半导体器件的应力测量装置以及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供的一种半导体器件的应力测量装置以及应力测量方法，涉及半导体技术领域，包括：基台包括相对设置的第一台座和第二台座；第一承接件活动装配在第一台座上，第一承接件上活动装配有至少两个第一滚轴；第二承接件活动装配在第二台座上，第二承接件上活动装配有至少两个第二滚轴；两个第一滚轴相互平行并构成第一平面，两个第二滚轴相互平行并构成第二平面，第一平面与第二平面相互平行，第一承接件的移动轨迹与第一平面垂直，第二承接件的移动轨迹与第二平面垂直。在上述技术方案中，滚轴可以使晶圆试样内的半导体器件内部受到均匀的单轴应力，避免晶圆由于施加外力不当而断裂。而断裂。而断裂。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的应力测量装置以及方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种半导体器件的应力测量装置以及应力测量方法。

技术介绍

[0002]半导体芯片从二维结构发展到三维结构制造的研究，能够在有限的面积内累积更多的芯片和元件，大大的提高了芯片的集成化。而不同的半导体器件封装工艺，可能导致半导体器件中内部中存在着些许的残余应力，引起十分严重的应力效应，对半导体器件的性能造成严重的损坏。现有的测量方法主要针对测量半导体器件内部薄膜间附着力或失效的定量研究，通过失效分析研究薄膜从硅片表面剥落的原因，引入新的分层起裂，显著降低分层起裂的能量势垒，对薄膜界面可能会造成污染的元素进行分析，得出薄膜和硅片之间粘附性失效的具体原因是由于薄片在抛光的减薄的过程中过度抛光导致硅片表面的粗糙度较低导致的，界面的断裂能由界面裂纹稳定扩展所需的临界载荷计算而来。由于存在大量的弹性衬底，金属和环氧薄膜的应力松弛和塑性变形受到限制。目前，用四点弯曲法主要是来测量器件内部薄膜的粘附性和失效的具体原因，在形变的过程中，样品发生损坏的风险较大，进而对实验造成严重的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的应力测量装置，其特征在于，包括：基台，包括相对设置的第一台座和第二台座；第一承接件，活动装配在所述第一台座上，可相对于所述第一台座靠近或远离，所述第一承接件上活动装配有至少两个第一滚轴；第二承接件，活动装配在所述第二台座上，可相对于所述第二台座靠近或远离，所述第二承接件上活动装配有至少两个第二滚轴；两个所述第一滚轴相互平行并构成第一平面，两个所述第二滚轴相互平行并构成第二平面，所述第一平面与所述第二平面相互平行，所述第一承接件的移动轨迹与所述第一平面垂直，所述第二承接件的移动轨迹与所述第二平面垂直。2.根据权利要求1所述的应力测量装置，其特征在于，所述第一承接件为第一压板，所述第二承接件为第二压板，所述第一压板和所述第二压板相互平行。3.根据权利要求2所述的应力测量装置，其特征在于，所述第一压板和所述第二压板的相对两个表面分别开设有多个第一滚轴槽和多个第二滚轴槽，所述第一滚轴槽用于安装所述第一滚轴，所述第二滚轴槽用于安装所述第二滚轴。4.根据权利要求2所述的应力测量装置，其特征在于，所述第一滚轴槽和所述第二滚轴槽均为半圆柱形，所述第一滚轴槽与所述第一滚轴平行，所述第二滚轴槽与所述第二滚轴平行。5.根据权利要求2所述的应力测量装置，其特征在于，还包括：第一伸缩件，两端分别连接所述第一台座和第一压板，且所述第一伸缩杆与所述第一压板相互垂直；和/或，第二伸缩件，两...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恋恋，都安彦，杨红，王文武，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：