叠层体,电容器,电子零件及其制造方法和制造装置制造方法及图纸

一种制造叠层体、电容器、和电子零件的方法。交互地叠层树脂薄膜（１２）和金属薄膜（１１ａ、１１ｂ）。金属薄膜（１１ａ、１１ｂ）在树脂薄膜（１２）周边端后退形成。形成沿叠层方向贯通的通孔（１３ａ、１３ｂ），向通孔中填充导电性材料（１４ａ、１４ｂ）。导电性材料（１４ａ、１４ｂ）分别与金属薄膜（１１ａ、１１ｂ）电气上连接。由于金属薄膜不在树脂薄膜的外周部露出，所以金属薄膜不容易被腐蚀，而且在制造过程中可以避免金属薄膜的切断。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及树脂薄膜和金属薄膜叠层而成的叠层体，以及采用它的电容器和电子零件。此外，本专利技术涉及适合于对其进行制造的制造方法和制造装置。用附图来说明树脂薄膜和金属薄膜的叠层体的制造方法之一例。图22是示意地表示用来实施现有技术的叠层体的制造方法的制造装置之一例的剖视图。在图22中，915是真空槽，916是使真空槽915内部维持规定的真空度的真空泵，911是设在真空槽915内，沿图中箭头方向旋转的圆筒形的筒转子，912是树脂薄膜形成装置，913是图案形成材料供给装置，914是金属薄膜形成装置，917是图案形成材料去除装置，918是树脂固化装置，919是表面处理装置，920a、920b是用来把金属薄膜形成区与其他区隔开的隔壁，922是设在隔壁920a、920b上的开口，923是为了防止在需要时以外形成金属薄膜而关闭开口922用的遮挡板。树脂薄膜形成装置912加热气化或雾化用来形成树脂薄膜的树脂材料，向筒转子911的外周面放出。因为筒转子911被冷却到规定的温度，所以树脂材料被冷却并在筒转子911的外周面上堆积成膜状。堆积的树脂材料根据需要由树脂固化装置918照射电子射线或紫外线等而被固化处理成想要的硬度。接着，所形成的树脂薄膜根据需要由表面处理装置919施行氧等离子体处理等，树脂薄膜表面被活化。图案形成材料供给装置913是用来通过用所谓涂油图案形成法的方法在金属薄膜上形成空缺部(也称为非金属带)，借此使金属薄膜图案形成为规定的形状的装置。如果在树脂薄膜上预先薄薄地形成图案形成材料后，通过蒸气沉积等形成金属薄膜，则在图案形成材料上不形成金属薄膜，而形成空缺部。这样一来所形成的金属薄膜以图案形成部分空缺的状态形成，可以形成具有想要的图案的金属薄膜。图案形成材料在图案形成材料供给装置913内被气化，从在规定位置上朝向筒转子911的外周面所形成的微细孔放出。微细孔通常与筒转子911的旋转轴方向大体上平行地隔着规定间隔配置多个。由此，在形成金属薄膜的面上，图案形成材料预先薄薄地涂布成多个带状。然后，靠金属薄膜形成装置914通过蒸气沉积等形成金属薄膜。然后，靠图案形成材料去除装置917去除多余的图案形成材料。如果用以上的制造装置900，则在使遮挡板923避让而打开开口922的状态下，制造出在周转的筒转子911的外周面上，由树脂薄膜形成装置912产生的树脂薄膜和由金属薄膜形成装置914产生的金属薄膜交互叠层而成的叠层体，此外，在遮挡板923遮挡开口922的状态下，制造出在周转的筒转子911的外周面上，由树脂薄膜形成装置912产生的树脂薄膜连续叠层而成的叠层体。此外，与筒转子911的旋转同步地使图案形成材料供给装置913沿与筒转子911的旋转轴平行方向移动(例如往复运动)，借此可以形成空缺部位置不同的金属薄膜。这样一来，在筒转子911的外周面上形成由金属薄膜和树脂薄膜构成的圆筒形多层叠层体，然后，沿半径方向切断叠层体并从筒转子911上取下，通过进行平板压制，可以得到例如图23那样的元件母体930。在图23中，931是金属薄膜，932是树脂薄膜，933是空缺部(金属薄膜的未形成区)，箭头938与筒转子911外周面的行进方向一致。图23的叠层体元件母体930通过层936a、层935a、层934、层935b、层936b在筒转子911上依次叠层来制造。