【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成装置的多层布置及形成感测/存取线的方法
[0001]相关专利数据
[0002]本申请案主张2019年5月1日申请的序列号为16/400,572的美国临时专利申请案的优先权及权益,所述美国临时专利申请案的公开内容以引用方式并入本文中。
[0003]本专利技术涉及集成装置的多层布置及形成感测/存取线的方法。
技术介绍
[0004]致力于形成集成装置的多层布置。例如,可在包括驱动器、感测放大器等的层上方形成包括存储器的层。可期望形成感测/存取线(例如,位线),所述感测/存取线与上层的存储器装置耦合,且还通过延伸穿过上层的互连件与下层的组件耦合。将期望开发专门经配置为适于此类应用的结构,且开发形成此类结构的方法。
附图说明
[0005]图1是包括存储器单元的实例布置的实例组合件的图解截面侧视图。
[0006]图1A是图1的组合件的区的图解俯视图。图1的截面沿着图1A的线1
‑
1。
[0007]图1B是可代替图1中所展示的实例存储器单元利用的实例存储器单元的图解截面侧视图。
[0008]图2是实例多层配置的图解截面侧视图。
[0009]图3是说明与其它组件隔离的字线及位线的图1的组合件的区的图解俯视图。
[0010]图4是实例存储器阵列的图解示意图。
[0011]图5是在实例实施例的实例工艺阶段的组合件的图解截面侧视图。
[0012]图6是在图5的工艺阶段之后的实例工艺阶段的图5的组合件的图解截面侧视图。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种布置,其包括:第一层,其包含耦合区的一侧上的第一组存储器单元及所述耦合区的相对侧上的第二组存储器单元;第一系列的感测/存取线,其在所述第一组及所述第二组的所述存储器单元下方,且与所述第一组及所述第二组的所述存储器单元电连接;导电互连件,其在所述存储器层的所述耦合区内;第二系列的感测/存取线,其跨所述第一组及所述第二组的所述存储器单元且跨所述导电互连件延伸;所述第二系列的所述感测/存取线具有包括第一组合物的第一区,且具有包括不同于所述第一组合物的第二组合物的第二区;所述第一区在所述第一系列及所述第二系列的所述存储器单元上方且与所述第一系列及所述第二系列的所述存储器单元电连接;所述第二区在所述导电互连件上方且与所述导电互连件电耦合;及第二层,其从所述第一层垂直地偏移;所述第二层包括与所述导电互连件耦合的电路系统。2.根据权利要求1所述的布置,其中所述第二层的所述电路系统是CMOS电路系统。3.根据权利要求1所述的布置,其中所述第一组合物包含两种或更多种材料,且其中所述第二组合物包括所述第一组合物的所述材料的子组。4.根据权利要求3所述的布置,其中所述第二组合物具有高于所述第一组合物的导电率。5.根据权利要求4所述的布置,其中所述第一组合物包含下层上方的上层,其中所述上层包括Ta、Pt、Cu、W及Pd中的一或多者;且其中所述第二组合物仅包括所述上层。6.根据权利要求4所述的布置,其中所述第一组合物包含碳、WSiN、WN及TiN中的一或多者上方的Ta、Pt、Cu、W及Pd中的一或多者;且其中所述第二组合物仅包含Ta、Pt、Cu、W及Pd中的所述一或多者。7.一种布置,其包括:存储器层,其包含耦合区的一侧上的第一组存储器单元及所述耦合区的相对侧上的第二组存储器单元;第一系列的感测/存取线,其在所述第一组及所述第二组的所述存储器单元下方,且与所述第一组及所述第二组的所述存储器单元电连接;导电互连件,其在所述存储器层的所述耦合区内;第二系列的感测/存取线,其跨所述第一组及所述第二组的所述存储器单元且跨所述导电互连件延伸;所述第二系列的所述感测/存取线具有包括第一导电材料上方的第二导电材料的第一区,且具有仅包括所述第二导电材料的第二区;所述第一区在所述第一系列及所述第二系列的所述存储器单元上方且与所述第一系列及所述第二系列的所述存储器单元电连接;所述第二区在所述导电互连件上方且与所述导电互连件电耦合;及额外层,其在所述存储器层下方;所述额外层包括与所述导电互连件耦合的CMOS电路系统。8.根据权利要求7所述的布置,其中所述第一导电材料具有高于所述第二导电材料的电阻。9.根据权利要求7所述的布置,其中所述第一导电材料包括碳、WSiN、WN及TiN中的一或
多者,其中所述化学式指示成分而非特定化学计量;且其中所述第二导电材料包括Ta、Pt、Cu、W及Pd中的一或多者。10.根据权利要求7所述的布置,其中所述第一导电材料及第二导电材料包括金属。11.根据权利要求7所述的布置,其中所述第一导电材料包括与一或多种非金属元素组合的第一金属,且其中所述第二导电材料由第二金属组成。12.根据权利要求11所述的布置,其中所述第一金属及所述第二金属是相同的。13.根据权利要求12所述的布置,其中所述第一导电材料由WSiN组成,其中所述化学式指示成分而非特定化学计量;且其中所述第二导电材料由W组成。14.根据权利要求11所述的布置,其中所述第一金属及所述第二金属是不同的。15.根据权利要求7所述的布置,其中所述第二导电材料直接接触所述导电互连件的侧壁,但不在所述导电互连件的顶部上方延伸。16.根据权利要求7所述的布置,其中所述导电互连件是许多基本上相同导电互连件中的一者,且其中所述第二系列的所述感测/存取线是所述第二系列的许多感测/存取线中的一者。17.根据权利要求16所述的布置,其中所述第一系列的所述感测/存取线是字线,且其中所述第二系列的所述感测/存取线是位线。18.根据权利要求7所述的布置,其中所述第一组及所述第二组的所述存储器单元包含包括锗、锑、碲及铟中的一或多者的可编程材料。19.根据权利要求7所述的布置,其中所述第一组及...
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