参考电压管理制造技术

本发明专利技术描述用于例如在关键操作(例如感测操作)期间维持存储器装置中的稳定电压差的技术。待维持的电压差可为跨存储器单元的读取电压或与参考电压相关联的差，以及其它实例。组件(例如本地电容器)可在所述操作之前与偏置到第一电压(例如全局参考电压)的节点耦合以在电路系统相对安静(例如无噪声)时对所述第一电压与第二电压之间的电压差进行采样。所述组件可在所述操作之前与所述节点解耦，使得可允许所述组件的节点(例如电容器)在所述操作期间浮动。跨所述组件的所述电压差可在所述第二电压的变化期间保持稳定，且可在所述操作期间提供稳定电压差。间提供稳定电压差。间提供稳定电压差。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】参考电压管理
[0001]交叉参考
[0002]本专利申请案主张博兰德里纳(BOLANDRINA)等人于2019年4月11日申请的标题为“参考电压管理(REFERENCE VOLTAGE MANAGEMENT)”的第16/381,702号美国专利申请案的优先权，所述申请案转让给其受让人且其全部内容以引用的方式明确并入本文中。

技术介绍

[0003]下文大体上涉及可包含至少一个存储器装置的系统，且更具体来说，涉及用于存储器装置中的参考电压管理的设备及技术。
[0004]存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器及类似者)中。信息通过编程存储器装置的不同状态来存储。举例来说，二进制装置最常存储两种状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中，可存储两种以上状态。为了存取存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为了存储信息，装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。
[0005]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如FeRAM)可长时间维持其存储的逻辑状态，即使不存在外部电源。易失性存储器装置(例如DRAM)会在与外部电源断开时丢失其存储状态。FeRAM能够实现类似于易失性存储器的密度，但可由于使用铁电电容器作为存储装置而具有非易失性。
附图说明
[0006]图1说明根据本文公开的实例的支持存储器装置中的参考电压管理的系统的实例。
[0007]图2说明根据本文公开的实例的支持存储器装置中的参考电压管理的存储器阵列的实例。
[0008]图3说明根据本文公开的实例的支持存储器装置中的参考电压管理的磁滞曲线的实例。
[0009]图4说明根据本文公开的实例的支持参考电压管理的存储器装置的实例。
[0010]图5说明根据本文公开的实例的支持参考电压管理的系统中的存储器单元电压的时序图。
[0011]图6说明根据本文公开的实例的支持参考电压管理的电路的实例。
[0012]图7说明根据本文公开的实例的支持参考电压管理的存储器装置的实例。
[0013]图8说明根据本文公开的实例的支持参考电压管理的电路的实例。
[0014]图9说明根据本文公开的实例的支持参考电压管理的时序图的实例。
[0015]图10说明根据本文公开的实例的支持参考电压管理的存储器控制器的框图。
[0016]图11说明根据本文公开的实例的支持参考电压管理的方法。
[0017]图12说明根据本文公开的实例的支持参考电压管理的方法。
具体实施方式
[0018]存储器装置中的感测组件(例如感测放大器)的性能可受电力输送网络(PDN)能力(例如噪声抑制能力)影响。举例来说，取决于读取路径及感测架构，感测操作的准确度可受与用于偏置存储器单元(例如读取电压)或用于确定存储于存储器单元上的状态(例如参考电压)的电压相关联的噪声影响。期望改进参考电压管理的技术。
[0019]一种存储器装置可包含存储器单元及感测组件。感测组件可与存储器单元相关联的数字线耦合，且可用于在读取操作期间感测由存储器单元存储的状态。一些类型的存储器单元(例如铁电存储器单元)可包含用于存储存储器单元的状态的单元电容器。在例如读取操作的操作期间，可通过向单元电容器的一或两个板施加电压来偏置存储器单元，其可致使单元电容器在读取操作期间与数字线共享电荷。举例来说，数字线上的所得电荷量(或对应电压或电流)可由感测组件用于确定由存储器单元存储的状态，例如通过比较数字线的电压与参考电压，参考电压可根据参考线的电压与接地电压之间的电压差来定义。
[0020]在一些情况下，跨存储器单元的电压(例如读取电压)(例如施加到单元电容器的顶板及底板的电压之间的差)或与参考电压相关联的电压差可受PDN内的噪声影响。举例来说，在读取操作期间，施加到存储器单元中的电容器的一个板的电压可由于PDN内的寄生电容或电耦合而改变。在此情况下，跨单元电容器的电压也可改变；例如，读取电压可能不稳定，其可影响在读取操作期间由存储器单元与数字线共享的电荷量。
[0021]在一些情况下，如果读取电压在读取操作的部分(例如关键部分)期间(例如，当感测组件被激活且感测数字线上的电压或电流时)没有被充分很好控制(例如稳定)，那么感测组件可能无法准确确定由存储器单元存储的状态。类似地，如果参考电压与另一电压(例如接地电压)之间的电压差在感测操作期间没有被充分很好控制(例如稳定)，那么感测操作的准确度会受不利影响。因此，期望识别用于在读取操作期间管理(例如控制)此类电压差的技术。
