN2的电流等于I2，则第二NMOS管MN2的V
GS2
电压可表示为：
[0014][0015]根据式(1)和式(2)，V1节点电压满足：
[0016][0017]同样地，流过第三NMOS管MN3的电流为基准电流I
ref
，则第三NMOS管MN3的V
GS3
可表示为：
[0018][0019]节点V2的电压可表示为V
GS3
与V1相加，为：
[0020][0021]由图1可知，V2等于第四NMOS管MN4的V
GS4
，则流过第四NMOS管MN4的电流I
out
为：
[0022][0023]其中，k为放大系数，与四个MOS管的宽长都有关。从式(6)可以看出，两股输入电流I2、I1的比值通过k倍的基准电流，转换成输出电流I
out
，I
out
与两股输入电流的比值成正比。
[0024]图2展示了在不同放大系数下，输出电流I
out
随输入电流I2的变化图，为便于观察，仿真设置I
ref
＝I1，第一NMOS管MN1尺寸与第三NMOS管MN3尺寸相等，以减小V
GS1
和V
GS3
之间的误差，曲线a
‑
e分别设置k等于2、4、6、8、10。从图中可以看出，曲线a
‑
e的实际仿真斜率分别为1.999、3.971、5.949、7.904、9.855，误差范围(0.05％，1.45％)，放大系数越小除法器精度越高，但最大误差仍然较小，说明本专利技术所提出的电流除法器在电流较宽范围内能够实现高的精度，同时由于所有MOS管工作在亚阈值区的特点，使该结构尤其适用于低功耗应用。
[0025]综上所述，本专利技术所提出的电流除法器具有结构简单、高可靠性的特点，利用四个
工作在亚阈值区的NMOS管组成模拟运算电路，尤其适用于低功耗系统中电流信号的数学处理，摆脱了数学运算电路对数字处理系统的依赖。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功耗电流除法器，其特征在于，包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第一电流源I1、第二电流源I2、第三电流源I3和基准电流源I
ref
；第一电流源I1、第二电流源I2和基准电流源I
ref
的输入端接电源VCC，第三电流源I3的输出端接地，第三电流源I3的输入端接第二电流源I2的输出端，第一NMOS管MN1的漏极和栅极接第一电流源I1的输出，第一NMOS管M...

【专利技术属性】
技术研发人员：周泽坤，龚州，任航，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：