低温烧结的99氧化铝陶瓷及其制造方法和用途技术

本发明专利技术公开了一种特征在于低温烧结、氧化铝重量百分比为９９％或９９．６％的陶瓷，通常简称为９９％或９９．６％氧化铝陶瓷及其制造方法。其特点是以平均颗粒尺寸为２．０－２．５μｍ的９９％或９９．６％氧化铝粉体为原料，加入余量重量百分比的由Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］，ＺｒＯ↓［２］，ＭｇＯ两种或者三种混合组成的助烧剂，利用流延成型或干压成型等工艺制得陶瓷生坯，陶瓷生坯经过排胶后在普通硅钼棒电炉或硅钼棒隧道窑中，在≤１６５０℃的温度下，保温１－４小时烧结，即可制得高致密度、表面光滑平整、性能优异的９９氧化铝陶瓷基板和９９氧化铝陶瓷件。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及低温烧结的99氧化铝陶瓷及其制造方法和用途，属于特种陶瓷及其制造领域。
技术介绍
通常的99氧化铝陶瓷基板或99氧化铝陶瓷结构件大都采用平均颗粒尺寸为2.0-2.5μm的氧化铝粉体为原料，在较高温度(≥1750℃)的下进行烧结的技术。由于该温度极高，而一般连续式电热隧道窑极限使用温度为(1680℃)，不能满足烧结要求，因此必须采用间歇式氢气气氛炉或传统热压烧结。这两种种烧结方法设备要求高，产量少，综合成本高。而目前的各种氧化铝陶瓷烧结窑炉主要为连续式电热隧道窑，该温度也达不到传统99氧化铝陶瓷的烧结温度要求。随着技术的进步，目前可采用超细粉体作为原料以达到低温烧结的目的，烧结温度低于1680℃，这样可以使用一般连续式电热隧道窑进行大量烧结。但是采用超细粉体在陶瓷生坯成型上有极大的困难，目前是不可能利用流延法规模化生产大面积陶瓷基板的。其原因如下1.适用于低温烧结的超细粉体一般平均颗粒尺寸小于1μm，通常团聚严重不易分散。而采用流延工艺生产99氧化铝基板要求陶瓷粉体平均颗粒尺寸为2.0-2.5μm。这样配置成同等流动性能的流延浆料需要大量的溶剂来有效的分散粉料，形成流本文档来自技高网...

【技术保护点】
低温烧结的９９氧化铝陶瓷，其基本化学组成是：（以重量百分组成计）ＡＬ↓［２］Ｏ↓［３］９９－９９．６％；余量为ＺｒＯ↓［２］、ＭｇＯ、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］中任意两种或三种化合物的混合物。

【技术特征摘要】
1.低温烧结的99氧化铝陶瓷，其基本化学组成是(以重量百分组成计)AL2O399-99.6％；余量为ZrO2、MgO、Y2O3中任意两种或三种化合物的混合物。2.根据权利要求1所述的低温烧结的99氧化铝陶瓷，其基本化学组成是(以重量百分组成计)AL2O399％；ZrO20.1-0.5％；MgO 0.1-0.5％；余量为Y2O3。3.根据权利要求1所述的低温烧结的99氧化铝陶瓷，其基本化学组成是(以重量百分组成计)AL2O399.6％；余量为ZrO2、MgO、Y2O3中任意两种或三种化合物的混合物。4.根据权利要求3所述的低温烧结的99氧化铝陶瓷，其基本化学组成是(以重量百分组成计)AL2O399.6％；ZrO20.1-0.2％；MgO 0.1-0.2％；余量为Y2O3。5.根据权利要求1或2或3或4所述的低温烧结的99氧化铝陶瓷，其特征在于以所述基本化学组成为基本重量计量单位，选择添加有Cr2O30.01％，或TiO20.01-0.5％或La2O30.01-0.5％。6.根据权利要求1或2或3或4所述的低温烧结的99氧化铝陶瓷所获得的氧化锆陶瓷基板，所述基板的厚度为0.2-1.0mm。7.低温烧结的99氧化铝陶瓷的制造方法，其特征在于基本特点是以平均颗粒尺寸为2.0-2.5μm的氧化铝粉体为原料，加入计量的由Y2O3，ZrO2，MgO中两种或者三种混合组成的助烧剂，或者进一步选择加入少量Cr2O3、TiO2或La2O3，利用流延成型或干压成型工艺制得陶瓷生坯，陶瓷生坯经过排胶后在普通硅钼棒电炉或硅钼棒隧道窑中，在≤1650℃的温度下，保温1-4小时烧结，制得高致密度、表面光滑平整、性能优异的99氧化铝陶瓷基板和99氧化铝陶瓷件。8.根据权利要求7所述的低温烧结的99氧化铝陶瓷的制造方法，其特征在于首先按照计量配比称量无机料氧化铝、氧化钇(Y2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化镁(MgO)，总计100％(重量百分比表示)，按配方要求，称量...

【专利技术属性】
技术研发人员：周和平，吴崇隽，党桂彬，段正平，
申请(专利权)人：珠海粤科京华电子陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]