【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及大幅斷氐了等效串联电感(ESL)的， 特别涉及作为去耦电容器等而使用的。
技术介绍
[,2飾来，给LSI等集成电路供电用的电源一方面朝低电压化方向发展，另 —方面，负载电流增大。 [画]从而，对于负载电流的急剧变化，将电源电压的改变抑制在容许值内就变 得非常困难。为此，将去耦电容器(例如，二端子结构的层叠陶瓷电容器)连 接到电源。从而，在负载电流过度改变时，由该层叠陶瓷电容器向CPU等的 LSI供给电流以抑制电源电压的改变。就是说，由于已有的层叠陶瓷电容器ESL高，所以随着负载电流i的改变， 与，相同，电源电压V的改变容易变大。 [■6]这是由于负载电流过渡时的电压改变近似为下面的式1 ，ESL的高低与电源 电压改变的大小有关系。因此，根据该式1也可以说ESL的降低与电源电压的 稳定化有关联。[,]dV=ESL.di/dt …式l其中，dV敬渡时的电源电压(V)， i是电流改变量(A), t是改变时间(秒)作为使ESL进一步降低的层叠电容器,已知在特开2002—299152号公报中 示出的多端子层叠电容器。该多端子层叠电容器S31多个外部端子电极，...
【技术保护点】
一种层叠电容器，其特征在于，具有： 电介质基体，其为层叠多个电介质层形成的大致立方体形状的电介质基体； 内层部，其为在所述电介质基体中设定为相互不同的电位的多个第１内层用导体层和第２内层用导体层，经由所述电介质层，交替层叠为在层叠方向上相互重叠，并形成电容器的内部电极电路的内层部； 外层部，其为在所述电介质基体中，在所述层叠方向上与所述内层部的两个端面中的至少任一个邻接，设定为相互不同的电位的多个第１外层用导体层和第２外层用导体层，经由所述电介质层，层叠为在所述层叠方向上相互不重叠的外层部；以及 多个第１端子电极和第２端子电极，其为至少在所述电介质基...
【技术特征摘要】
JP 2006-10-31 2006-2956821.一种层叠电容器，其特征在于，具有电介质基体，其为层叠多个电介质层形成的大致立方体形状的电介质基体；内层部，其为在所述电介质基体中设定为相互不同的电位的多个第1内层用导体层和第2内层用导体层，经由所述电介质层，交替层叠为在层叠方向上相互重叠，并形成电容器的内部电极电路的内层部；外层部，其为在所述电介质基体中，在所述层叠方向上与所述内层部的两个端面中的至少任一个邻接，设定为相互不同的电位的多个第1外层用导体层和第2外层用导体层，经由所述电介质层，层叠为在所述层叠方向上相互不重叠的外层部；以及多个第1端子电极和第2端子电极，其为至少在所述电介质基体的侧面中相对于所述层叠方向平行的侧面上形成、并被设定为相互不同的电位的多个第1端子电极和第2端子电极，所述第1端子电极的各个与至少一个所述第1内层用导体层和多个所述第1外层用导体层连接，所述第2端子电极的各个与至少一个所述第2内层用导体层和多个所述第2外层用导体层连接，位于所述外层部的所述电介质层，在与邻接该电介质层的一对所述第1外层用导体层或一对所述第2外层用导体层重叠的区域中，具有多个针孔导体部，该多个针孔导体部使邻接该电介质层的一对该第1外层用导体层彼此或一对该第2外层用导体层彼此在所述层叠方向上相互连接。2. 权利要求1中记载的层叠电容器，其特征在于， 所述针孔导体部的针孔直径为1~10拜，所述针孔导体部的总横截面积是该针孔导体部所连接的所述第1夕卜层用导 体层和/織2夕卜层用导体层的面积的30~50%。3. 权利要求1中记载的层叠电容器，其特征在于，在具有多个所述针孔导体部的所述电介质层的所述层叠方向和相对于该层 叠方向垂直的平面方向上，随机體多个所述针孔导体部。4. 权利要求1中记载的层叠电容器，其特征在于， 至少在所述电介质基体的侧面中相对于所述层叠方向平行的第1侧面和与该第1侧面相对的第2侧面中的任一个上，形成^所述第1端子电极和所述 第2端子电极。5. 权利要求4中记载的层叠电容器，其特征在于，5ta^ 述第1侧面^F万述第2侧面、和所述电介质基体的侧面中邻接该第1 侧面和織2侧面且木树于所腿叠方向垂直的第5侧面和/鄉6侧面，形成 Mf万述第1端子电极和所述第2端子电极。6. 权利要求5中记载的层叠电容器，其特征在于，在所述第5侧面和M^f述第6侧面上形成的所述第1端子电极和所述第1 外层用导体层，M31位于，1端子电极和，1夕卜层用导体层之间的所述电 介质层所具有的多个所述针 L导...
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