[0022]在一些情况下，存储器单元的数字线可经由共源共栅放大器(或其它类型的切换组件)与感测元件耦合。举例来说，共源共栅可在数字线与感测组件之间建立导电路径。在此情况下，存储器单元的读取电压(例如跨单元电容器的电压)可受共源共栅的栅极处的电压影响。
[0023]在一些情况下，栅极电压可由一或多个组件(例如外围调节器)提供，且可使用其它组件(例如芯片上各个位置中的全局电容器)来稳定(例如维持)。因此，栅极电压可相对稳定。然而，板线电压(例如施加到单元电容器的另一板的电压)可由板线驱动器提供，且可受从存储器装置中的其它组件注入到电路系统中的电流影响。举例来说，当感测组件在读取操作期间被激活时，其可将电流注入到板线中且改变板线的电压，借此改变跨存储器单元的读取电压，因为栅极电压未受类似影响。由来自激活感测组件的电流注入引起的跨存储器单元的读取电压的变化会特别成问题，因为其发生在读取操作的关键时间，此时感测组件正试图确定存储器单元的状态。类似地，参考电压可受在读取操作期间注入到电路中的电流影响。
[0024]因此，在一些情况下，存储器装置可包含例如本地电容器的组件以帮助在读取操
作期间维持稳定读取电压。举例来说，本地电容器的一个节点可与板线电压耦合，且本地电容器的第二节点可与共源共栅的栅极耦合。在读取操作期间激活感测组件之前，本地电容器的第二节点还可与偏置到栅极电压的节点耦合，且借此可在感测组件空闲且电路系统相对安静(例如无噪声)时采样及存储板线电压与栅极电压之间的电压差。
[0025]在读取操作的关键部分期间(例如，当感测组件被激活以感测存储器单元的状态时)，本地电容器可与栅极电压解耦且可允许浮动。在此情况下，板线电压的变化(例如，由于感测组件的激活)可通过本地电容器对应地改变晶体管栅极处的电压，借此致使共源共栅的栅极处的电压追踪板线电压且在激活感测组件时维持跨存储器单元的稳定读取电压。类似技术可用于在一或多个操作(例如关键操作)期间维持参考电压的稳定性。
[0026]在一些情况下，可使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：耦合第一电容器与偏置到第一电压的第一节点，其中所述第一电容器与在存储器单元的数字线与感测组件之间建立导电路径相关联的第二节点耦合；使用所述第一电容器存储所述第一电压与所述存储器单元的板线相关联的第二电压之间的电压差；解耦所述第一电容器与所述第一节点；在解耦所述第一电容器与所述第一节点之后存取所述存储器单元；及在存取所述存储器单元之后耦合所述第一电容器与所述第一节点。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述第一电容器与所述第一节点解耦时，使用所述感测组件感测由所述存储器单元存储的状态。3.根据权利要求1所述的方法，其中：耦合所述第一电容器与所述第一节点包括激活切换组件。4.根据权利要求1所述的方法，其中：解耦所述第一电容器与所述第一节点包括取消激活切换组件。5.根据权利要求1所述的方法，其中：解耦所述第一电容器与所述第一节点包括增大与切换组件相关联的电阻。6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述感测组件不活动时，所述第一电容器与所述第一节点耦合。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二节点位于共源共栅放大器的栅极处。8.根据权利要求1所述的方法，其中：耦合所述第一电容器与所述第一节点将所述第一电容器与第二电容器耦合，其中所述第二电容器耦合于所述第一节点与提供所述第一电压的电压供应器之间。9.根据权利要求1所述的方法，其中：存取所述存储器单元包括断言与所述存储器单元相关联的字线信号。10.一种存储器装置，其包括：存储器单元，其与数字线耦合；切换组件，其经配置以耦合所述数字线与感测组件；第一电容器，其具有与所述切换组件耦合的第一节点；第一电压供应器，其与所述存储器单元的板线及与所述第一电容器的第二节点耦合，所述第一电压供应器经配置以供应第一电压；及控制器，其可操作以致使所述存储器装置：在存取存储器单元之前，耦合所述第一电容器与偏置到第二电压的第三节点；解耦所述第一电容器与所述第三节点，至少部分基于解耦所述第一电容器与所述第三节点来存取所述存储器单元，及在存取所述存储器单元之后，耦合所述第一电容器与所述第三节点。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其进一步包括：第二切换组件，其选择性耦合所述第一电容器与所述第三节点，其中所述控制器可操作以致使所述存储器装置：
激活所述第二切换组件以将所述第一电容器耦合到所述第三节点。12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述控制器进一步可操作以致使所述存储器装置：取消激活所述第二切换组件以解耦所述第一电容器与所述第三节点。13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述控制器进一步可操作以致使所述存储器装置：调整所述第二切换组件的电阻以解耦所述第一电容器与所述第三节点。14.根据权利要求10所述的存储器装置，其进一步包括：第二电容器，其与所述第二切换组件及与经配置以供应所述第二电压的第二电压供应器耦合。15.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述控制器进一步可操作以致使所述存储器装置：激活所述感测组件，其中存取所述存储器单元包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：