【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及树脂薄膜和金属薄膜叠层而成的叠层体，以及采用它的电容器和电子零件。此外，本专利技术涉及适合于对其进行制造的制造方法和制造装置。用附图来说明树脂薄膜和金属薄膜的叠层体的制造方法之一例。图22是示意地表示用来实施现有技术的叠层体的制造方法的制造装置之一例的剖视图。在图22中，915是真空槽，916是使真空槽915内部维持规定的真空度的真空泵，911是设在真空槽915内，沿图中箭头方向旋转的圆筒形的筒转子，912是树脂薄膜形成装置，913是图案形成材料供给装置，914是金属薄膜形成装置，917是图案形成材料去除装置，918是树脂固化装置，919是表面处理装置，920a、920b是用来把金属薄膜形成区与其他区隔开的隔壁，922是设在隔壁920a、920b上的开口，923是为了防止在需要时以外形成金属薄膜而关闭开口922用的遮挡板。树脂薄膜形成装置912加热气化或雾化用来形成树脂薄膜的树脂材料，向筒转子911的外周面放出。因为筒转子911被冷却到规定的温度，所以树脂材料被冷却并在筒转子911的外周面上堆积成膜状。堆积的树脂材料根据需要由树脂固化装置918...
【技术保护点】
一种叠层体，是多个树脂薄膜和多个金属薄膜叠层而成的叠层体，其特征在于，前述金属薄膜的端部不在前述叠层体的外部露出，前述树脂薄膜的至少一层有叠层方向的通孔，上下的前述金属薄膜经由前述通孔电气上连接，前述金属薄膜的至少一层经由前 述通孔能够向外部抽出电极。
【技术特征摘要】
JP 2000-4-14 113368/00;JP 2000-4-28 131579/001.一种叠层体，是多个树脂薄膜和多个金属薄膜叠层而成的叠层体，其特征在于，前述金属薄膜的端部不在前述叠层体的外部露出，前述树脂薄膜的至少一层有叠层方向的通孔，上下的前述金属薄膜经由前述通孔电气上连接，前述金属薄膜的至少一层经由前述通孔能够向外部抽出电极。2.根据权利要求1中所述的叠层体，其特征在于，在前述通孔中填充导电性物质，上下的前述金属薄膜经由前述导电性物质电气上连接。3.根据权利要求1中所述的叠层体，其特征在于，上下的前述金属薄膜经由前述通孔直接连接。4.一种叠层体，是多个树脂薄膜和多个金属薄膜叠层而成的叠层体，其特征在于，前述树脂薄膜的至少一层在周围的一部分上有缺口部，上下的前述金属薄膜经由前述缺口部电气上连接，前述金属薄膜的至少一层经由前述缺口部能够向外部抽出电极。5.根据权利要求4中所述的叠层体，其特征在于，在前述缺口部中填充导电性物质，上下的前述金属薄膜经由前述导电性物质电气上连接。6.根据权利要求4中所述的叠层体，其特征在于，上下的前述金属薄膜经由前述缺口部直接连接。7.根据权利要求4中所述的叠层体，其特征在于，前述树脂薄膜大体上为矩形，在前述树脂薄膜的前述缺口部所形成的边以外的边处前述金属薄膜后退地形成。8.一种电容器，是用多个树脂薄膜和多个金属薄膜叠层而成的叠层体构成的电容器，其特征在于，前述金属薄膜的端部不在前述叠层体的外部露出，前述树脂薄膜的至少一层有叠层方向的通孔，前述金属薄膜经由前述通孔每隔一层成为同电位地电气上连接，同电位地连接的前述金属薄膜经由前述通孔能够向外部抽出电极。9.根据权利要求8中所述的电容器，其特征在于，在前述通孔中填充导电性物质，前述金属薄膜经由前述导电性物质电气上连接。10.根据权利要求8中所述的电容器，其特征在于，前述金属薄膜经由前述通孔直接连接。11.根据权利要求8中所述的电容器，其特征在于，前述金属薄膜在同一面上分离成多个地形成，在同一面上形成多个静电电容形成区。12.根据权利要求11中所述的电容器，其特征在于，还有与前述金属薄膜绝缘的贯通电极。13.一种半导体集成电路，其特征在于，在插件内内装根据权利要求8～12中的任何一项中所述的电容器。14.一种多层配线基板，其特征在于，在表面或内部结合根据权利要求8～12中的任何一项中所述的电容器而构成。15.一种电容器，是用多个树脂薄膜和多个金属薄膜叠层而成的叠层体构成的电容器，其特征在于，前述树脂薄膜的至少一层在周围的一部分上有缺口部，前述金属薄膜经由前述缺口部每隔一层成为同电位地电气上连接，同电位地连接的前述金属薄膜经由前述缺口部能够向外部抽出电极。16.根据权利要求15中所述的电容器，其特征在于，在前述缺口部中填充导电性物质，前述金属薄膜经由前述导电性物质电气上连接。17.根据权利要求15中所述的电容器，其特征在于，前述金属薄膜经由前述缺口部直接连接。18.根据权利要求15中所述的电容器，其特征在于，前述树脂薄膜大体上为矩形，在前述树脂薄膜的前述缺口部所形成的边以外的边处前述金属薄膜后退地形成。19.