一种面积紧凑的自适应偏置NMOS型LDO电路制造技术

本发明专利技术公开了一种面积紧凑的自适应偏置NMOS型LDO电路，包括误差放大器电路、自适应偏置电流源电路、NMOS管N5、电阻R2、频率补偿电路、用于自适应控制NMOS管N6的开启与关闭的上过冲检测电路和用于自适应控制PMOS管P5的开启与关闭的下过冲检测电路；上过冲检测电路在检测到发生上过冲时打开NMOS管N6，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流；下过冲检测电路在检测到发生下过冲时打开PMOS管P5，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流；NMOS管N5的漏极电性连接到电压源VDD1，源极电性连接到电阻R2的一端并作为LDO电路的输出电源端VP；电阻R2的另一端接地。本发明专利技术不但能够实现过冲输出的快速恢复，而且由于过冲检测电路的简洁结构而具有占用芯片面积小的优点。而具有占用芯片面积小的优点。而具有占用芯片面积小的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种面积紧凑的自适应偏置NMOS型LDO电路


[0001]本专利技术涉及集成电路设计
，具体涉及一种面积紧凑的自适应偏置NMOS型LDO电路。

技术介绍

[0002]图1至3给出了实现全集成LDO线性稳压器的3种基本结构。人们习惯把低压降(LDO)线性稳压器简化称呼为LDO，本专利技术中亦延续这一习惯。其中：
[0003]参见图1所示，第一种结构为采用PMOS管作功率传输管的电路结构，其容易通过密勒补偿得到一个极低的主极点以保证环路的稳定性，具有负载电流范围大、线性调整率和负载调整率好等优点；而且适合在较低电源电压下工作。为了把输出电压过冲控制在一定的范围之内，输出端的等效阻抗必须控制在一定的范围之内，由于PMOS的载流子迁移率低，需要以更大的尺寸和更大的输出级电流(即R取值不能过大)保证输出端的低阻特性。这意味着，在同等的静态电流下其误差放大器的带宽往往小得多、功率传输管栅极负载大得多，因而难以满足全集成线性稳压器的快速响应要求。主要用在负载切换速率小于100mA/μs的场合。
[0004]参见图2所示，第二种结构为采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种面积紧凑的自适应偏置NMOS型LDO电路，包括误差放大器电路、自适应偏置电流源电路、作为功率传输管的NMOS管N5、作为负载电阻的电阻R2、频率补偿电路、上过冲检测电路和下过冲检测电路，其特征在于：所述上过冲检测电路自适应控制NMOS管N6的开启与关闭，所述下过冲检测电路自适应控制PMOS管P5的开启与关闭；所述上过冲检测电路被配置为在检测到发生上过冲时打开NMOS管N6，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流，当输出上过冲电压恢复到接近稳态值时关闭NMOS管N6；所述下过冲检测电路被配置为在检测到发生下过冲时打开PMOS管P5，并通过NMOS管N7～N8构成的电流镜向误差放大器电路提供额外的偏置电流，当输出下过冲电压恢复到接近稳态值时关闭PMOS管P5；所述NMOS管N5的漏极电性连接到电压源VDD1，源极电性连接到电阻R2的一端并作为LDO电路的输出电源端VP；所述电阻R2的另一端接地。2.根据权利要求1所述的面积紧凑的自适应偏置NMOS型LDO电路，其特征在于：所述误差放大器电路选用套筒式共源共栅结构，包括NMOS管N1～N4、PMOS管P1～P4和偏置电流源IB1，其中，所述PMOS管P1的源极电性连接到电压源VDD2，栅极分别电性连接到PMOS管P2的栅极、PMOS管P3的漏极和NMOS管N3的漏极，漏极电性连接到PMOS管P3的源极；所述PMOS管P2的源极电性连接到电压源VDD2，漏极电性连接到PMOS管P4的源极；所述PMOS管P3的栅极分别电性连接到偏置电压源VB2和PMOS管P4的栅极；所述PMOS管P4的漏极分别电性连接到NMOS管N5的栅极和NMOS管N4的漏极；所述NMOS管N3的栅极分别电性连接到偏置电压源VB1和NMOS管N4的栅极，源极电性连接到NMOS管N1的漏极；所述NMOS管N4的源极电性连接到NMOS管N2的漏极；所述NMOS管N1的栅极电性连接到参考电压源VR，源极分别电性连接到NMOS管N1的源极和经偏置电流源IB1接地；所述NMOS管N2的栅极分别电性连接到上过冲检测电路的输入端、下过冲检测电路的输入端和输出电源端VP。3.根据权利要求1所述的面积紧凑的自适应偏置NMOS型LDO电路，其特征在于：所述自适应偏置电流源电路包括NMOS管N6～N8和PMOS管P5，其中，所述PMOS管P5的源极电性连...

【专利技术属性】
技术研发人员：白春风，潘成生，邵子健，乔东海，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：