这里，层936a、层936b是使遮挡板923关闭仅连续叠层树脂薄膜的层，层934和层935a、935b是使遮挡板932避让，交互叠层金属薄膜931和树脂薄膜932的层。此外，层934是筒转子911每转一圈时变更图案形成材料的附着位置而叠层的。在例如切断面939a、939b处切断此一叠层体元件母体930，在切断面939a上形成外部电极，借此可以得到多个图24中所示的芯片电容器940。在图24中，941a、941b是与金属薄膜931电气上连接而形成的外部电极。用上述方法所得到的电容器，由于可以使成为介电体层的树脂薄膜的厚度极其薄，所以成为小型而大容量的电容器。可是，在用上述方法进行的电容器等电子零件的制造中存在着以下问题。首先，在切断面939a、939b处切断叠层体元件母体930的场合，金属薄膜931必定被切断。切断例如用刀具剪断来进行。此时切断面上发生金属薄膜931的毛刺或切屑。由于用上述方法所得到的树脂薄膜或金属薄膜极其薄，所以金属薄膜931的毛刺或切屑有时使夹着树脂薄膜的上下金属薄膜彼此短路。这成为使所得到的电容器的耐电压或绝缘电阻降低的原因。此外，为了切断金属薄膜，需要比切断树脂薄膜的场合大得多的切断力。因而，如果切断条件不合适则成为切断金属薄膜的原因，有时叠层体在切断面附近变形或金属薄膜受拉伸而在叠层体内部金属薄膜断裂。叠层体外形的变形在作为电子零件使用的场合使安装于电路基板之际的安装性降低。此外，金属薄膜在叠层体内部的断裂招致电子零件的特性恶化，成品率的降低。进而，切断金属薄膜意味着金属薄膜在切断面上露出。如果金属薄膜在切断面上露出，则金属薄膜的氧化或生锈等腐蚀从切断面进行。如果作为电极发挥功能的金属薄膜腐蚀，则所得到的电子零件的可靠性显著降低。为了防止这种情况，有必要在切断面上施行树脂涂层等覆盖处理，招致工序数的增加和成本的提高。此外，在金属薄膜在切断面上露出的状态下，例如在安装于电路基板之际有时焊锡附着在露出的金属薄膜上而短路。为了防止这种情况，有必要在安装时特别考虑，成为安装上的限制。进而，为了形成与金属薄膜电气上连接的外部电极不得不切断金属薄膜使其露出。可是，最好是不会在未打算形成外部电极的切断面处切断金属薄膜，此外，金属薄膜不在切断面上露出。此外，图24的电容器一个芯片构成一个电容器元件。因而，在有必要在电路基板等上搭载多个电容器的场合，就需要与其数目相对应的电容器，妨碍安装面积的小型化，此外招致工序数的增大。此外，虽然为了半导体芯片的高速驱动，缩短半导体芯片与周边元件的连接电路长度是有效的，但是如果搭载多个电容器，则电路长度必然变长，妨碍信号处理的高速化。为了实现上述目的，本第I专利技术取为以下的构成。本第I专利技术的第1叠层体是多个树脂薄膜和多个金属薄膜叠层而成的叠层体，其特征在于，前述金属薄膜的端部不在前述叠层体的外部露出，前述树脂薄膜的至少一层有叠层方向的通孔，上下的前述金属薄膜经由前述通孔电气上连接，前述金属薄膜的至少一层经由前述通孔能够向外部抽出电极。如果用这样的第1叠层体，则因为金属薄膜的端部不在前述叠层体的外部露出，所以不容易产生金属薄膜的腐蚀等。此外，因为制造过程中没有切断金属薄膜，所以可以抑制金属薄膜的切断时产生的问题，例如金属薄膜的毛刺或切屑、金属薄膜的断裂、叠层体的变形等的发生。此外，金属薄膜经由通孔向外部抽出电极成为可能，借此可以提供能够作为电子零件使用的叠层体。此外，本第I专利技术的第2叠层体是多个树脂薄膜和多个金属薄膜叠层而成的叠层体，其特征在于，前述树脂薄膜的至少一层在周围的一部分上有缺口部，上下的前述金属薄膜经由前述缺口部电气上连接，前述金属薄膜的至少一层经由前述缺口部能够向外部抽出电极。如果用这样的第2叠层体，则金属薄膜经由缺口部向外部抽出电极成为可能，借此可以提供能够作为电子零件使用的叠层体。在上述第2叠层体中，最好是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层体，是多个树脂薄膜和多个金属薄膜叠层而成的叠层体，其特征在于，前述金属薄膜的端部不在前述叠层体的外部露出，前述树脂薄膜的至少一层有叠层方向的通孔，上下的前述金属薄膜经由前述通孔电气上连接，前述金属薄膜的至少一层经由前 述通孔能够向外部抽出电极。

