温度补偿型陶瓷组合物、烧结助剂系统及层压陶瓷组件技术方案

本发明专利技术涉及一种用于与纯银电极超低温共烧的温度补偿型陶瓷组合物，其包含式（Ⅰ）Ｂａ↓［ｗ］（Ｎｄ↓［ｘ］Ｓｍ↓［ｙ］）↓［２］Ｔｉ↓［ｚ］Ｏ↓［ｗ＋３ｘ＋３ｙ＋３ｚ］所代表的主陶瓷材料系统与式（Ⅱ）（Ｚｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｂ）Ｏ所代表的烧结助剂材料系统，其中式（Ⅰ）所代表的主陶瓷材料系统包含：１０－３０摩尔％的氧化钡，１０－３０摩尔％的氧化钕，０－２０摩尔％的氧化钐及４０－７０摩尔％的二氧化钛，式（Ⅱ）所代表的烧结助剂材料系统的含量为５－４０摩尔％，其中式（Ⅱ）所代表的烧结助剂材料系统包含：１－５重量％的氧化镁，１－５重量％的氧化铜，５－３０重量％的氧化锌，２０－６０重量％的氧化铋，５－１０重量％的氧化铝及１至２０重量％的氧化硼。本发明专利技术还涉及如上述的烧结助剂系统，以及一种层压陶瓷组件，其由用于与纯银电极超低温共烧的温度补偿型陶瓷组合物制得。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于与纯银电极超低温共烧的温度补偿型陶瓷组合物、该组合物所含的烧结助剂系统，以及由该组合物制得的层压陶瓷组件。
技术介绍
一般陶瓷组件(例如电容器)按照其陶瓷材料组成的介电常数高低，可分成三类高介电常数型(Hi-K)、中介电常数型(Mid-K)及温度补偿型(TC)。高介电常数型的介电常数可达4000至15000，通常其值随着温度变化而呈不稳定状态。中介电常数型的介电常数约为1400至2200，其介电常数随温度变化呈非线性变化。温度补偿型的介电常数约为10至90，其介电常数随温度变化最小，且呈线性变化。层压陶瓷组件(例如电容器)的内电极和陶瓷介电层须一起共烧，因此积层陶瓷电容器的陶瓷材料组成依烧结温度可概分为高温烧结系统及低温烧结系统。高温烧结系统的烧结温度约在1250℃至1300℃，因其烧结温度较高，故其内电极一般需采用熔点较高且价格昂贵的钯(Pd)金属。低温烧结系统由于烧结温度在1150℃以下，故其内电极可采用价格便宜，银含量较高的银钯合金(Ag/Pd)来降低成本。TDK陶瓷材料系统为(Ca、Sr)(Zr、Ti)O3，其使用镍作为内电极，以铜作为外电极。TDK本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于与纯银电极超低温共烧的温度补偿型陶瓷组合物，其包含式（Ⅰ）Ｂａ↓［ｗ］（Ｎｄ↓［ｘ］Ｓｍ↓［ｙ］）↓［２］Ｔｉ↓［ｚ］Ｏ↓［ｗ＋３ｘ＋３ｙ＋３ｚ］所代表的主陶瓷材料系统与式（Ⅱ）（Ｚｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｂ）Ｏ所代表的烧结助剂材料系统，其中式（Ⅰ）所代表的主陶瓷材料系统包含：１０－３０摩尔％的氧化钡（０．１≤ｗ≤０．３）、１０－３０摩尔％的氧化钕（０．１≤ｘ≤０．３）、０－２０摩尔％的氧化钐（０≤ｙ≤０．２）及４０－７０摩尔％的二氧化钛（０．４≤ｚ≤０．７），式（Ⅱ）所代表的烧结助剂材料系统的含量为５－４０摩尔％，其中式（Ⅱ）所代表的烧结助剂材料系统包含：１－５重量％...

【技术特征摘要】
1.一种用于与纯银电极超低温共烧的温度补偿型陶瓷组合物，其包含式(I)Baw(NdxSmy)2TizOw+3x+3y+3z所代表的主陶瓷材料系统与式(II)(Zn、Si、Cu、Al、Mg、Ba、Bi、B)O所代表的烧结助剂材料系统，其中式(I)所代表的主陶瓷材料系统包含10-30摩尔％的氧化钡(0.1≤w≤0.3)、10-30摩尔％的氧化钕(0.1≤x≤0.3)、0-20摩尔％的氧化钐(0≤y≤0.2)及40-70摩尔％的二氧化钛(0.4≤z≤0.7)，式(II)所代表的烧结助剂材料系统的含量为5-40摩尔％，其中式(II)所代表的烧结助剂材料系统包含1-5重量％的氧化镁、1-5重量％的氧化铜、5-30重量％的氧化锌、20-60重量％的氧化铋、5-10重量％的氧化铝、5-15重量％的二氧化硅、10-30重量％的氧化钡及1-5重量％的氧化硼。2.一种烧结助剂材料系统，如式(II)(Zn、Si、Cu、Al、Mg、Ba、Bi、B)O所代表，其包含1-5重量％的氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文熙，李俊德，胡庆利，
申请(专利权)人：国巨股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]