电子元件制造技术

在具有电介质薄膜（４）、在其上层叠的正规电极（１ａ、１ｂ）、在电介质薄膜（４）上经由绝缘性区域（２０）层叠的虚设电极（２ａ、２ｂ）以及在两侧面上设置的辅助电极（３）的电子元件中，为了改善等效串联电阻等的特性，将绝缘性区域（２０）的宽度定为电介质薄膜（４）的厚度的５００倍以上。利用上述结构，可得到改善了因虚设电极引起的频率特性变坏的电子元件，可使用于电容器等。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元件。更详细地说，涉及交替地层叠导电性薄膜和电介质薄膜而构成的以电容器等为代表的电子元件。
技术介绍
在现代社会中，薄膜起作用的范围是非常广的，在包装纸、磁带、电容器、半导体等日常生活的各个部分中，都利用了薄膜。如果没有这些薄膜，那就谈不上近年来的高性能化及小型化那种技术的基本趋势。同时，关于以满足工业的需要的形态形成薄膜的方法，也进行了各种开发，例如，在包装纸、磁带、电容器等的用途中，进行了对于高速大量生产方面有利的连续卷绕真空蒸镀。此时，通过与所形成的薄膜的目的相一致地选择蒸发材料和基板材料，同时，根据需要，在真空槽内导入反应气体及在在基板上设置电位的状态下来形成薄膜，可形成具有所希望的特性的薄膜。例如，在磁记录媒体的制造中，通过使用包含Co、Ni、Fe等磁性元素的蒸发材料、一边在真空槽中导入氧气、一边进行反应蒸镀，可得到长条的磁记录媒体。此外，在半导体中，主要利用溅射法来形成薄膜。溅射法对于使用了陶瓷系列的材料的薄膜形成也是特别有效的，陶瓷薄膜在膜厚为几μm以上的情况下大多由涂敷烧结法来形成，在膜厚为1μm以下的情况下大多由溅射法来形成。另一方面，在使用了树脂材料的薄膜的形成中，一般使用涂敷的方法，在工业上使用换向涂敷(reverse coating)、模子涂敷(diecoating)，使以溶剂稀释的材料在涂敷工序后干燥硬化。此外，虽然用这些方法形成的树脂薄膜的膜厚的下限由所使用的材料来决定，但该下限大多在1μm左右，一般难以得到在其之下的膜厚。由于利用一般的涂敷工序装置在涂敷工序之后的涂敷厚度为几μm以上，故在极薄的树脂膜的形成方面，需要溶剂稀释，而且大多不能得到1μm以下的树脂薄膜。再者，如果进行溶剂稀释，则除了容易在干燥后的涂膜中产生缺陷之外，从环境保护的观点来看也是不理想的。因此，希望有即使不进行溶剂稀释也能形成树脂薄膜的方法以及能稳定地得到极薄的树脂薄膜的方法。作为解决该问题的方法，已提出了在真空中形成树脂薄膜的方法(例如，U.S.P.5,032,461)。该方法是在真空中使树脂材料雾化后附着于支撑体上的方法，按照该方法，可形成没有空隙缺陷的树脂薄膜，同时，也不需要溶剂稀释。通过在陶瓷薄膜或树脂薄膜上再层叠不同种类的薄膜，可得到迄今为止不能得到的各种复合薄膜，其工业方面的应用领域的分支非常多。其中片状的电子元件是非常有希望的，可利用薄膜层叠方法将电容器、线圈、电阻、电容性电池或这些元件的复合元件等形成为极为小型且高性能的元件，已经开始了这些元件的商品化及市场的扩大。在使用了薄膜的电子元件中，除了基本性能之外，电极的引出是重要的。特别是，如果象层叠了陶瓷薄膜或树脂薄膜和金属薄膜的片状元件那样，导电体部是薄膜，则为了能得到可耐受安装的电极强度，有时在薄膜的端部设置焊锡粘附用的辅助电极。此时，为了得到辅助电极与金属薄膜之间的粘接力，形成与辅助电极相接的虚设电极是有效的。如果以层叠由陶瓷薄膜或树脂薄膜构成的电介质薄膜和导电性薄膜的情况为例，则如图6中示出的示意概略图那样，在第一导电性薄膜1a上形成电介质薄膜4、再在电介质薄膜4上形成第二导电性薄膜1b时，最好预先将在与第一导电性薄膜1a大致相同的平面上经由绝缘性区域20与第二导电性薄膜1b电位大致相同的第三导电性薄膜2a作为虚设电极来形成，并且，将在与第二导电性薄膜1b大致相同的平面上经由绝缘性区域20与第一导电性薄膜1a电位大致相同的第四导电性薄膜2b作为虚设电极来形成。其后，如果在薄膜的端部形成辅助电极3，则除了作为原来的正规电极的第一、第二导电性薄膜1a、1b之外，辅助电极3也附着于作为虚设电极的第三、第四导电性薄膜2a、2b上，提高了辅助电极3的粘接强度。从片状元件的小型化方面来看，当然希望虚设电极部分2a、2b较小。但是，如上所述，在使用了虚设电极的情况下，虽然粘接强度提高了，但有产生特性方面的问题的情况。即，已判明了，由于虚设电极作为电极起作用，故产生电子元件的特性的下降，成为实现高性能化的障碍。例如，在形成了图6中示出的剖面结构那样的具有虚设电极的电容器的情况下，阻抗的频率特性中的陷落点(dip point)的锐度有时有一些变钝，此时，在陷落点处的阻抗增加了10～15％。