氧化铝烧结体制造技术

本发明专利技术的目的是降低在第１主面（ＳＦ↓［１］）和埋设电极（２）之间的氧化铝基体（１）上产生的裂纹的发生率。所采用的方法是，氧化铝烧结体具备：具有相对的第１主面和第２主面的氧化铝基体（１）；在离第１主面（ＳＦ↓［１］）０．４毫米以下深度Ｈ↓［Ｄ］由埋设在氧化铝基体（１）内的金属构成的膜状的埋设电极（２）；在比埋设电极（２）更靠第２主面（ＳＦ↓［２］）侧埋在氧化铝基体（１）内的金属做成的埋设端子（３）。埋设端子（３）与埋设电极（２）接触，埋设电极（２）的膜厚Ｈ↓［Ｅ］在２５微米以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及应用于CVD装置和刻蚀装置等半导体制造装置中的加热器、静电吸盘以及施加高频用的基座等埋设有电极的氧化铝烧结体。
技术介绍
原来，在半导体制造工程中，使用了在氧化铝烧结体中埋设有电极的静电吸盘、在氧化铝烧结体中埋设有电阻发热体的加热装置等的氧化铝部件。在陶瓷基体的与晶片放置面相对的背面侧还埋设有与金属电极接触的金属端子，把电力供给用连接器与金属端子连接，对金属电极供给电力的装置广为所知(例如，参照专利文献1)。专利文献1特开平11-12053号公报然而，尤其是在使用了氧化铝烧结体的库仑型静电吸盘的场合，由于一般电介质层的厚度薄至0.4mm以下，从而有可能导致强度的降低。该距离变短的话，在把氧化铝烧结体与金属电极和金属端子一体烧结时，因氧化铝和金属的热膨胀率的差别，在晶片放置面和金属电极之间的氧化铝基体上会产生裂纹。从晶片放置面到金属电极的距离变短，氧化铝基体的相应部分的强度降低，裂纹产生的机率提高。由于产生了裂纹的制品成为次品，从而导致生产效率下降。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的特征在于，是一种氧化铝烧结体，具备具有相对的第1主面和第2主面的氧化铝基体；在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化铝烧结体，其特征在于，具备：具有相对的第１主面和第２主面的氧化铝基体；在离所述第１主面０．４毫米以下的深度由埋在所述氧化铝基体内的金属构成的膜状的埋设电极；以及，在比所述埋设电极更靠第２主面侧由埋在所述氧化铝基体内的金属构成的埋设端子，所述埋设端子与所述埋设电极接触，所述埋设电极的膜厚在２５微米以下。

【技术特征摘要】
JP 2006-3-24 2006-0841191.一种氧化铝烧结体，其特征在于，具备具有相对的第1主面和第2主面的氧化铝基体；在离所述第1主面0.4毫米以下的深度由埋在所述氧化铝基体内的金属构成的膜状的埋设电极；以及，在比所述埋设电极更靠第2主面侧由埋在所述氧化铝基...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部亮誉，森丰，曻和宏，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]