【技术特征摘要】
JP 2000-4-14 113368/00;JP 2000-4-28 131579/001.一种叠层体，是多个树脂薄膜和多个金属薄膜叠层而成的叠层体，其特征在于，前述金属薄膜的端部不在前述叠层体的外部露出，前述树脂薄膜的至少一层有叠层方向的通孔，上下的前述金属薄膜经由前述通孔电气上连接，前述金属薄膜的至少一层经由前述通孔能够向外部抽出电极。2.根据权利要求1中所述的叠层体，其特征在于，在前述通孔中填充导电性物质，上下的前述金属薄膜经由前述导电性物质电气上连接。3.根据权利要求1中所述的叠层体，其特征在于，上下的前述金属薄膜经由前述通孔直接连接。4.一种叠层体，是多个树脂薄膜和多个金属薄膜叠层而成的叠层体，其特征在于，前述树脂薄膜的至少一层在周围的一部分上有缺口部，上下的前述金属薄膜经由前述缺口部电气上连接，前述金属薄膜的至少一层经由前述缺口部能够向外部抽出电极。5.根据权利要求4中所述的叠层体，其特征在于，在前述缺口部中填充导电性物质，上下的前述金属薄膜经由前述导电性物质电气上连接。6.根据权利要求4中所述的叠层体，其特征在于，上下的前述金属薄膜经由前述缺口部直接连接。7.根据权利要求4中所述的叠层体，其特征在于，前述树脂薄膜大体上为矩形，在前述树脂薄膜的前述缺口部所形成的边以外的边处前述金属薄膜后退地形成。8.一种电容器，是用多个树脂薄膜和多个金属薄膜叠层而成的叠层体构成的电容器，其特征在于，前述金属薄膜的端部不在前述叠层体的外部露出，前述树脂薄膜的至少一层有叠层方向的通孔，前述金属薄膜经由前述通孔每隔一层成为同电位地电气上连接，同电位地连接的前述金属薄膜经由前述通孔能够向外部抽出电极。9.根据权利要求8中所述的电容器，其特征在于，在前述通孔中填充导电性物质，前述金属薄膜经由前述导电性物质电气上连接。10.根据权利要求8中所述的电容器，其特征在于，前述金属薄膜经由前述通孔直接连接。11.根据权利要求8中所述的电容器，其特征在于，前述金属薄膜在同一面上分离成多个地形成，在同一面上形成多个静电电容形成区。12.根据权利要求11中所述的电容器，其特征在于，还有与前述金属薄膜绝缘的贯通电极。13.一种半导体集成电路，其特征在于，在插件内内装根据权利要求8～12中的任何一项中所述的电容器。14.一种多层配线基板，其特征在于，在表面或内部结合根据权利要求8～12中的任何一项中所述的电容器而构成。15.一种电容器，是用多个树脂薄膜和多个金属薄膜叠层而成的叠层体构成的电容器，其特征在于，前述树脂薄膜的至少一层在周围的一部分上有缺口部，前述金属薄膜经由前述缺口部每隔一层成为同电位地电气上连接，同电位地连接的前述金属薄膜经由前述缺口部能够向外部抽出电极。16.根据权利要求15中所述的电容器，其特征在于，在前述缺口部中填充导电性物质，前述金属薄膜经由前述导电性物质电气上连接。17.根据权利要求15中所述的电容器，其特征在于，前述金属薄膜经由前述缺口部直接连接。18.根据权利要求15中所述的电容器，其特征在于，前述树脂薄膜大体上为矩形，在前述树脂薄膜的前述缺口部所形成的边以外的边处前述金属薄膜后退地形成。19.一种叠层体的制造方法，是树脂薄膜和金属薄膜交互叠层而成的叠层体的制造方法，其特征在于，包括在前述树脂薄膜的形成区内比前述树脂薄膜的形成面积要小地形成前述金属薄膜，并且每形成一层金属薄膜就变更前述金属薄膜的形成位置，交互叠层树脂薄膜和金属薄膜的工序，形成贯通前述树脂薄膜和金属薄膜的通孔的工序，以及在前述通孔中填充导电性材料，把前述金属薄膜的至少一部分与前述导电性材料电气上连接起来的工序。20.根据权利要求19中所述的叠层体的制造方法，其特征在于，还包括形成贯通前述树脂薄膜、不贯通前述金属薄膜的第2通孔的工序，以及在前述第2通孔中填充导电性材料的工序。21.