在使用电容器去除噪声或构成滤波器等时，在陷落点处的阻抗是重要的，因而，要求兼顾辅助电极的粘接强度和高性能。此外，在形成具有虚设电极的片状线圈时也产生同样的问题。专利技术的公开本专利技术的目的在于，在具有虚设电极的电子元件中，提供一种在阻抗的频率特性中的陷落点(dip point)处的等效串联电阻小的电子元件。为了达到上述目的，本专利技术的电子元件是至少在第一导电性薄膜上形成电介质薄膜、再在上述电介质薄膜上形成第二导电性薄膜而构成的电子元件，其特征在于在与上述第一导电性薄膜大致相同的平面上经由绝缘性区域形成了与上述第二导电性薄膜电位大致相同的第三导电性薄膜，并且在与上述第二导电性薄膜大致相同的平面上经由绝缘性区域形成了与上述第一导电性薄膜电位大致相同的第四导电性薄膜，再者，上述第一导电性薄膜与上述第三导电性薄膜的间隔和上述第二导电性薄膜与上述第四导电性薄膜的间隔都为上述电介质薄膜的厚度的500倍以上。本专利技术通过作成上述的结构，可得到等效串联电阻小的层叠薄膜，再有，可实现高性能电容器等的高性能电子元件。在上述结构中，可由树脂薄膜来构成上述电介质薄膜。树脂薄膜在绝缘性和介电特性方面是良好的。此外，通过在对树脂材料进行了气化或雾化后使其附着于支撑体上，可容易地形成极薄的树脂薄膜。因而，例如在电子元件是电容器的情况下，可得到小型且大容量的电容器。在上述结构中，上述树脂薄膜至少包含丙烯酸酯作为主要成分是较为理想的。这是因为，这样的树脂材料在绝缘性和介电特性等的电特性方面是良好的，此外，可比较容易地形成没有空隙缺陷的薄膜。在上述结构中，上述导电性薄膜由金属薄膜构成是较为理想的。这是因为，金属薄膜在导电性方面是良好的，在薄膜的形成方面也是容易的。在上述结构中，上述导电性薄膜和上述电介质薄膜分别至少具有2层以上的交替重复的层叠结构是较为理想的。这是因为，通过层叠多个层，可提高作为电子元件的集成度，可作成小型且高性能的电子元件。例如，在作为电子元件得到电容器的情况下，通过层叠多个层，可增大作为电容器的容量。而且，按照本专利技术，即使作成小型形状，也可减小在陷落点处的等效串联电阻。于是，可得到小型大容量且在频率特性方面也良好的电容器。在上述结构中，由辅助电极来连接上述第一导电性薄膜与上述第四导电性薄膜、上述第二导电性薄膜与上述第三导电性薄膜的每一个是较为理想的。与电介质薄膜相比，导电性薄膜对辅助电极的附着强度的贡献大。因而与导电性薄膜的粘接部分越多，辅助电极的附着强度越提高。通过将分别与第一导电性薄膜和第二导电性薄膜电位相同的第四导电性薄膜和第三导电性薄膜作为虚设电极来设置，并将其与辅助电极连接起来，可进一步提高辅助电极的附着强度。而且，按照本专利技术，可将对于与辅助电极连接的这样的虚设电极的电特性的不良影响抑制到最小限度。在上述结构中，上述导电性薄膜和上述电介质薄膜的层叠体的一部分或全部用作电容器是较为理想的。本专利技术的电子元件虽然具有虚设电极，但频率特性良好。而且，如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件，该电子元件中至少在第一导电性薄膜上形成电介质薄膜、再在上述电介质薄膜上形成第二导电性薄膜而构成，其特征在于： 在与上述第一导电性薄膜大致相同的平面上经由绝缘性区域形成了与上述第二导电性薄膜电位大致相同的第三导电性薄膜，并且在与上述第二导电性薄膜大致相同的平面上经由绝缘性区域形成了与上述第一导电性薄膜电位大致相同的第四导电性薄膜，再者，上述第一导电性薄膜与上述第三导电性薄膜的间隔和上述第二导电性薄膜与上述第四导电性薄膜的间隔都为上述电介质薄膜的厚度的５００倍以上。

【技术特征摘要】
JP 1997-3-17 62652/971.一种电子元件，该电子元件中至少在第一导电性薄膜上形成电介质薄膜、再在上述电介质薄膜上形成第二导电性薄膜而构成，其特征在于在与上述第一导电性薄膜大致相同的平面上经由绝缘性区域形成了与上述第二导电性薄膜电位大致相同的第三导电性薄膜，并且在与上述第二导电性薄膜大致相同的平面上经由绝缘性区域形成了与上述第一导电性薄膜电位大致相同的第四导电性薄膜，再者，上述第一导电性薄膜与上述第三导电性薄膜的间隔和上述第二导电性薄膜与上述第四导电性薄膜的间隔都为上述电介质薄膜的厚度的500倍以上。2.如权利要求1中所述的电子元件，其特征在于上述电介质薄膜由树脂薄膜构成。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：本田和义，越后纪康，小田桐优，砂流伸树，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]