温度补偿用薄膜电容器制造技术

本发明专利技术的目的在于提供出一种可以容易地实现小型化、薄型化、轻型化且可以实施温度补偿的薄膜电容器，本发明专利技术的另一目的在于提供出一种可以满足上述条件且在高频频带处具有良好Ｑ值的薄膜电容器。本发明专利技术提供的一种薄膜电容器的特征在于在一对电极３、７之间，夹装有两个以上的、相对介电常数彼此不同的第一电介质材料薄膜４、６和第二电介质材料薄膜５。而且，本发明专利技术提供的一种薄膜电容器还可以进一步使所述第一电介质材料薄膜的容量温度系数绝对值为５０ｐｐｍ／℃以下，使所述第二电介质材料薄膜的容量温度系数为负值且使其绝对值为５００ｐｐｍ／℃以上。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可以对半导体元件的结合电容量对温度的依赖性实施补偿，进而可以减小使用着这种薄膜电容器的电子线路对温度依赖性的薄膜电容器。
技术介绍
这类薄膜电容器通常由叠层设置在基板上的下部电极层、电介质材料层和上部电极层构成，根据不同情况，也可以在具有下部电极层功能的半导体基板上，依次叠层设置有电介质材料层和上部电极层。对于这种薄膜电容器，需要能够使电介质材料层的相对介电常数和Q值比较大，并且在共振频率的温度系数方面需要获得以O为中心的正值或负值的温度系数。现有技术中作为具有这种性质的电介质组成物，目前有以下的已经是公知的。这类电介质组成物是在BaO-TiO2类的电介质材料中，添加入诸如氧化钐(Sm2O3)、氧化钆(Gd2O3)、氧化镝(Dy2O3)、氧化铕(Eu2O3)烧制而成的材料。但是，为获得这种现有技术中的电介质型瓷质组成物的技术，只能将相对介电常数εr控制在61～72的范围内，将温度系数τ控制在-24～31ppm/℃的范围内。
技术实现思路
在这种技术背景下进行的技术开发，已经能够获得对由共振频率用温度系数为正值的第一电介质型瓷质组成物构成的薄板，和由共振频率用温度系数为负本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度补偿用薄膜电容器，其特征在于在一对电极之间夹装有两个以上的、相对介电常数彼此不同的第一电介质材料薄膜和第二电介质材料薄膜。

【技术特征摘要】
JP 2000-8-25 256405/001.一种温度补偿用薄膜电容器，其特征在于在一对电极之间夹装有两个以上的、相对介电常数彼此不同的第一电介质材料薄膜和第二电介质材料薄膜。2.如权利要求1所述的温度补偿用薄膜电容器，其特征在于所述第一电介质材料薄膜的容量温度系数绝对值为50ppm/℃以下，所述第二电介质材料薄膜的容量温度系数为负值且使其绝对值为500ppm/℃以上。3.如权利要求1所述的温度补偿用薄膜电容器，其特征在于所述第二电介质材料薄膜由多结晶体构成，并且由构成所述第二电介质材料薄膜用的若干个结晶颗粒构成的晶粒边界，为沿所述第二电介质材料薄膜的膜面方向存在有若干个，沿薄膜厚度方向不存在有10个以上。4.如权利要求1所述的温度补偿用薄膜电...

【专利技术属性】
技术研发人员：北川均，佐佐木真，
申请(专利权)人：阿尔卑斯电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]