一种叠层体的制造方法，是以形成树脂薄膜的工序、形成金属薄膜的工序、以及在规定位置上形成贯通前述树脂薄膜和金属薄膜的通孔的工序为一个单位，通过在支持体上反复进行这些而交互叠层前述树脂薄膜和前述金属薄膜的叠层体的制造方法，其特征在于，在前述树脂薄膜的形成区内比前述树脂薄膜的形成面积要小地形成前述金属薄膜，并且每形成一层金属薄膜就变更前述金属薄膜的形成位置，而且，使前述通孔沿叠层方向连续地形成，在前述连续的通孔中填充导电性材料，把前述金属薄膜的至少一部分与前述导电性材料电气上连接起来。22.根据权利要求21中所述的叠层体的制造方法，其特征在于，还包括形成贯通前述树脂薄膜、不贯通前述金属薄膜的第2通孔的工序，沿叠层方向连续地形成前述第2通孔，在前述连续的第2通孔中填充导电性材料。23.一种叠层体的制造方法，是以形成树脂薄膜的工序、在前述树脂薄膜上形成通孔的工序、在前述树脂薄膜上形成金属薄膜的工序为一个单位，通过在支持体上反复进行这些而交互叠层前述树脂薄膜和前述金属薄膜的叠层体的制造方法，其特征在于，在前述树脂薄膜的形成区内比前述树脂薄膜的形成面积要小地形成前述金属薄膜，并且每形成一层金属薄膜就变更前述金属薄膜的形成位置，而且，通过在形成前述金属薄膜的区内形成前述通孔，经由前述通孔把叠层方向的多个前述金属薄膜电气上连接起来。24.根据权利要求23中所述的叠层体的制造方法，其特征在于，在前述树脂薄膜形成后，前述金属薄膜形成前，在前述树脂薄膜的不形成金属薄膜的区中进一步形成第2通孔，使前述第2通孔沿叠层方向连续，在前述连续的第2通孔中填充导电性材料。25.根据权利要求19、21或23中所述的叠层体的制造方法，其特征在于，在形成前述金属薄膜后，通过大体上格子形地扫描激光来限制前述金属薄膜的形成区。26.根据权利要求19、21或23中所述的叠层体的制造方法，其特征在于，通过在形成前述树脂薄膜后，并在树脂薄膜表面上大体上格子形地涂油后再形成金属薄膜来限制前述金属薄膜的形成区。27.根据权利要求26中所述的叠层体的制造方法，其特征在于，在沿一个方向移动的支持体上进行前述叠层体的制造，用具备与前述树脂薄膜表面对向配置的微细孔的至少一对喷嘴，使前述各喷嘴沿与前述支持体的移动方向大致垂直的方向往复移动，使各喷头的前述微细孔在前述树脂薄膜上描出的轨迹相对前述支持体的移动方向成大致45度，进行前述涂油。28.一种电容器的制造方法，其特征在于，包括在前述树脂薄膜的形成区内比前述树脂薄膜的形成面积要小地形成前述金属薄膜，并且每形成一层金属薄膜就变更前述金属薄膜的形成位置，交互叠层树脂薄膜和金属薄膜的工序，形成贯通前述树脂薄膜和金属薄膜的通孔的工序，以及在前述通孔中填充导电性材料，每隔一层把前述金属薄膜电气上连接起来的工序。29.根据权利要求28中所述的电容器的制造方法，其特征在于，在形成前述通孔后，填充前述导电性材料前，等离子体处理前述通孔内壁面。30.一种电容器的制造方法，是以形成树脂薄膜的工序、形成金属薄膜的工序、以及在规定位置上形成贯通前述树脂薄膜和金属薄膜的通孔的工序为一个单位，通过在支持体上反复进行这些的电容器的制造方法，其特征在于，在前述树脂薄膜的形成区内比前述树脂薄膜的形成面积要小地形成前述金属薄膜，并且每形成一层金属薄膜就变更前述金属薄膜的形成位置，而且，使前述通孔沿叠层方向连续地形成，在前述连续的通孔中填充导电性材料，每隔一层把前述金属薄膜电气上连接起来。31.根据权利要求30中所述的电容器的制造方法，其特征在于，等离子体处理前述通孔的内壁面。32.一种电容器的制造方法，是以形成树脂薄膜的工序、在前述树脂薄膜上形成通孔的工序、以及在前述树脂薄膜上形成金属薄膜的工序为一个单位，通过在支持体上反复进行这些的电容器的制造方法，其特征在于，在前述树脂薄膜的形成区内比前述树脂薄膜的形成面积要小地形成前述金属薄膜，并且每形成一层金属薄膜就变更前述金属薄膜的形成位置，而且，通过在形成前述金属薄膜的区内形成前述通孔，经由前述通孔每隔一层把前述金属薄膜电气上连接起...

【专利技术属性】
技术研发人员：本田和义，越后纪康，贝义昭，小田桐优，砂流伸树，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]