一种防反接过压保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种防反接过压保护电路，属于电子电路领域，包括防反接电路、过压断路保护电路和负载；防反接电路包括第一MOSFET管和电阻R1，电阻R1的第一端接电源电压，第二端接第一MOSFET管的栅极，第一MOSFET管的漏极接地；过压断路保护电路包括三极管、第二MOSFET管、电阻R3～R5、稳压管ZD1和ZD2；三极管的基极同时接稳压管ZD1的正极和电阻R4的第一端，集电极同时接电阻R5的第一端、稳压管ZD2的负极和第二MOSFET管的栅极；稳压管ZD1的负极接电阻R3的第一端；负载一端连接电源电压，另一端连接第二MOSFET管的漏极。本实用新型专利技术采用防反接和过压二合一电路，分立器件搭建，节约成本，结构简单，响应快速，即实现反接保护，又实现过压保护。压保护。压保护。

【技术实现步骤摘要】
一种防反接过压保护电路


[0001]本技术涉及电子电路
，特别涉及一种防反接过压保护电路。

技术介绍

[0002]随着电子设备的广泛应用，一些消费类电子产品也逐渐有很高的电压保护要求。为了保护设备，需要实现电源的正负反接保护，同时也要实现在电源电压超标的时候能够很好的保护负载电路。
[0003]消费类产品对价格成本要求很高，常规的过压保护电路采用运放比较器和MCU实现，且只保护了后级器件，价格成本高，响应不够迅速。本设计采用分立器件搭设，从输入端直接断路保护，响应迅速，成本低。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种防反接过压保护电路，以解决常规的过压保护电路成本高、响应不够迅速的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供了一种防反接过压保护电路，包括防反接电路、过压断路保护电路和负载；
[0006]所述防反接电路包括第一MOSFET管Q1和电阻R1，所述电阻R1的第一端接电源电压VCC，第二端接所述第一MOSFET管Q1的栅极，所述第一MOSFET管Q1的漏极接地GND；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防反接过压保护电路，其特征在于，包括防反接电路、过压断路保护电路和负载；所述防反接电路包括第一MOSFET管Q1和电阻R1，所述电阻R1的第一端接电源电压VCC，第二端接所述第一MOSFET管Q1的栅极，所述第一MOSFET管Q1的漏极接地GND；所述过压断路保护电路包括三极管Q2、第二MOSFET管Q3、电阻R3~R5、稳压管ZD1和ZD2；三极管Q2的基极同时接稳压管ZD1的正极和电阻R4的第一端，集电极同时接电阻R5的第一端、稳压管ZD2的负极和第二MOSFET管Q3的栅极；稳压管ZD1的负极接电阻R3的第一端；所述负载一端连接电源电压VCC，另一端连接第二MOSFET管Q3的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿永，刘锡阳，芮振雷，
申请(专利权)人：中科芯集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：