铝电解电容器用低压阳极箔的变频布孔方法技术

铝电解电容器用低压阳极箔的变频布孔方法，涉及一种铝电解电容器，尤其是涉及一种可实现铝电解电容器用低压铝箔的高比容的铝电解电容器用低压阳极箔的变频布孔方法。提供一种铝电解电容器用低压阳极箔的变频布孔方法。对铝箔表面进行常规除油、清洗，然后放入电解液中进行布孔电解，电解液含盐酸０．８～３．８Ｎ、硫酸０．０１～０．５Ｎ和三氯化铝０．１～１．２Ｎ，电解采用频率为５～８０Ｈｚ的正弦交流电，电流密度为０．２０～０．３７Ａ／ｃｍ↑［２］；采用常规扩孔电解后得腐蚀箔；将腐蚀箔采用常规化成后得铝电解电容器用低压阳极箔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种铝电解电容器，尤其是涉及一种可实现铝电解电容器用低压铝箔的高比 容的。技术背景自1938年德国人制造出世界上第一个高纯铝箔电解电容器以来，由于其比容高、氧化膜 具有自愈特性、价格便宜等优点，铝电解电容器逐渐成为应用最为广泛的电子元器件之一。 目前国际上通用的制造工艺是采用电化学腐蚀来增大铝箔的表面有效面积，以提高比容。但 随着电子产品向轻、薄、短、小的方向发展，对铝电解电容器小型化、SMD化和高性能化 的要求越来越迫切，对高纯电子铝箔实施电蚀工艺，大幅度提高铝箔比表面积，以提高比容， 成为铝电解电容器实现小型化的关键技术之一，因而受到各国的极大重视。传统的腐蚀技术(参见文献1.中国专利，申请号为200610040889.1; 2.中国专利， 申请号为200510200148.0; 3.罗泸蓉等.表观电化学参数对铝箔交流电侵蚀的影响电子元件 与材料，2000， 19 (3): 33-34; 4.杨邦朝等.低压铝箔交流腐蚀研究，电子元件与材料，1998， 17(1): 11-12; 5.阎康平等.电流对高纯铝箔交流电侵蚀的影响，中国有色金属学报，1999， 9 (本文档来自技高网...

【技术保护点】
铝电解电容器用低压阳极箔的变频布孔方法，其特征在于包括以下步骤：　　　　１）对铝箔表面进行常规除油、清洗，然后放入电解液中进行布孔电解，电解液含盐酸０．８～３．８Ｎ、硫酸０．０１～０．５Ｎ和三氯化铝０．１～１．２Ｎ，电解采用频率为５～８０Ｈｚ的正弦交流电，电流密度为０．２０～０．３７Ａ／ｃｍ↑［２］；　　　　２）采用常规扩孔电解后得腐蚀箔；　　　　３）将腐蚀箔采用常规化成后得铝电解电容器用低压阳极箔。

【技术特征摘要】
1.铝电解电容器用低压阳极箔的变频布孔方法，其特征在于包括以下步骤1)对铝箔表面进行常规除油、清洗，然后放入电解液中进行布孔电解，电解液含盐酸0.8～3.8N、硫酸0.01～0.5N和三氯化铝0.1～1.2N，电解采用频率为5～80Hz的正弦交流电，电流密度为0.20～0.37A/cm2；2)采用常规扩孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：林昌健，钱国庆，孙岚，谭惠忠，王文宝，
申请(专利权)人：厦门大学，肇庆华锋电子铝箔有限公司，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]