一种叠层体的制造方法，是树脂薄膜和金属薄膜交互叠层而成的叠层体的制造方法，其特征在于，包括在前述树脂薄膜的形成区内比前述树脂薄膜的形成面积要小地形成前述金属薄膜，并且每形成一层金属薄膜就变更前述金属薄膜的形成位置，交互叠层树脂薄膜和金属薄膜的工序，形成贯通前述树脂薄膜和金属薄膜的通孔的工序，以及在前述通孔中填充导电性材料，把前述金属薄膜的至少一部分与前述导电性材料电气上连接起来的工序。20.根据权利要求19中所述的叠层体的制造方法，其特征在于，还包括形成贯通前述树脂薄膜、不贯通前述金属薄膜的第2通孔的工序，以及在前述第2通孔中填充导电性材料的工序。21.一种叠层体的制造方法，是以形成树脂薄膜的工序、形成金属薄膜的工序、以及在规定位置上形成贯通前述树脂薄膜和金属薄膜的通孔的工序为一个单位，通过在支持体上反复进行这些而交互叠层前述树脂薄膜和前述金属薄膜的叠层体的制造方法，其特征在于，在前述树脂薄膜的形成区内比前述树脂薄膜的形成面积要小地形成前述金属薄膜，并且每形成一层金属薄膜就变更前述金属薄膜的形成位置，而且，使前述通孔沿叠层方向连续地形成，在前述连续的通孔中填充导电性材料，把前述金属薄膜的至少一部分与前述导电性材料电气上连接起来。22.根据权利要求21中所述的叠层体的制造方法，其特征在于，还包括形成贯通前述树脂薄膜、不贯通前述金属薄膜的第2通孔的工序，沿叠层方向连续地形成前述第2通孔，在前述连续的第2通孔中填充导电性材料。23.一种叠层体的制造方法，是以形成树脂薄膜的工序、在前述树脂薄膜上形成通孔的工序、在前述树脂薄膜上形成金属薄膜的工序为一个单位，通过在支持体上反复进行这些而交互叠层前述树脂薄膜和前述金属薄膜的叠层体的制造方法，其特征在于，在前述树脂薄膜的形成区内比前述树脂薄膜的形成面积要小地形成前述金属薄膜，并且每形成一层金属薄膜就变更前述金属薄膜的形成位置，而且，通过在形成前述金属薄膜的区内形成前述通孔，经由前述通孔把叠层方向的多个前述金属薄膜电气上连接起来。24.根据权利要求23中所述的叠层体的制造方法，其特征在于，在前述树脂薄膜形成后，前述金属薄膜形成前，在前述树脂薄膜的不形成金属薄膜的区中进一步形成第2通孔，使前述第2通孔沿叠层方向连续，在前述连续的第2通孔中填充导电性材料。25.根据权利要求19、21或23中所述的叠层体的制造方法，其特征在于，在形成前述金属薄膜后，通过大体上格子形地扫描激光来限制前述金属薄膜的形成区。26.根据权利要求19、21或23中所述的叠层体的制造方法，其特征在于，通过在形成前述树脂薄膜后，并在树脂薄膜表面上大体上格子形地涂油后再形成金属薄膜来限制前述金属薄膜的形成区。27.根据权利要求26中所述的叠层体的制造方法，其特征在于，在沿一个方向移动的支持体上进行前述叠层体的制造，用具备与前述树脂薄膜表面对向配置的微细孔的至少一对喷嘴，使前述各喷嘴沿与前述支持体的移动方向大致垂直的方向往复移动，使各喷头的前述微细孔在前述树脂薄膜上描出的轨迹相对前述支持体的移动方向成大致45度，进行前述涂油。28.一种电容器的制造方法，其特征在于，包括在前述树脂薄膜的形成区内比前述树脂薄膜的形成面积要小地形成前述金属薄膜，并且每形成一层金属薄膜就变更前述金属薄膜的形成位置，交互叠层树脂薄膜和金属薄膜的工序，形成贯通前述树脂薄膜和金属薄膜的通孔的工序，以及在前述通孔中填充导电性材料，每隔一层把前述金属薄膜电气上连接起来的工序。29.根据权利要求28中所述的电容器的制造方法，其特征在于，在形成前述通孔后，填充前述导电性材料前，等离子体处理前述通孔内壁面。30.一种电容器的制造方法，是以形成树脂薄膜的工序、形成金属薄膜的工序、以及在规定位置上形成贯通前述树脂薄膜和金属薄膜的通孔的工序为一个单位，通过在支持体上反复进行这些的电容器的制造方法，其特征在于，在前述树脂薄膜的形成区内比前述树脂薄膜的形成面积要小地形成前述金属薄膜，并且每形成一层金属薄膜就变更前述金属薄膜的形成位置，而且，使前述通孔沿叠层方向连续地形成，在前述连续的通孔中填充导电性材料，每隔一层把前述金属薄膜电气上连接起来。31.根据权利要求30中所述的电容器的制造方法，其特征在于，等离子体处理前述通孔的内壁面。32.一种电容器的制造方法，是以形成树脂薄膜的工序、在前述树脂薄膜上形成通孔的工序、以及在前述树脂薄膜上形成金属薄膜的工序为一个单位，通过在支持体上反复进行这些的电容器的制造方法，其特征在于，在前述树脂薄膜的形成区内比前述树脂薄膜的形成面积要小地形成前述金属薄膜，并且每形成一层金属薄膜就变更前述金属薄膜的形成位置，而且，通过在形成前述金属薄膜的区内形成前述通孔，经由前述通孔每隔一层把前述金属薄膜电气上连接起...
【专利技术属性】
技术研发人员：本田和义，越后纪康，贝义昭，小田桐优，砂流伸树，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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