铌低价氧化物粉末制造技术

含有１００至６００ｐｐｍ镁及／或５０至４００ｐｐｍ钼及／或钨的铌低价氧化物粉末，它适合于制造具有铌五氧化物绝缘材料层的电容器、由此铌低价氧化物粉末制得的电容器阳极以及相应的电容器。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及铌低价氧化物粉末，它适合于制造有铌五氧化物绝缘材料层的电容器，涉及由此铌低价氧化物粉末制造的电容器阳极，并涉及相应的电容器。固体电解质电容器有效电容器表面积很大，因此总体结构小，适合于移动通讯所用的电子设备，是流行的电容器具有敷涂至相应导电衬底上之铌或钽五氧化物绝缘层，它利用了这些化合物(“阀门金属”)的稳定性、相对高的介电常数以及实际上该绝缘五氧化物层能通过电化学法以十分均匀的层厚度来加以制备的性质。所用衬底为该相应五氧化物的金属的或导电性的低价氧化物母体。此同时形成电容器电极(阳极)的衬底有高度多孔的海绵状结构，它通过烧结已呈海绵状的极细颗粒初级或次级构造而产生。此衬底构件表面被电解氧化(“形成”)以产生该五氧化物，该五氧化物层的厚度由电解氧化的最高电压(“形成电压”)确定。对电极是通过以热转换为二氧化锰的硝酸锰浸渍该海绵状构件而制得，或者以聚合物电解质液体产物母体浸溃接着进行聚合而制得。借助于衬底构件制造过程中烧结的钽或铌丝在一侧上形成至电极的电连接，而在另一侧上则形成金属电容器壳层，它对该丝绝缘。电容器的电容C用下列公式来计算C＝(F·ε)/(d·VF)式本文档来自技高网...

【技术保护点】
含有１００至６００ｐｐｍ镁的铌低价氧化物粉末。

【技术特征摘要】
DE 2003-7-15 10331891.71.含有100至600ppm镁的铌低价氧化物粉末。2.含有50至400ppm钼及/或钨的铌低价氧化物粉末。3.含有100至600ppm镁和50至400ppm钼及/或钨的铌低价氧化物粉末。4.权利要求1至3之任一项的铌低价氧化物粉末，其中镁含量为150至400ppm。5.权利要求1至4之任一项的铌低价氧化物粉末，其中钼含量为60至250ppm。6.权利要求1至5之任一项的铌低价氧化物粉末，其中Fe、Cr、Ni、Cu、碱金属以及氟化物和氯化物含量在所有情况下都小于15ppm。7.权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：O托马斯，C施尼特，
申请(专利权)人：HC施塔克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]