温度补偿用薄膜电容器制造技术

本发明专利技术通过只使用两种电介质薄膜材料，而获得可以依据需要确定静电容量温度系数的薄膜电容器。这种薄膜电容器可以在位于基板１处的下部电极层２的上侧面处，设置有具有预定静电容量温度系数的电介质薄膜３。而且，还设置有盖覆在该电介质薄膜３的上侧表面边缘部到电介质薄膜３上的台阶部处的、具有与预定静电容量温度系数不同的静电容量温度系数的第二电介质薄膜４，以及在盖覆在电介质薄膜３和第二电介质薄膜４处的上部电极层５。而且，可以通过对位于下部电极层２和上部电极层５间的电介质薄膜３与第二电介质薄膜４间的重合区域面积实施调整方式，对静电容量温度系数实施设定。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在电子回路中对半导体元件的结合电容量对温度的依赖性实施补偿、进而减小整个电子回路温度依赖性的温度补偿用薄膜电容器。
技术介绍
这种薄膜电容器通常由叠层设置在基板上的下部电极层、电介质层和上部电极层构成，有时，还可以在具有下部电极层功能的半导体基板上，依次叠层设置有电介质层和上部电极层。
技术实现思路
现有技术中对于需要对这种薄膜电容器的静电容量温度系数实施种种选择的情况，采用的是寻找具有与所需要静电容量温度系数相接近的静电容量温度系数的电介质材料，并用其制作电介质层的方式。然而，对于小型的薄膜电容器，其电介质材料层的厚度需要在0.5μm以下，所以难以找到不仅静电容量温度系数，而且薄膜成型条件、介电常数、绝缘耐电压强度等诸条件都满足薄膜电容器要求的电介质材料，这使得可实施的静电容量温度系数受到限制。而且，在电介质端部处设置有第二电介质薄膜的薄膜电容器目前也已经是公知的，这种薄膜电容器能够改善薄膜电容器上电介质端部处的耐电压强度。然而，这种设置有第二电介质薄膜的电容器，虽然可以不断地提高位于电介质端部处的耐电压强度，但是却不能对静电容量温度系数实施所需要的控制。因此，必须具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度补偿用薄膜电容器，其特征在于具有设置在基板上的下部电极层，设置在该下部电极层的上表面处的、具有预定静电容量温度系数的电介质薄膜组件，盖覆在该电介质薄膜组件的上侧表面边缘部到所述下部电极层侧面部处的台阶部，或是盖覆在该电介质薄膜组件的上侧表面边缘部到位于该电介质薄膜组件上的薄膜侧面部处的、具有与所述预定静电容量温度系数不同的静电容量温度系数的第二电介质薄膜，以及设置在所述电介质薄膜组件上方与所述下部电极层相对位置处的上部电极层，而且通过对位于所述下部电极层和所述上部电极层间仅设置有所述电介质薄膜组件的区域面积，与由所述电介质薄膜组件和所述第二电介质薄膜构成的重合区域面积实施调整方式，对静...

【技术特征摘要】
JP 2000-8-30 266016/00;JP 2000-9-26 297084/001.一种温度补偿用薄膜电容器，其特征在于具有设置在基板上的下部电极层，设置在该下部电极层的上表面处的、具有预定静电容量温度系数的电介质薄膜组件，盖覆在该电介质薄膜组件的上侧表面边缘部到所述下部电极层侧面部处的台阶部，或是盖覆在该电介质薄膜组件的上侧表面边缘部到位于该电介质薄膜组件上的薄膜侧面部处的、具有与所述预定静电容量温度系数不同的静电容量温度系数的第二电介质薄膜，以及设置在所述电介质薄膜组件上方与所述下部电极层相对位置处的上部电极层，而且通过对位于所述下部电极层和所述上部电极层间仅设置有所述电介质薄膜组件的区域面积，与由所述电介质薄膜组件和所述第二电介质薄膜构成的重合区域面积实施调整方式，对静电容量温度系数实施设定。2.如权利要求1所述的温度补偿用薄膜电容器，其特征在于所述电介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：北川均，佐佐木真，佐佐木顺彦，
申请(专利权)人：阿尔卑斯电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]