一种放置半导体晶片的溢流水盒制造技术

技术编号:31207588 阅读:12 留言:0更新日期:2021-12-04 17:22
本实用新型专利技术公开了一种放置半导体晶片的溢流水盒,包括内盒和外盒,所述内盒和外盒呈不带盖的长方体盒体形状,所述内盒放置于外盒内,所述内盒的一侧面设置有进水口,所述外盒的一侧面设置有出水口,且所述进水口与所述出水口位于相对的两侧,所述内盒的四个侧面的上端边缘均布有溢流豁口,所述溢流豁口设置为V型槽,所述内盒的进水口通去离子水。持续对内盒注入水,使水自动溢流成为活水,通过水从内盒上边缘豁口流下,上表面易污染的水先流下,保证了水的清洁,保证了水的持续流动和水的去向,解决了浸泡水为不动静止水的问题,有效解决了因使用时间的增长,浸泡水与空气接触,使水质变差,导致的半导体晶片污染问题。导致的半导体晶片污染问题。导致的半导体晶片污染问题。

【技术实现步骤摘要】
一种放置半导体晶片的溢流水盒


[0001]本技术涉及半导体晶片加工
,尤其涉及一种放置半导体晶片的溢流水盒。

技术介绍

[0002]双抛机加工半导体晶片,当精抛双抛机加工完晶片后,需要将晶片进行甩干,故需要将晶片放入专用的甩干架中,半导体晶片抛光完需通过夹子将晶片放入甩干架中,待全部晶片下完后进行甩干,在晶片甩干前不可长时间暴露在空气中,否则会产生氧化或自然风干形成水印缺陷,需在去离子水中完成晶片转放,所以需要半导体晶片既能够放入甩干架里,方便后续甩片操作,又要能够完全浸泡在去离子水中,防止自然风干造成缺陷,目前最常见的解决方式为使用PP材质做成的盒子,将盒子内装满去离子水,将装有半导体晶片的甩干架浸泡在水盒内进行捡片操作,现有技术使用的水为静止不动水,随着使用时间的增加,水质变差,可能导致晶片污染,引起缺陷。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种放置半导体晶片的溢流水盒,解决使用时间的增长而使浸泡水质变差导致的半导体晶片污染问题。
[0004]为解决上述技术问题,本技术采用如下技术方案:
[0005]本技术一种放置半导体晶片的溢流水盒,包括内盒和外盒,所述内盒和外盒呈不带盖的长方体盒体形状,所述内盒放置于外盒内,所述内盒的一侧面设置有进水口,所述外盒的一侧面设置有出水口,且所述进水口与所述出水口位于相对的两侧。
[0006]进一步的,所述内盒的四个侧面的上端边缘均布有溢流豁口,所述溢流豁口设置为V型槽。
[0007]进一步的,所述外盒的长度和宽度大于所述内盒的长度和宽度,所述外盒的高度小于所述内盒的高度。
[0008]进一步的,工作时,半导体晶片放置在所述内盒中,去离子水从所述内盒的进水口进入,从溢流豁口溢出的水通过所述出水口流出
[0009]与现有技术相比,本技术的有益技术效果:
[0010]本技术一种放置半导体晶片的溢流水盒,通过内盒和外盒的设计,持续对内盒注入水,使水自动溢流成为活水,通过水从内盒上边缘豁口流下,上表面易污染的水先流下,保证了水的清洁,通过设置进水口和出水口,保证了水的持续流动和水的去向,通过对溢流水盒的重新设计,解决了浸泡水为不动静止水的问题,有效解决了因使用时间的增长,浸泡水与空气接触,使水质变差,导致的半导体晶片污染问题。
附图说明
[0011]下面结合附图说明对本技术作进一步说明。
[0012]图1为本技术放置半导体晶片的溢流水盒示意图;
[0013]附图标记说明:1、外盒;2、内盒;3、进水口;4、出水口;5、溢流豁口。
具体实施方式
[0014]如图1所示,一种放置半导体晶片的溢流水盒,包括内盒2和外盒1,所述内盒2和外盒1呈不带盖的长方体盒体形状,所述内盒2放置于外盒1内,所述内盒2的一侧面设置有进水口3,所述外盒1的一侧面设置有出水口4,且所述进水口3与所述出水口4位于相对的两侧。通过内盒2和外盒1的双层设计,达到了内盒2水溢流并且能控制水流向的效果。
[0015]所述内盒2的四个侧面的上端边缘均布有溢流豁口5,所述溢流豁口5设置为V型槽。设置溢流豁口5方便水流下和限制水的高度,从内盒2的四个侧面的上端边缘均布有溢流豁口5,使与空气接触易污染水的外表面先流下,保证了水的洁净度。
[0016]所述外盒1的长度和宽度大于所述内盒2的长度和宽度,所述外盒1的高度小于所述内盒2的高度。通过外盒1的出水口4,对溢出水的流向进行了导向,方便溢出水的管理。
[0017]工作时,半导体晶片放置在所述内盒2中,去离子水从所述内盒2的进水口3进入,从溢流豁口5溢出的水通过所述出水口4流出。
[0018]本技术的动作过程如下:
[0019]首先,将该溢流水盒放置在双面抛光机右手侧人机屏幕的下方,并在进水口3处连接进水管路,出水口4处连接出水管路,然后将带有半导体晶片的甩干架放入到内盒2中,通过进水口3对内盒2进行持续注入去离子水,所述内盒2中的水通过溢流豁口5沿锯齿槽壁溢流到外盒1中,再通过外盒1上的出水口4排出,通过内外盒的进水口3和出水口4,使去离子水从进水口3注入,从出水口4流出,形成持续流动的水,通过内外盒双层设计,实现内盒2水溢流,使浸泡水成为源源不断的活动水。
[0020]以上所述的实施例仅是对本技术的优选方式进行描述,并非对本技术的范围进行限定,在不脱离本技术设计精神的前提下,本领域普通技术人员对本技术的技术方案做出的各种变形和改进,均应落入本技术权利要求书确定的保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放置半导体晶片的溢流水盒,其特征在于:包括内盒(2)和外盒(1),所述内盒(2)和外盒(1)呈不带盖的长方体盒体形状,所述内盒(2)放置于外盒(1)内,所述内盒(2)的一侧面设置有进水口(3),所述外盒(1)的一侧面设置有出水口(4),且所述进水口(3)与所述出水口(4)位于相对的两侧。2.根据权利要求1所述的放置半导体晶片的溢流水盒,其特征在于:所述内盒(2)的四个侧面的上端边缘均布有溢流豁口(5)...

【专利技术属性】
技术研发人员:古新远赵波
申请(专利权)人:保定通美晶体制造有限责任公司
类型:新型
国别省市:

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